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Am29DS163D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22326
调整
A
修订
+1
发行日期
2004年11月8日
这页有意留为空白。
超前信息
Am29DS163D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 1.8伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 提供两种器件具有不同大小的银行(参考
到表3)
安全硅( SecSi )部门
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂保护的数据。
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能被改变。
- 64字节的扇区大小
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 48球FBGA
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程
和擦除,使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护状态,
- 加速度( ACC )功能提供加速
节目时间
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
高性能
- 存取时间快100纳秒
- 计划时间: 13微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 1 mA的1 MHz有源读取电流
- 5毫安在5 MHz有源读取电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
22326
启:
A
Amendment/1
发行日期:
2004年11月8日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29DS163D系列包括16兆, 1.8
伏只有快闪存储器装置,组织为1048576
也就是说,每行16位或2,097,152字节,每字节8位。
字模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式
数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备被设计为
进行编程的系统内使用的标准1.8伏
V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的,100的访问时间,并
120纳秒。该器件采用了48球FBGA
封装。标准控制引脚芯片使能( CE # ) ,
写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE #), - 控制
正常的读写操作,并避免总线CON-
张力问题。
只有一个设备需要
单1.8伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
清除EEPROM器件。 DMS还允许
系统软件被简化,因为它执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA TA gecom PA redtosys TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
完成后,设备会自动返回到阅读 -
荷兰国际集团阵列的数据。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这是在系统内或通过编程来实现
设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,
该器件进入
自动休眠模式。
系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零LA-
tency 。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
Am29DS163D特点
安全硅( SecSi )部门
是一个额外的
64字节扇区能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi部门指标
( DQ7 )被永久设置为1 ,如果部分是
外交事务委员会
保守党锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
方式,客户可锁定的部件绝不会被用来重新
把工厂锁定一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
4
Am29DS163D
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29DS163D设备总线操作............................. 10
扇区擦除命令序列........................................ 25
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
图4.擦除操作............................................. ................. 26
表14. Am29DS163D命令定义.............................. 27
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 28
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 28
字/字节配置.............................................. .......... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................... ....... 11
自选功能................................................ ....................... 11
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 29
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 29
图6.切换位算法............................................ ............ 29
同时读/写操作零延迟....... 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2. Am29DS163D设备银行部门............................... 12
表3.前引导扇区地址( Am29DS16xDT ) .................. 13
SecSi行业顶级引导设备.............................. 13地址
表5.底部引导扇区地址( Am29DS16xDB ) ............ 14
SecSi行业的底部启动设备......................... 14个地址
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 30
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 30
表15.写操作状态............................................ ....... 31
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图7.最大负过冲波形...................... 32
图8.最大正过冲波形....................... 32
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) ............................................. ......... 34
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 34
自选模式................................................ ..................... 15
表7. Am29DS163D自选代码(高压法) 15
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图11.测试设置............................................. ....................... 35
表16.测试规范............................................. ............ 35
图12.输入波形和测量水平................. 35
部门/部门块保护和unprotection的.................. 16
表8.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 16
表9.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 16
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图13.读操作时序............................................ ... 36
图14.复位时序............................................. .................. 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
临时机构/部门撤消座............................. 17
图1.临时机构撤消操作........................... 17
图2.在系统部门/部门块保护
和撤消算法............................................... ................. 18
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... 38
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 38
图16. BYTE #时序写操作............................ 38
擦除和编程操作.............................................. 39
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
40
40
41
42
42
43
43
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 19
硬件数据保护............................................... ....... 19
低VCC写禁止.............................................. ....................... 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 20
逻辑禁止................................................ .................................. 20
上电写禁止............................................. ....................... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
表10. CFI查询标识字符串........................................ 20
系统接口字符串............................................... .................... 21
表12.设备几何定义............................................ 21
表13.主要供应商特定的扩展查询...................... 22
临时机构/部门撤消座............................. 44
图24.临时机构/扇区块
撤消时序图............................................... .............. 44
图25.部门/部门块保护/撤消时序图45
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 46
图26.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 47
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 23
自选命令序列............................................ 23
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 24
字节/字编程命令序列............................. 24
解锁绕道命令序列.............................................. 24
图3.程序操作............................................. ............. 25
芯片擦除命令序列........................................... 25
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8 mm封装............................................. .................... 49
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
Am29DS163D
5
Am29DS163D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22326
调整
A
修订
+1
发行日期
2004年11月8日
这页有意留为空白。
超前信息
Am29DS163D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 1.8伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 提供两种器件具有不同大小的银行(参考
到表3)
安全硅( SecSi )部门
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂保护的数据。
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能被改变。
- 64字节的扇区大小
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 48球FBGA
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程
和擦除,使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护状态,
- 加速度( ACC )功能提供加速
节目时间
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
高性能
- 存取时间快100纳秒
- 计划时间: 13微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 1 mA的1 MHz有源读取电流
- 5毫安在5 MHz有源读取电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
22326
启:
A
Amendment/1
发行日期:
2004年11月8日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29DS163D系列包括16兆, 1.8
伏只有快闪存储器装置,组织为1048576
也就是说,每行16位或2,097,152字节,每字节8位。
字模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式
数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备被设计为
进行编程的系统内使用的标准1.8伏
V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的,100的访问时间,并
120纳秒。该器件采用了48球FBGA
封装。标准控制引脚芯片使能( CE # ) ,
写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE #), - 控制
正常的读写操作,并避免总线CON-
张力问题。
只有一个设备需要
单1.8伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
清除EEPROM器件。 DMS还允许
系统软件被简化,因为它执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA TA gecom PA redtosys TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
完成后,设备会自动返回到阅读 -
荷兰国际集团阵列的数据。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这是在系统内或通过编程来实现
设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,
该器件进入
自动休眠模式。
系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零LA-
tency 。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
Am29DS163D特点
安全硅( SecSi )部门
是一个额外的
64字节扇区能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi部门指标
( DQ7 )被永久设置为1 ,如果部分是
外交事务委员会
保守党锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
方式,客户可锁定的部件绝不会被用来重新
把工厂锁定一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
4
Am29DS163D
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29DS163D设备总线操作............................. 10
扇区擦除命令序列........................................ 25
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
图4.擦除操作............................................. ................. 26
表14. Am29DS163D命令定义.............................. 27
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 28
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 28
字/字节配置.............................................. .......... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................... ....... 11
自选功能................................................ ....................... 11
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 29
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 29
图6.切换位算法............................................ ............ 29
同时读/写操作零延迟....... 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2. Am29DS163D设备银行部门............................... 12
表3.前引导扇区地址( Am29DS16xDT ) .................. 13
SecSi行业顶级引导设备.............................. 13地址
表5.底部引导扇区地址( Am29DS16xDB ) ............ 14
SecSi行业的底部启动设备......................... 14个地址
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 30
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 30
表15.写操作状态............................................ ....... 31
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图7.最大负过冲波形...................... 32
图8.最大正过冲波形....................... 32
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) ............................................. ......... 34
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 34
自选模式................................................ ..................... 15
表7. Am29DS163D自选代码(高压法) 15
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图11.测试设置............................................. ....................... 35
表16.测试规范............................................. ............ 35
图12.输入波形和测量水平................. 35
部门/部门块保护和unprotection的.................. 16
表8.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 16
表9.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 16
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图13.读操作时序............................................ ... 36
图14.复位时序............................................. .................. 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
临时机构/部门撤消座............................. 17
图1.临时机构撤消操作........................... 17
图2.在系统部门/部门块保护
和撤消算法............................................... ................. 18
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... 38
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 38
图16. BYTE #时序写操作............................ 38
擦除和编程操作.............................................. 39
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
40
40
41
42
42
43
43
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 19
硬件数据保护............................................... ....... 19
低VCC写禁止.............................................. ....................... 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 20
逻辑禁止................................................ .................................. 20
上电写禁止............................................. ....................... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
表10. CFI查询标识字符串........................................ 20
系统接口字符串............................................... .................... 21
表12.设备几何定义............................................ 21
表13.主要供应商特定的扩展查询...................... 22
临时机构/部门撤消座............................. 44
图24.临时机构/扇区块
撤消时序图............................................... .............. 44
图25.部门/部门块保护/撤消时序图45
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 46
图26.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 47
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 23
自选命令序列............................................ 23
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 24
字节/字编程命令序列............................. 24
解锁绕道命令序列.............................................. 24
图3.程序操作............................................. ............. 25
芯片擦除命令序列........................................... 25
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8 mm封装............................................. .................... 49
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
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