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Am29DL800B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21519
调整
C
修订
4
发行日期
2006年12月4日
公开号
21519
调整
C
修订
4
发行日期
2006年12月4日
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数据表
Am29DL800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
同时读/写操作
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行,
然后立即和同时从读
其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29DL800设备
高性能
- 存取时间快70纳秒
低电流消耗(典型值
在5 MHz )
- 7毫安有效的读电流
- 21毫安主动读,而节目或阅读,在─
擦除电流
- 17毫安活动的程序,而擦除悬浮电流
- 200 nA的待机模式
- 200 nA的自动睡眠模式
- 标准的T
CE
芯片使能访问时间适用于
从自动睡眠模式,以主动模式转变
灵活的部门架构
- 两个16千字,两个8千字,四4千字,并
在字模式14 32千字行业
- 两个32字节, 2字节16 ,四个8字节,并
14 64字节扇区的字节模式
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
扇区保护
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除扇区或整个芯片
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
最低百万编程/擦除周期
每个扇区保证
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法的程序或
擦除周期结束
擦除暂停/删除恢复
- 暂停或重新开始擦除扇区,使
阅读和编程其他部门
- 无需暂停,如果部门是在其他银行
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
出版#
21519
启:
C
修订:
4
发行日期:
2006年12月4日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29DL800B是8兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为524,288的字或
1,048,576字节。该器件采用44引脚SO ,
48引脚TSOP和48球FBGA封装。在字处理
宽( X16 )的数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节宽
( X8 )的数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备需要
只有一个3.0伏V
CC
供应进行阅读,亲
克和擦除操作。一个标准的EPROM
程序员也可以被用来编程和擦除
该设备。
该器件采用AMD的0.35微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和
该Am29DL800 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。标准控制引脚芯片
使能(CE # ),写使能(WE # )和输出使能
( OE # ) - 控制读写操作,并避免
总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置自动返回到
读阵列数据。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
VCC探测器,自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,该组,该内的任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。没有必要暂停
擦除操作,如果读出的数据是在另一组。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
该装置复位到读阵列数据,从而使系
TEM微处理器读取来自引导固件
闪速存储器。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality ,可靠性, andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节或字
在一个时间使用热电子注入。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
SI-
multaneous操作
通过将所述存储器空间
到两家银行。银行1包含八个开机/参数
部门和银行2由14大,代码
大小均匀的部门。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,与
零LA-
tency 。
这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
Am29DL800B特点
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。
寄存器的内容作为输入到一个内部状态
机,它控制了擦除和编程税务局局长
cuitry 。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
2
Am29DL800B
2006年21519C4 12月4日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.................... 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29DL800B设备总线操作................................ 9
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 22
图6.切换位算法............................................ ............ 23
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 23
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 23
表6.写操作状态............................................ .......... 24
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图7.最大负过冲波形..................... 25
图8.最大正过冲波形....................... 25
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
同时读/写操作零延迟....... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29DL800BT热门引导扇区结构.................. 12
表3. Am29DL800BB底部引导扇区结构............. 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 27
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 27
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
图11.测试设置............................................. ....................... 28
表7.测试规范............................................. .............. 28
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
图12.输入波形和测量水平................. 28
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图13.读操作时序............................................ ...
图14.复位时序............................................. ..................
图15. BYTE #时序进行读操作............................
图16. BYTE #时序写操作............................
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.返回到回读/写周期时序......................
图20.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图21.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图23.临时机构撤消时序图..............
图24.部门保护/撤消时序图....................
29
30
31
31
33
33
34
34
35
35
36
36
自选模式................................................ ..................... 13
表4. Am29DL800B自动选择代码(高压法) ..14
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
临时机构撤消............................................... ... 14
图1.临时机构撤消操作........................... 14
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 15
擦除和编程操作.............................................. 32
硬件数据保护............................................... ....... 16
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
读阵列数据............................................... ................. 16
复位命令................................................ ..................... 16
自选命令序列............................................ 16
字节/字编程命令序列............................. 17
图3.程序操作............................................. ............. 18
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 37
图25.备用CE #控制的擦除/编程
操作时序................................................ .......................... 38
芯片擦除命令序列........................................... 18
扇区擦除命令序列........................................ 18
擦除暂停/删除恢复命令........................... 19
图4.擦除操作............................................. .................. 19
命令定义................................................ ............. 20
表5. Am29DL800B命令定义................................ 20
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 21
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 21
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 22
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 22
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 40 ..
FBB048 -48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×9 mm封装............................................. ..................... 41
SO 044-44引脚小外形.......................................... .... 42
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
2006年12月4日21519C4
Am29DL800B
3
初步
Am29DL800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
s
同时读/写操作
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行,
然后立即和同时从读
其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29DL800设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低电流消耗(典型值
在5 MHz )
- 7毫安有效的读电流
- 21毫安主动读,而节目或阅读,在─
擦除电流
- 17毫安活动的程序,而擦除悬
当前
- 200 nA的待机模式
- 200 nA的自动睡眠模式
- 标准的T
CE
芯片使能访问时间适用于
从自动睡眠模式,以积极的转变
模式
s
灵活的部门架构
- 两个16千字,两个8千字,四4千字,并
在字模式14 32千字行业
- 两个32字节, 2字节16 ,四个8字节,并
14 64字节扇区的字节模式
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
扇区保护
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
在任何编程或擦除操作
扇形
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除扇区或整个芯片
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低百万编程/擦除周期
每个扇区保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法的程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 暂停或重新开始擦除扇区,使
阅读和编程其他部门
- 无需暂停,如果部门是在其他银行
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
21519
启:
A
Amendment/+3
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该Am29DL800B是8兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为524,288的字或
1,048,576字节。该器件采用44引脚SO ,
48引脚TSOP和48球FBGA封装。在字处理
宽( X16 )的数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节宽
( X8 )的数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备需要
只有一个3.0伏V
CC
供应进行阅读,亲
克和擦除操作。一个标准的EPROM亲
程序员也可以被用来编程和擦除的
装置。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
该Am29DL800 ,将其制造的efits
采用0.5微米工艺。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。标准控制引脚芯片恩
能( CE# ),写使能(WE # )和输出使能
( OE # ) - 控制读写操作,并避免
总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置自动返回到
读阵列数据。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,该组,该内的任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。没有必要暂停
擦除操作,如果读出的数据是在另一组。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
该装置复位到读阵列数据,从而使系
TEM微处理器读取来自引导固件
闪速存储器。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年闪存存储器的
储器制造经验,生产的最高
质量,可靠性和成本效益的水平。该
装置电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该字节
编程的一个字节或字的时间使用热elec-
tron的注入。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
SI-
multaneous操作
通过将所述存储器空间
到两家银行。银行1包含八个开机/参数
部门和银行2由14大,代码
大小均匀的部门。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克,或立刻键和Si-擦除一家银行,然后
从其他银行multaneously阅读,与
潜伏期。
这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
Am29DL800B特点
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
寄存器的内容作为输入到一个内部状态
机,它控制了擦除和编程
电路。写周期内部也锁存地址
而所需的编程和擦除数据
操作。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
2
Am29DL800B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
全电压范围: V
CC
= 2.7 – 3.6 V
70
70
70
30
Am29DL800B
90
90
90
35
120
120
120
50
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
V
CC
V
SS
OE # BYTE #
y解码器
A0–A18
上银行地址
上银行
锁存器和控制逻辑
RY / BY #
A0–A18
RESET#
WE#
CE#
BYTE #
DQ0–DQ15
A0–A18
状态
控制
&放大器;
命令
注册
状态
X解码器
DQ0–DQ15
A0–A18
DQ0–DQ15
控制
DQ0–DQ15
X解码器
较低的银行
A0–A18
较低的银行地址
OE # BYTE #
锁存器和
控制逻辑
y解码器
21519A-1
Am29DL800B
3
P L I M I N A R
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
标准TSOP
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
反向TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21519A-2
4
Am29DL800B
P L I M I N A R
连接图
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE#
V
SS
OE #
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
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9
10
11
12
13
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16
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19
20
21
22
SO
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET#
WE#
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
21519A-3
FBGA
凹凸面(底部)查看
A1
A3
A2
A7
A3
RY / BY #
A4
WE#
A5
A9
A6
A13
B1
A4
B2
A17
B3
NC
B4
RESET#
B5
A8
B6
A12
C1
A2
C2
A6
C3
A18
C4
NC
C5
A10
C6
A14
D1
A1
D2
A5
D3
NC
D4
NC
D5
A11
D6
A15
E1
A0
E2
DQ0
E3
DQ2
E4
DQ5
E5
DQ7
E6
A16
F1
CE#
F2
DQ8
F3
DQ10
F4
DQ12
F5
DQ14
F6
G1
OE #
G2
DQ9
G3
DQ11
G4
V
CC
G5
DQ13
G6
H1
V
SS
H2
DQ1
H3
DQ3
H4
DQ4
H5
DQ6
H6
V
SS
BYTE # DQ15 / A- 1
特殊处理说明FBGA
特殊处理所需的闪存产品
在FBGA封装。
FBGA封装的快闪存储器装置可以是
如果暴露在超声波清洗的方法损坏。
该包中的D /或数据INTEGR性可能
损害,如果封装体暴露于
温度高于150℃的长时间周期
时间。
5
Am29DL800B
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    联系人:杨小姐
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