【Am29DL400B数据表RETIRED产品此产品已退休，不建议设计。对于新的和现有的设计，S29A】,IC型号AM29DL400BT-90SE,AM29DL400BT-90SE PDF资料,AM29DL400BT-90SE经销商,ic,电子元器件-51电子网

Am29DL400B

数据表

RETIRED

产品

此产品已退休，不建议设计。对于新的和现有的设计，

S29AL004D取代Am29DL400B ，是厂家推荐的迁移路径。请参考

到S29AL004D数据表的规格和订购信息。可用性本文档中

换货保留仅供参考，历史的目的。

2005年4月

下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品

AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称

最初开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户

富士通。

规格连续性

没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何

已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在

文档修订概要，其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订

priate ，并更改将记录在修订摘要。

欲了解更多信息

请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息

内存解决方案。

公开号

21606

调整

修订

发行日期

2005年6月7日

这页有意留为空白。

Am29DL400B

4兆位（ 512K的×8位/ 256千×16位）

CMOS 3.0伏只，同时操作闪存

此产品已退休，不建议设计。对于新的和现有的设计， S29AL004D取代Am29DL400B ，是厂家推荐的迁移路径。

请参阅S29AL004D数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考，历史的目的。

特色鲜明

■

同时读/写操作

- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行，

然后立即和同时读出的

从其他银行

- 之间的读取和写入零延迟

操作

- 同时读 - 擦除

- 同时读程序

- 扇区可以被锁定在系统或经由

编程设备

- 临时机构撤消功能允许

在先前锁定行业代码变更

■

顶部或底部启动块CON连接gurations

可用的

■

嵌入式算法

- 嵌入式擦除算法自动

预先计划和擦除扇区或整个芯片

- 嵌入式程序算法自动

在指定地址的程序和数据验证

■

单电源工作

- 2.7到3.6伏读取和写入操作

电池供电应用

■

在0.32微米工艺制造

技术

■

高性能

- 存取时间快70纳秒

■

最低百万编程/擦除周期

每个扇区保证

■

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

■

低电流消耗（典型

在5MHz的值）

- 7毫安有效的读电流

- 21毫安主动读，而程序或读

而擦除电流

- 17毫安活动的程序，而擦除悬

当前

- 200 nA的待机模式

- 200 nA的自动睡眠模式

- 标准的T

芯片使能访问时间适用于

从自动睡眠模式，以积极的转变

模式

■

封装选项

- 44引脚SO

- 48引脚TSOP

■

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件兼容

单电源闪存标准

- 高级无意写保护

■

数据＃查询和翻转位

- 提供检测软件的方法

编程或擦除周期完成

■

灵活的部门架构

- 两个16千字，两个8千字，四4千字，并

在Word模式下6个32千字行业

- 两个32字节， 2字节16 ，四个8字节，并

在字节模式6 64 KB的行业

- 任何部门的结合可以被删除

- 支持整片擦除

■

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃）

- 硬件检测方法的程序或

擦除周期结束

■

擦除暂停/删除恢复

- 暂停或重新开始擦除扇区，使

阅读和编程其他部门

- 无需暂停，如果部门中的其他

银行

■

解锁绕道程序命令

降低了总体规划的时候

发行多个程序的命令序列

■

硬件复位引脚（ RESET ＃）

- 硬件设备重置为方法

读阵列数据

■

扇区保护

- 硬件锁定一个部门的方法

防止任何程序或内部擦除操作

该部门

该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。本数据资料

在随后的版本或修改由于改变技术规范进行修订。

出版＃

21606

启：

Amendment/+4

发行日期：

2005年6月7日

概述

该Am29DL400B是4兆， 3.0伏，只闪光

存储装置中，组织为262,144的字或

524,288字节。该器件采用44引脚SO

和48引脚TSOP封装。该字宽（ X16 ）

数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节宽的（x8）

数据显示在DQ0 - DQ7 。仅此设备需要

一个3.0伏V

供应进行阅读，亲

克和擦除操作。一个标准的EPROM

程序员也可以被用来编程和擦除

该设备。

该标准的设备提供的70％，80存取时间，

90和120纳秒，从而允许高速微处理器

无需等待状态运行。标准控制

引脚芯片使能（ CE ＃），写使能（ WE＃）和

输出使能（ OE ＃） - 控制读写操作

系统蒸发散，避免总线争用问题。

只有一个设备需要

单3.0伏电源

供应

用于读取和写入功能。国内

生成和提供用于调节电压

程序和擦除操作。

通过要求只有两个写周期编程数据

而不是四个。

设备出现擦除通过执行擦除的COM

命令序列。这将启动

嵌入式擦除

算法的内部算法，可以自动

preprograms阵列（如果它尚未亲

编程）执行擦除操作之前。

在擦除，设备会自动倍

擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃

销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6

（切换）

状态位。

编程或擦除周期后，

完毕后，设备会自动重新

轮流读取阵列的数据。

该

扇区擦除架构

允许内存节

器进行擦除和重新编程无线thout

影响到其他部门的数据内容。 DE-的

出厂时，副完全删除。

硬件数据保护

措施包括一个低

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

五金

扇区保护

功能禁用这两个节目

和擦除操作中的仲的任意组合

记忆器。这可以在系统来实现，或

通过编程设备。

该

擦除挂起

特征使用户能够把

清除搁置任何一段时间内读取数据

由，或程序数据，内的任何扇区

未选择擦除银行。真正的后台

地擦除可以由此来实现。没有必要

暂停的擦除操作，如果读出的数据是在

其他银行。

该

硬件RESET ＃引脚

终止所有操作

化的进展，并复位内部状态

机读取阵列的数据。在RESET ＃引脚可

被捆绑到系统复位电路。系统复位

将这样的设备也重新读取阵列

数据，使系统微处理器读

从Flash存储器的引导固件。

该器件提供两种省电功能。当

地址已经稳定一段指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗是很大的重

duced在这两种模式。

AMD的闪存技术，结合多年的闪光

内存制造经验，生产的

喜GHE ST L之四lity ，相对iabi lity和成本evels

有效性。该装置电擦除所有位

通过福勒- Nordheim隧同时一个部门

隧道。该字节编程一个字节或

字在使用热电子注入时间。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

同时操作

通过将所述存储器

空间分成两个组。银行1包含启动/参

之三部门，银行和2组成的大，代码

大小均匀的部门。该装置可提高

通过允许主机系统的整体性能系

统进行编程或擦除一家银行，然后

立即并同时从另一个读

银行，

零延迟。

这将释放系统

从等待完成编程或擦除

操作。

Am29DL400B特点

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序

英格斯。寄存器的内容作为输入到内部

状态机控制的擦除和编程

明电路。写周期也在内部锁存

地址和所需的编程数据和

擦除操作。读出数据的设备是

类似于从其他闪存或EPROM读

设备。

器件编程时通过执行亲

克RA M C M M一N D发E Q ü简权证。牛逼H I的I N I T I一T E S T ^ h ê

嵌入式程序

算法的内部algo-

rithm自动倍的编程脉冲

宽度和验证适当的细胞保证金。该

开锁

绕行

模式有利于更快的编程时间

Am29DL400B

产品选择指南..........................................

框图................................................ .........

连接图.............................................

引脚说明................................................ ........

逻辑................................................符号..........

订购信息..............................................

设备总线操作...........................................

RY / BY ＃：就绪/忙＃ ......................................... ................... 21

DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 22

DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 22

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 22

图6.切换位算法............................................ ............ 23

DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 23

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 23

表6.写操作状态............................................ ......... 24

表1. Am29DL400B设备总线操作................................ 9

................................. 25绝对最大额定值

图7.最大负过冲波形..................... 25

图8.最大正过冲波形....................... 25

字/字节配置.............................................. ............ 9

对于读阵列数据要求..................................... 9

写命令/命令序列.............................. 9

同时读/写操作零

延迟................................................. .................................. 10

待机模式................................................ ........................ 10

自动休眠模式............................................... ............ 10

RESET ＃：硬件复位引脚............................................ ... 10

输出禁止模式............................................... ............... 11

表2. Am29DL400BT热门引导扇区

建筑................................................. .................................... 11

表3. Am29DL400BB底部引导扇区

建筑................................................. .................................... 12

经营范围................................................ 26

直流特性................................................ 27

CMOS兼容................................................ .................. 27

图9.我

CC1

电流与时间（显示主动

和自动休眠电流） ............................................. ......... 28

图10.典型I

CC1

与频率........................................... 28

测试条件................................................ ..... 29

图11.测试设置............................................. ....................... 29

表7.测试规范............................................. .............. 29

关键开关波形.............................................. .... 29

图12.输入波形和测量

各级................................................. ............................................ 29

自选模式................................................ ..................... 12

表4. Am29DL400B自动选择代码（高压法） ..13

扇区保护/ unprotection的.............................................. 13

临时机构撤消............................................... ... 13

图1.临时机构撤消操作........................... 13

图2.在系统部门保护/撤消

算法................................................. ...................................... 14

AC特征................................................三十

只读操作.............................................. ............. 30

图13.读操作时序............................................ ...

图14.复位时序............................................. ..................

图15. BYTE ＃时序进行读操作............................

图16. BYTE ＃时序写操作............................

图17.程序操作时序..........................................

图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................

图19.返回到回读/写周期时序......................

图20.数据＃投票计时（在嵌入式算法）。

图21.触发位计时（在嵌入式算法） ......

图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................

图23.临时机构撤消时序

图................................................. .........................................

图24.部门保护/撤消时序

图................................................. .........................................

硬件数据保护............................................... ....... 15

低VCC写禁止.............................................. .............. 15

写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 15

逻辑禁止................................................ .......................... 15

上电写禁止............................................. ............... 15

命令定义........................................... 15

读阵列数据............................................... ................. 15

复位命令................................................ ..................... 15

自选命令序列............................................ 15

字节/字编程命令序列............................. 16

解锁绕道命令序列..................................... 16

图3.程序操作............................................. ............. 17

备用CE ＃控制的擦除/编程

操作................................................. ............................. 39

图25.备用CE ＃控制的擦除/编程

操作时序................................................ .......................... 40

芯片擦除命令序列........................................... 17

扇区擦除命令序列........................................ 17

擦除暂停/删除恢复命令........................... 18

图4.擦除操作............................................. .................. 19

命令定义........................................... 20

表5. Am29DL400B命令定义................................ 20

写操作状态......................................... 21

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 21

图5.数据＃轮询算法........................................... ........ 21

擦除和编程性能............... 41

闭锁特性....................................... 42

TSOP和SO引脚电容............................ 42

数据保留................................................ ....... 42

物理尺寸* ........................................... 43

TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 43

TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 44

SO 044-44引脚小外形.......................................... ..... 45

修订概要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 46

Am29DL400B

初步

Am29DL400B

4兆位（ 512K的×8位/ 256千×16位）

CMOS 3.0伏只，同时操作闪存

特色鲜明

同时读/写操作

- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行，

然后立即和同时从读

其他银行

读取和写入操作之间的零延迟

- 同时读 - 擦除

- 同时读程序

单电源工作

- 2.7到3.6伏读取和写入操作

电池供电应用

在0.35微米制程技术制造的

高性能

- 存取时间快70纳秒

低电流消耗（典型值

在5 MHz ）

- 7毫安有效的读电流

- 21毫安主动读，而节目或阅读，在─

擦除电流

- 17毫安活动的程序，而擦除悬

当前

- 200 nA的待机模式

- 200 nA的自动睡眠模式

- 标准的T

芯片使能访问时间适用于

从自动睡眠模式，以积极的转变

模式

灵活的部门架构

- 两个16千字，两个8千字，四4千字，并

在Word模式下6个32千字行业

- 两个32字节， 2字节16 ，四个8字节，并

在字节模式6 64 KB的行业

- 任何部门的结合可以被删除

- 支持整片擦除

解锁绕道程序命令

降低了总体规划的时候

发行多个程序的命令序列

扇区保护

- 硬件锁定的扇区，以防止方法

在任何编程或擦除操作

扇形

- 扇区可以被锁定在系统或经由

编程设备

- 临时机构撤消功能允许代码

改变先前锁定行业

顶部或底部启动块CON连接gurations

可用的

嵌入式算法

- 嵌入式擦除算法自动

预先计划和擦除扇区或整个芯片

- 嵌入式程序算法自动

在指定地址的程序和数据验证

最低百万编程/擦除周期

每个扇区保证

封装选项

- 44引脚SO

- 48引脚TSOP

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件兼容

单电源闪存标准

- 高级无意写保护

数据＃查询和翻转位

- 提供检测软件的方法

编程或擦除周期完成

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃）

- 硬件检测方法的程序或

擦除周期结束

擦除暂停/删除恢复

- 暂停或重新开始擦除扇区，使

阅读和编程其他部门

- 无需暂停，如果部门是在其他银行

硬件复位引脚（ RESET ＃）

- 硬件设备重置为方法

读阵列数据

出版＃

21606

启：

Amendment/0

发行日期：

1998年4月

P L I M I N A R

概述

该Am29DL400B是4兆， 3.0伏，只闪光

存储装置中，组织为262,144的字或

524,288字节。该器件采用44引脚SO和

48引脚TSOP封装。该字宽（ X16 ）的数据AP-

梨在DQ0 - DQ15 ;出现的字节宽的（x8）数据

在DQ0 - DQ7 。这个设备只需要一个3.0

伏V

供应进行读取，编程和擦除

操作。一个标准的EPROM编程器还可以

用来编程和擦除设备。

该标准的设备提供的70次，80次90次访问，

和120纳秒，允许高速微处理器

操作无需等待。标准控制插脚式

芯片使能（CE ＃），写使能（WE ＃），并输出烯

能（OE ＃）， - 控制读写操作，并

防止总线争用问题。

只有一个设备需要

单3.0伏电源支持

股

用于读取和写入功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。

设备出现擦除通过执行擦除的COM

命令序列。这将启动

嵌入式擦除

算法的内部算法，可以自动

preprograms阵列（如果它尚未被编程）

前执行擦除操作。在擦除时，

设备自动倍擦除脉冲宽度和

验证正确的电池余量。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃

销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6

（切换）

状态位。

经过编程或擦除周期有

完毕后，该装置自动返回到

读阵列数据。

该

扇区擦除架构

让内存部门

要被擦除和重新编程，而不会影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以在系统或通过编程来实现

明装。

该

擦除挂起

特征使用户能够把

清除搁置任何一段时间内读取数据，

或程序的数据，该组，该内的任何扇区

未选择删除。真正的背景擦除即可

由此来实现。没有必要暂停

擦除操作，如果读出的数据是在另一组。

该

硬件RESET ＃引脚

终止任何操作

在进行中，内部状态机复位到

读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到

系统复位电路。因此，一个系统复位也会

该装置复位到读阵列数据，从而使系

TEM微处理器读取来自引导固件

闪速存储器。

该器件提供两种省电功能。当AD-

连衣裙一直稳定为指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机

模式。

功率消耗在两个大减

这些模式。

AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的

储器制造经验，生产的最高

质量，可靠性和成本效益的水平。该

装置电擦除一个扇区内的所有位simulta-

通过neously福勒- Nordheim隧穿。该字节

编程的一个字节或字的时间使用热elec-

tron的注入。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

SI-

multaneous操作

通过将所述存储器空间

到两家银行。银行1包含启动/参数节

器，和银行2由大，码单向部门

窗体大小。该装置可提高整个系统的

通过允许主机系统进行编程性能或

擦除一家银行，然后立即和同步对

从其他银行ously阅读，与

零延迟。

这

从等待完成发行制度

编程或擦除操作。

Am29DL400B特点

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。

寄存器的内容作为输入到一个内部状态

机，它控制了擦除和编程

电路。写周期内部也锁存地址

而所需的编程和擦除数据

操作。读数据从器件中是类似

读取其他闪存或EPROM器件。

器件编程时通过执行程序

命令序列。这将启动

嵌入式

节目

算法的内部算法，自动

matically次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。该

解锁绕道

模式设施

大老通过要求只有两个更快的编程时间

写周期编程数据，而不是四个。

Am29DL400B

P L I M I N A R

产品选择指南

系列型号

速度选项（全电压范围： V

= 2.7 – 3.6 V)

最大访问时间（纳秒）

CE＃访问（ NS ）

OE ＃访问（ NS ）

-70

Am29DL400B

-80

-90

-120

120

注意：

请参阅“ AC特性”规格全。

框图

OE ＃ BYTE ＃

y解码器

A0–A17

上银行地址

上银行

锁存器和控制逻辑

RY / BY ＃

A0–A17

RESET＃

WE＃

CE＃

BYTE ＃

DQ0–DQ15

A0–A17

状态

控制

＆放大器;

命令

状态

X解码器

DQ0–DQ15

A0–A17

DQ0–DQ15

控制

DQ0–DQ15

X解码器

较低的银行

A0–A17

较低的银行地址

OE ＃ BYTE ＃

锁存器和

控制逻辑

y解码器

21606C-1

Am29DL400B

P L I M I N A R

连接图

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

RESET＃

RY / BY ＃

A17

A16

BYTE ＃

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

CE＃

标准TSOP

A16

BYTE ＃

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

CE＃

反向TSOP

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

RESET＃

RY / BY ＃

A17

21606C-2

Am29DL400B

P L I M I N A R

连接图

RY / BY ＃

A17

CE＃

OE ＃

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

DQ3

DQ11

RESET＃

WE＃

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

BYTE ＃

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

21606C-3

Am29DL400B