Am29BL802C
已知合格芯片
数据表
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规格连续性
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订购零件编号的连续性
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欲了解更多信息
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补充
Am29BL802C已知合格芯片
8兆位（ 512K的×16位）
CMOS 3.0伏只，连拍模式，引导扇区闪存裸片修订版1
特色鲜明
s
32个字的顺序与回绕（线性
32 ） ，底部启动
s
一个8千字，两个4千字，一是48 K字，三
64千字，以及两个128千字行业
s
单电源工作
- 稳压电压范围： 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
读取访问时间
22 ns的突发存取时
扩展级温度范围
80 ns的初始/随机访问
s
通过BAA ＃引脚可变脉冲长度
s
功耗（典型值）
- 突发模式阅读：15毫安， 25兆赫，
20毫安@ 33MHz的25毫安， 40兆赫
- 编程/擦除： 20毫安
- 待机模式下， CMOS ： 22 μA
s
承受5V电压数据，地址和控制信号
s
扇区保护
- 使用在系统或通过实施
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最少100,000次擦除周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
- 与AMD Am29LV和向后兼容
Am29F闪存：权力在
异步模式系统启动，但可以
立即被置于突发模式
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
s
经测试数据表规格的
温度
s
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
出版＃
23694
启：
A
Amendment/+2
发行日期：
2002年9月13日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片的Am29BL802C （ KGD ）的形式是
8兆位， 3.0伏只闪存。 AMD定义
KGD作为标准产品裸片形式，测试功能 -
先进而精湛和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
Am29BL802C特点
该Am29BL802C是8兆， 3.0伏只爆
组织为524模式闪存芯片， 288
话。这些装置被设计成被编程
在系统与标准系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
或5.0 V
CC
不要求
编程或擦除操作。该装置也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件提供80 ns的存取时间，使
高速微处理器无需等待操作
状态。为了消除总线争用该设备具有sep-
独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
突发模式功能
该Am29BL802C提供了一个线性突发模式一
32字顺序突发周围，在一个包裹
底部启动配置而已。该设备需要
额外的控制引脚
爆操作：
负载
突发地址（ LBA ＃ ） ，突发地址进展
（ BAA ＃ ）和时钟（CLK） 。这种实现允许
易于接口以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器高perfor-
曼斯读操作。
AMD的闪存产品特点
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。在I / O和控制
信号5V的电压。
该Am29BL802C完全是命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
电气规格
请参考Am29BL802C数据表，出版
号码22371 ，完整的电气规范上
Am29BL802C在KGD形式。
2
Am29BL802C已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
AC特性
突发模式读
参数
JEDEC
标准。
t
IACC
描述
初次访问时间
LBA ＃有效的时钟到输出延迟
（见注）
突发访问时间
BAA ＃有效的时钟到输出延迟
LBA ＃建立时间
LBA ＃保持时间
BAA ＃建立时间
BAA ＃保持时间
数据保持时间从下一个时钟周期
地址建立时间CLK
（见注）
地址保持时间从CLK
（见注）
输出使能到输出有效
输出使能到输出高Z
芯片使能到输出高Z
CE＃建立时间时钟
最大
80
ns
速度选择和温度
范围
80R
单位
t
BACC
t
LBAS
t
LBAH
t
BAAS
t
巴阿
t
BDH
t
ACS
t
ACH
t
OE
t
OEZ
t
CEZ
t
CES
最大
民
民
民
民
最大
民
民
最大
最大
民
民
24
6
2
6
2
4
6
2
24
25
25
6
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
初始有效的数据将是以后的LBA ＃断言第二个时钟上升沿输出。
4
Am29BL802C已知合格芯片
QQ：2880707522 复制
