超前信息
Am29DL322C/Am29DL323C
32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位）
CMOS 3.0伏只，同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
s
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行。
读取和写入操作之间的零延迟
s
多个银行的体系结构
- 提供两种器件具有不同大小的银行（参考
到表3）
s
SecSi （安全硅）行业：额外64 K字节
扇形
—
工厂锁定和识别：
适用于16字节
安全的，随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
—
客户可锁定：
可以读取，编程，或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定，数据
不能改变
s
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
s
封装选项
- 63球FBGA
56引脚SSOP
- 48引脚TSOP
s
顶部或底部启动块
s
在0.32微米制程技术制造的
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
s
高性能
- 存取时间快90纳秒
- 计划时间： 7微秒/字典型的利用加速
功能
s
超低功耗（典型值）
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
s
每次保证至少1百万次写周期
扇形
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
s
数据管理软件（ DMS ）
- AMD公司提供的软件管理数据编程，
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
s
支持通用闪存接口（ CFI ）
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使编程
同一家银行
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
s
任何部门的结合可以被删除
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
硬件复位内部状态的方法
机读方式
s
WP ＃ / ACC输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护2
最外层的引导扇区，无论部门保护
状态
- 加速度（ ACC ）功能提供加速
节目时间
s
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法，无论是
在系统或使用编程设备，以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
21534
启：
C
Amendment/+1
发行日期：
1999年1月
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29DL322C / Am29DL323C系列包括
32兆位，3.0伏，只有快闪存储器装置，奥尔加
认列之为16位或每个4,194,304 2,097,152字
每个8位字节。字模式数据出现在
DQ0 - DQ15 ;字节模式数据显示在DQ0 - DQ7 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应，并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该装置可具有90或接入时间
120纳秒。该器件采用56引脚SSOP提供，
48引脚TSOP和63球FBGA封装。标准
控制引脚芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，
和输出使能（ OE ＃ ） - 控制正常读取和
写操作，避免总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
其他闪存部门，也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS （数据管理软件）
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化，因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能，
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段（一个电话号码或
的配置数据，例如）时，用户只需要
到状态这一段数据要被更新，并
其中，在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosys TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置，状态，逻辑到物理转换
数据到闪存装置（或存储器DE-
虎钳） ，等等。使用DMS ，用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是，用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件，以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过使用该设备
台站
状态位：
RY / BY ＃引脚， DQ7 （数据＃投票）和
DQ6 / DQ2 （触发位） 。编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置自动返回
为读模式。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克，或立刻键和Si-擦除一家银行，然后
从其他银行multaneously读，零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL16xC器件系列采用多个银行
架构提供灵活性，为不同的应用
系统蒸发散。两个器件都具有以下
银行尺寸：
设备
DL322
DL323
银行1
4
8
2银行
28
24
Am29DL322C / Am29DL323C特点
该
SecSi （安全硅）行业
是一个额外的64千
部门能够被永久锁定AMD
或客户。该
SecSi标志位
（ DQ7 ）是per-
manently设置为1，如果该部件是
工厂锁定，
和
设置为0，如果
客户可锁定。
这样一来，顾客
可锁定的部件不能被用来代替一个工厂
锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的，随机的16字节
ESN （电子序列号） ，客户代码（亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务） ，或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间，读，写像任何
Am29DL322C/Am29DL323C
2
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