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Am29DL800B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21519
调整
C
修订
4
发行日期
2006年12月4日
公开号
21519
调整
C
修订
4
发行日期
2006年12月4日
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数据表
Am29DL800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
同时读/写操作
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行,
然后立即和同时从读
其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29DL800设备
高性能
- 存取时间快70纳秒
低电流消耗(典型值
在5 MHz )
- 7毫安有效的读电流
- 21毫安主动读,而节目或阅读,在─
擦除电流
- 17毫安活动的程序,而擦除悬浮电流
- 200 nA的待机模式
- 200 nA的自动睡眠模式
- 标准的T
CE
芯片使能访问时间适用于
从自动睡眠模式,以主动模式转变
灵活的部门架构
- 两个16千字,两个8千字,四4千字,并
在字模式14 32千字行业
- 两个32字节, 2字节16 ,四个8字节,并
14 64字节扇区的字节模式
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
扇区保护
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除扇区或整个芯片
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
最低百万编程/擦除周期
每个扇区保证
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法的程序或
擦除周期结束
擦除暂停/删除恢复
- 暂停或重新开始擦除扇区,使
阅读和编程其他部门
- 无需暂停,如果部门是在其他银行
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
出版#
21519
启:
C
修订:
4
发行日期:
2006年12月4日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29DL800B是8兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为524,288的字或
1,048,576字节。该器件采用44引脚SO ,
48引脚TSOP和48球FBGA封装。在字处理
宽( X16 )的数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节宽
( X8 )的数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备需要
只有一个3.0伏V
CC
供应进行阅读,亲
克和擦除操作。一个标准的EPROM
程序员也可以被用来编程和擦除
该设备。
该器件采用AMD的0.35微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和
该Am29DL800 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。标准控制引脚芯片
使能(CE # ),写使能(WE # )和输出使能
( OE # ) - 控制读写操作,并避免
总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置自动返回到
读阵列数据。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
VCC探测器,自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,该组,该内的任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。没有必要暂停
擦除操作,如果读出的数据是在另一组。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
该装置复位到读阵列数据,从而使系
TEM微处理器读取来自引导固件
闪速存储器。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality ,可靠性, andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节或字
在一个时间使用热电子注入。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
SI-
multaneous操作
通过将所述存储器空间
到两家银行。银行1包含八个开机/参数
部门和银行2由14大,代码
大小均匀的部门。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,与
零LA-
tency 。
这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
Am29DL800B特点
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。
寄存器的内容作为输入到一个内部状态
机,它控制了擦除和编程税务局局长
cuitry 。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
2
Am29DL800B
2006年21519C4 12月4日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.................... 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29DL800B设备总线操作................................ 9
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 22
图6.切换位算法............................................ ............ 23
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 23
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 23
表6.写操作状态............................................ .......... 24
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图7.最大负过冲波形..................... 25
图8.最大正过冲波形....................... 25
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
同时读/写操作零延迟....... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29DL800BT热门引导扇区结构.................. 12
表3. Am29DL800BB底部引导扇区结构............. 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 27
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 27
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
图11.测试设置............................................. ....................... 28
表7.测试规范............................................. .............. 28
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
图12.输入波形和测量水平................. 28
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图13.读操作时序............................................ ...
图14.复位时序............................................. ..................
图15. BYTE #时序进行读操作............................
图16. BYTE #时序写操作............................
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.返回到回读/写周期时序......................
图20.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图21.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图23.临时机构撤消时序图..............
图24.部门保护/撤消时序图....................
29
30
31
31
33
33
34
34
35
35
36
36
自选模式................................................ ..................... 13
表4. Am29DL800B自动选择代码(高压法) ..14
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
临时机构撤消............................................... ... 14
图1.临时机构撤消操作........................... 14
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 15
擦除和编程操作.............................................. 32
硬件数据保护............................................... ....... 16
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
读阵列数据............................................... ................. 16
复位命令................................................ ..................... 16
自选命令序列............................................ 16
字节/字编程命令序列............................. 17
图3.程序操作............................................. ............. 18
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 37
图25.备用CE #控制的擦除/编程
操作时序................................................ .......................... 38
芯片擦除命令序列........................................... 18
扇区擦除命令序列........................................ 18
擦除暂停/删除恢复命令........................... 19
图4.擦除操作............................................. .................. 19
命令定义................................................ ............. 20
表5. Am29DL800B命令定义................................ 20
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 21
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 21
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 22
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 22
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 40 ..
FBB048 -48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×9 mm封装............................................. ..................... 41
SO 044-44引脚小外形.......................................... .... 42
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
2006年12月4日21519C4
Am29DL800B
3
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