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Am29DL322D/323D/324D
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
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订购零件编号的连续性
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欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
21534
调整
D
修订
+6
发行日期
2003年6月10日
Am29DL322D/323D/324D
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行。
读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 可提供不同大小的银行三大设备
(参见表3 )
SecSi (安全硅)行业
- 当前版本的设备有64个字节;未来
版本将有256个字节
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
封装选项
- 63球FBGA
- 48引脚TSOP
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每次保证至少1百万次写周期
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
21534
启:
D
Amendment/+6
发行日期:
2003年6月10日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL322D / 323D / 324D系列包括
32兆位,3.0伏,只有快闪存储器装置,奥尔加
认列之为16位或每个4,194,304 2,097,152字
每个8位字节。字模式数据出现在
DQ0 - DQ15 ;字节模式数据显示在DQ0 - DQ7 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件可为70时的访问时间,
90或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP
和63球FBGA封装。标准控制
引脚芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
把使能( OE # ) - 控制正常的读写能操作
ations ,避免总线争用问题。
该设备只需要一
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
是一个优点相比,系统,其中
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克,或立刻键和Si-擦除一家银行,然后
从其他银行multaneously读,零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL32xD器件系列采用多个银行
架构提供灵活性,为不同的应用
系统蒸发散。三个器件都具有以下
银行尺寸:
设备
DL322
DL323
DL324
银行1
4
8
16
2银行
28
24
16
Am29DL322D / 323D / 324D特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的扇区
能够被永久锁定, AMD或客
tomers 。该
SecSi标志位
( DQ7 )是perma-
nently设置为1,如果该部件是
工厂锁定,
和SET
到0,如果
客户可锁定。
这样一来,顾客锁相
能部件不能被用来代替一个工厂
锁定的一部分。
当前版本设备的有64个
千字节;未来的版本将只有256个字节。
这应该系统设计时加以考虑。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
2
Am29DL322D/323D/324D
2003年6月10日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.......................... 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
字/字节配置.............................................. .................. 8
对于读阵列数据........................................... 8要求
写命令/命令序列.................................... 9
同时读/写操作
零延迟............................................... ............................ 9
待机模式................................................ ................................ 9
自动休眠模式............................................... .................... 9
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 10
输出禁止模式............................................... .................... 10
自选模式................................................ .......................... 15
部门/部门块保护和unprotection的........................ 16
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 17
临时机构撤消............................................... ......... 17
图1.临时机构撤消操作................................. 17
图2.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ............. 18
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 29
图6.切换位算法............................................ .................. 29
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 30
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 30
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图7.最大负过冲波形............................. 32
图8.最大正过冲波形.............................. 32
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ...................... 34
图10.典型I
CC1
与频率............................................... .... 34
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图11.测试设置............................................. ............................. 35
图12.输入波形和测量水平........................ 35
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图13.读操作时序............................................ .......... 36
图14.复位时序............................................. ......................... 37
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 38
图15. BYTE #时序进行读操作.................................. 38
图16. BYTE #时序写操作.................................. 38
擦除和编程操作.............................................. ..... 39
图17.程序操作时序............................................ ....
图18.加速程序时序图................................
图19.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图20.返回到后端的读/写周期时序.............................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
40
40
41
42
42
43
43
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ................... 19
硬件数据保护............................................... ............. 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
读阵列数据............................................... ....................... 22
复位命令................................................ .......................... 23
自选命令序列............................................... ... 23
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ ................... 23
字节/字编程命令序列................................... 23
图3.程序操作............................................. ................... 24
临时机构撤消............................................... ......... 44
图24.临时机构撤消时序图..................... 44
图25.行业/部门块保护和撤消时序图45
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 46
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 47
芯片擦除命令序列.............................................. ... 24
扇区擦除命令序列.............................................. 25
擦除暂停/删除恢复命令................................ 25
图4.擦除操作............................................. ........................ 26
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 28
图5.数据#轮询算法........................................... .............. 28
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
FBD063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 8 ×14毫米。 49
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ....... 50
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 29
2003年6月10日
Am29DL322D/323D/324D
3
产品选择指南
产品型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
稳压电压范围: V
CC
= 3.0–3.6 V
标准电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
70
70
30
Am29DL322D/323D/324D
70R
90
90
90
40
120
120
120
50
框图
OE # BYTE #
V
CC
V
SS
y解码器
A20–A0
上银行地址
上银行
锁存器和控制逻辑
RY / BY #
A20–A0
RESET#
WE#
CE#
BYTE #
WP # / ACC
DQ15–DQ0
A20–A0
状态
控制
&放大器;
命令
注册
X解码器
状态
DQ15–DQ0
控制
DQ15–DQ0
X解码器
较低的银行
A20–A0
较低的银行地址
OE # BYTE #
4
Am29DL322D/323D/324D
锁存器和
控制逻辑
y解码器
DQ15–DQ0
A20–A0
2003年6月10日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AM29DL322DT90
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