Am29BL162C
已知合格芯片
数据表
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规格连续性
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订购零件编号的连续性
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欲了解更多信息
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的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片的Am29BL162C （ KGD ）的形式是
16兆位， 3.0伏，只有闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
以质量为AMD的产品包装形式。
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
Am29BL162C特点
该Am29BL162C组织为1,048,576字。它
被设计成在系统编程与标
达尔德系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
或5.0
V
CC
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供80 ns的存取时间，使高
高速微处理器无需等待状态运行。
为了消除总线争用的设备有不同的
芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
突发模式功能
该Am29BL162C提供了一个线性突发模式一
32字顺序突发周围，在一个包裹
底部启动配置而已。该设备需要
额外的控制引脚
爆操作：
负载
突发地址（ LBA ＃ ） ，突发地址进展
（ BAA ＃ ）和时钟（CLK） 。这种实现允许
易于接口以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器高perfor-
曼斯读操作。
AMD的闪存产品特点
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。在I / O和控制
信号5V的电压。
该Am29BL162C完全是命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
电气规格
请参考Am29BL162C数据表，出版
号码22142 ，完整的电气规范上
Am29BL162C在KGD形式。
2
Am29BL162C已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
AC特性
突发模式读
速度选项，
温度范围
参数
JEDEC
标准。
t
IACC
t
BACC
t
LBAS
t
LBAH
t
BAAS
t
巴阿
t
BDH
t
ACS
t
ACH
t
OE
t
OEZ
t
CEZ
t
CES
初次访问时间
LBA ＃有效的时钟到输出延迟（见注）
突发访问时间
BAA ＃有效的时钟到输出延迟
LBA ＃建立时间
LBA ＃保持时间
BAA ＃建立时间
BAA ＃保持时间
数据保持时间从下一个时钟周期
地址建立时间CLK
（见注）
地址保持时间从CLK
（见注）
输出使能到输出有效
输出使能到输出高Z
芯片使能到输出高Z
CE＃建立时间时钟
最大
描述
80R
80
单位
ns
最大
民
民
民
民
最大
民
民
最大
最大
民
民
24
6
2
6
2
4
6
2
24
25
25
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
初始有效的数据将是以后的LBA ＃断言第二个时钟上升沿输出。
4
Am29BL162C已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片的Am29BL162C （ KGD ）的形式是
16兆位， 3.0伏，只有闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
以质量为AMD的产品包装形式。
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
Am29BL162C特点
该Am29BL162C组织为1,048,576字。它
被设计成在系统编程与标
达尔德系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
或5.0
V
CC
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供80 ns的存取时间，使高
高速微处理器无需等待状态运行。
为了消除总线争用的设备有不同的
芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
突发模式功能
该Am29BL162C提供了一个线性突发模式一
32字顺序突发周围，在一个包裹
底部启动配置而已。该设备需要
额外的控制引脚
爆操作：
负载
突发地址（ LBA ＃ ） ，突发地址进展
（ BAA ＃ ）和时钟（CLK） 。这种实现允许
易于接口以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器高perfor-
曼斯读操作。
AMD的闪存产品特点
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。在I / O和控制
信号5V的电压。
该Am29BL162C完全是命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
电气规格
请参考Am29BL162C数据表，出版
号码22142 ，完整的电气规范上
Am29BL162C在KGD形式。
2
Am29BL162C已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
AC特性
突发模式读
速度选项，
温度范围
参数
JEDEC
标准。
t
IACC
t
BACC
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t
BAAS
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巴阿
t
BDH
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ACS
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t
CES
初次访问时间
LBA ＃有效的时钟到输出延迟（见注）
突发访问时间
BAA ＃有效的时钟到输出延迟
LBA ＃建立时间
LBA ＃保持时间
BAA ＃建立时间
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数据保持时间从下一个时钟周期
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（见注）
地址保持时间从CLK
（见注）
输出使能到输出有效
输出使能到输出高Z
芯片使能到输出高Z
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Am29BL162C已知合格芯片
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