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AM29DL642G
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29PL127J取代AM29DL642G作为工厂推荐的迁移路径。请参阅
在S29PL127J数据表的规格和订购信息。可用性本文件
保留只供参考用途及历史的目的。
2005年4月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26503
调整
B
修订
2
发行日期
2005年6月10日
这页有意留为空白。
Am29DL642G
128兆位(8M ×16位) CMOS 3.0伏只
同时读/写闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29PL127J取代AM29DL642G作为工厂推荐的迁移路径。
请参阅S29PL127J数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
两个64兆比特( Am29DL640G )在一个单一的63球12
×11毫米微调间距BGA封装(功能
本文中所描述的每个内部Am29DL640G )
两个芯片使能输入
- 两个CE#输入来控制选择的每个内部的
Am29DL640G设备
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现
所需的银行部门。
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
- 任何部门的结合可以被删除
SecSi (安全硅) SectorSecSi
TM
(安全
硅)行业:额外256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
只有一次性可编程。
一旦被锁定,数据不能被改变
高性能
- 70或90 ns访问时间
在0.17微米制程技术制造的
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)的一部分
- 10毫安典型的读操作工作电流
- 24 mA典型的擦除/编程电流
- 400 nA的典型待机模式电流
灵活的部门架构
- 两百年56 32千字行业
与JEDEC标准兼容
- 除了增加CE2 # ,精细间距BGA是
的引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
每个部门最少百万擦除周期保证
63球精细间距BGA封装
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以允许从读
在同一家银行其他部门
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 ,
140和141 ,无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
26503
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
2005年6月10日
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29DL642G是128兆, 3.0伏( 2.7 V至3.6 V )
即结合了两种Am29DL640G单电源供电
在单个63 -球加固BGA闪存设备
封装。每个Am29DL640G是64兆, 3.0伏( 2.7 V
至3.6 V)设备组织为4,194,304字。数据AP-
梨在DQ15 - DQ0 。该设备被设计为亲
编程在系统的标准系统3.0伏
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序或
擦除操作。该Am29DL642G配备
2 CE#输入两个IN-之间灵活选择
ternal 64 Mb的设备。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该Am29DL642G提供70或90毫微秒的访问时间。
为了消除总线争用的Am29DL642G器件
两个独立的芯片使能( CE #和CE2 # ) 。每个芯片
使能(CE #或CE2 # )被连接到唯一的两个中的一个
骰子在Am29DL642G包。
到系统中,这
EV icewillbethesameastを独立
Am29DL640G在同一块板上。唯一的区别
是,现在打包在一起,以减少
电路板空间。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源支持
( 2.7 V至3.6 V ),用于读取和写入功能。在 -
内部产生的并且被提供稳压电压
对于编程和擦除操作。
nently设置为1,如果该部件是
工厂锁定,
并设置为一个
0如果
客户可锁定。
通过这种方式,客户可锁定
部件不能被用于替换工厂锁定部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该SecSi
扇区可存储一个安全的,随机的16字节的ESN ( Elec-
TRONIC序列号) ,客户代码(编程
通过AMD的ExpressFlash服务) ,或两者兼而有之。顾客
可锁定部分可以利用SecSi部门作为奖金
空间,读,写像任何其他闪存部门,或
可以永久地锁定自己的代码存在。
DMS (数据管理软件)
允许系统
易取的先进架构优势
通过使除去的同时读/写的产品线
的EEPROM器件。 DMS也将允许系统软
器被简化,因为它会执行的所有功能。必要请
埃森修改数据中的文件结构,而不是
单字节的修改。编写或更新特定
一块数据(电话号码或配置数据,用于
例)中,用户只需要规定哪一片
数据将被更新,并且其中所述更新后的数据是某一地址
符在系统中。这是一个优点相比
系统中用户编写的软件必须保持跟踪
旧的数据的位置,状态,逻辑到物理地址的转换
将数据放置到闪速存储器件(或存储器的
设备) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC
单电源闪存命令集的标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成时通过使用设备
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和DQ6 / DQ2 (切换
位)。后一个程序或擦除周期已经完成,
该装置自动返回到读模式。
扇区擦除架构
让内存部门
可擦除和重新编程,而不影响数据
其他部门的内容。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定在指定的时间量,
该器件进入
自动休眠模式。
该系
统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
SI-
multaneous操作
通过划分的存储器空间
每个Am29DL640G设备进入
四家银行,
两个8兆
银行与小型和大型行业,以及两个24 MB银行
大部门。扇区地址是固定的,系统软
器可以被用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能系
统进行编程或擦除一家银行,然后立即
和从其他银行同时读取,与零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
每个Am29DL640G可以被组织为两个一顶和
底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个4千字,
十五32 K字
四十八32 K字
四十八32 K字
8个4千字,
十五32 K字
Am29DL642G特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的256
字节扇区能够被永久锁定AMD
或客户。该
SecSi标志位
( DQ7 )是perma-
2
Am29DL642G
2005年6月10日
P L I M I N A R
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29DL642G设备总线操作................................ 9
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
图4.擦除操作............................................. ................. 29
表13. Am29DL642G命令定义.............................. 30
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 31
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 31
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 32
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 32
图6.切换位算法............................................ ............ 32
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
加快程序运行............................................. 10
自选功能................................................ .............. 10
同时读/写操作零延迟....... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29DL642G部门架构.................................... 11
表4.银行地址............................................. ....................... 17
SecSi
TM
扇区地址................................................ ............. 17
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表14.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图7.最大负过冲波形...................... 35
图8.最大正过冲波形........................ 35
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 37
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 37
自选模式................................................ ..................... 17
表6. Am29DL642G自动选择码, (高压法) 18
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图11.测试设置............................................. ....................... 38
图12.输入波形和测量水平................. 38
部门/部门块保护和unprotection的.................. 19
表7. Am29DL642G引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 19地址
写保护( WP # ) ............................................ .................... 20
表8. WP # / ACC模式.......................................... .................... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
只读操作.............................................. ............. 39
图13.读操作时序............................................ ... 39
临时机构撤消............................................... ... 20
图1.临时机构撤消操作........................... 20
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 21
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 40
图14.复位时序............................................. .................. 40
擦除和编程操作.............................................. 41
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.返回到后端的读/写周期时序......................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
42
42
43
44
44
45
45
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 22
硬件数据保护............................................... ....... 22
低VCC写禁止.............................................. .............. 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 23
逻辑禁止................................................ .......................... 23
上电写禁止............................................. ............... 23
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 23
表9. CFI查询标识字符串.......................................... 23
系统接口字符串............................................... .................... 24
表11.设备几何定义............................................ 24
表12.主要供应商特定的扩展查询...................... 25
临时机构撤消............................................... ... 46
图22.临时机构撤消时序图.............. 46
图23.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 47
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 48
图24.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 49
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 26
Word程序命令序列..................................... 27
解锁绕道命令序列..................................... 27
图3.程序操作............................................. ............. 28
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 50
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
FSD063-63球细间距球栅阵列( FBGA )
10.95 X 11.95毫米包............................................. ....... 51
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
2005年6月10日
Am29DL642G
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    -
    -
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