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初步
Am29BDS643D
64兆位(4M ×16位)
CMOS 1.8伏只同步读/写,突发模式闪存
特色鲜明
s
单1.8伏读取,编程和擦除( 1.7
1.9伏)
s
复用的数据和地址的减少了I / O
- A0 -A15复用为D0 -D15
- 地址被锁存AVD #控制输入
而CE #低
s
同时读/写操作
数据可以连续地从一个存储读
在执行擦除/编程功能等
银行
读取和写入操作之间的零延迟
s
读存取时间为54兆赫/ 40 MHz的
- 13.5 / 20纳秒@ 30 pF的突发访问时间
在工业级温度范围
- 异步随机存取时间
对90/90 NS @ 30 pF的
- 同步随机存取时间
的一百二十分之一百零六NS @ 30 pF的
s
突发长度
- 连续线性爆
s
功耗(典型值, 8位
开关,C
L
= 30 pF的)
- 突发模式阅读: 25毫安
- 同步操作: 40毫安
- 编程/擦除: 15毫安
- 待机模式: 0.2 μA
s
部门架构
- 八4千字部门和百
27 32千字行业
- 银行A包含8个4千字部门和
31 32 K字部门
- 银行B包含96 32千字行业
s
扇区保护
- 软件命令锁业
- WP #保护的最后两个引导扇区
- 所有行业锁定在V
PP
= V
IL
s
握手功能
- 提供主机系统以最小的可能
通过监控RDY延迟
s
软件指令集兼容JEDEC
42.4标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
s
最低百万擦除周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程和擦除操作完成
s
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
s
CMOS兼容输入, CMOS兼容
输出
s
低V
CC
写禁止
s
48球FBGA封装
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
23709
启:
A
Amendment/+3
发行日期:
2000年12月21日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29BDS643是64兆, 1.8伏只,请同时
neous读/写,突发模式闪存芯片,
组织为每个16位4,194,304字。这
设备使用单个V
CC
1.7 1.9 V读,亲
克,和擦除存储器阵列。 12.0伏V
PP
可用于更快的程序的性能,如果需要的。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
在40 MHz时, Am29BDS643提供突发访问
20 ns的30 pF的具有120 ns的初始访问时间
30 pF的。在54 MHz时, Am29BDS643提供了一阵
的13.5毫微秒的访问,在30 pF的与初始的访问时间
106 ns的30 pF的。设备中的行业内运行
试验温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。该装置
在48球FBGA封装提供。
系统蒸发散。对于突发业务,该装置还
需要省电( PS ) ,就绪( RDY ) ,和时钟
(CLK) 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑的广泛microproces-的
理器/微控制器的高性能读操作
系统蒸发散。
该器件提供了与完整的兼容性
42.4 JEDEC单电源闪存命令
一套标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
土族位
DQ7 (数据#投票)和DQ6 / DQ2 (切换
位)。经过编程或擦除周期一直的COM
完成之后,那位设备会自动返回到阅读
阵列的数据。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该器件还提供了
三种类型在部门级的数据保护。该
部门锁定/解锁命令序列
禁用或
重新启用这两个程序在任何擦除操作
部门。当在V
IL
,
WP #
锁定最外边的两个节
器。最后,当
V
PP
是V
IL
,所有部门都被锁定。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克,或立刻键和Si-擦除一家银行,然后
从其他银行multaneously读,零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该装置被划分为列于下表中:
A银行部门
QUANTITY
8
31
SIZE
4 K字
96
32 K字
48兆位总
16兆位总
32 K字
B银行部门
QUANTITY
SIZE
该设备采用芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# ) ,地址有效( AVD # )和输出使能
( OE # )控制异步读取和写入操作
2
Am29BDS643D
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图
同时运算电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊处理的说明FBGA封装.................... 6
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作............................................ .......... 9
图3.数据#投票算法........................................... ....... 23
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 24
图4.切换位算法............................................ ............ 24
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 25
表5. DQ6和DQ2主治........................................... ..... 25
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 25
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 25
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 26
表6.写操作状态............................................ ......... 26
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图5.最大负过冲波形...................... 27
图6.最大正过冲波形........................ 27
对于异步读取操作(非连拍) 9需求
为同步(突发)读操作.......... 9需求
可编程等待状态............................................... ....... 10
握手................................................. .......................... 10
节电功能............................................... ............ 10
同时读/写操作零延迟....... 10
写命令/命令序列............................ 10
加快程序运行............................................. 11
自选功能................................................ .............. 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位输入............................................ 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
硬件数据保护............................................... ....... 12
低VCC写禁止.............................................. .............. 12
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 12
逻辑禁止................................................ .......................... 12
表2扇区地址表............................................ ............ 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图7.测试设置............................................. .......................... 29
表7.测试规范............................................. .............. 29
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图8.输入波形和测量水平................... 29
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
同步/突发读.............................................. .......... 30
图9.突发模式阅读( 54兆赫) ........................................ .... 30
图10.突发模式阅读( 40兆赫) ........................................ .. 31
异步读取................................................ ............... 32
图11.异步模式读取............................................ 32
图12.复位时序............................................. .................. 33
擦除/编程操作.............................................. ....... 34
图13.程序操作时序..........................................
图14.芯片/扇区擦除操作......................................
图15.加速解锁绕道编程时序........
图16.数据#投票计时(在嵌入式算法) ..
图17.触发位计时(在嵌入式算法) ........
图18.延时与口岸..................................
图19.与节能初始访问( PS )
功能和地址边界延迟......................................
五图20.示例等待状态插入
(非握手设备) ............................................ ................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
35
36
37
38
38
39
40
41
42
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
读阵列数据............................................... ................. 17
设置等待状态的命令序列...................................... 17
表3.第三循环地址/数据.......................................... ....... 17
握手................................................. .......................... 17
启用PS (省电)模式命令序列........ 17
部门锁定/解锁命令序列.............................. 17
复位命令................................................ ..................... 18
自选命令序列............................................ 18
程序命令序列............................................... 18
解锁绕道命令序列..................................... 18
图1.程序运行............................................. ............. 19
芯片擦除命令序列........................................... 19
扇区擦除命令序列........................................ 20
擦除暂停/删除恢复命令........................... 20
图2.擦除操作............................................. .................. 21
命令定义................................................ ............. 22
表4.命令定义............................................. .......... 22
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 23
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 43
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
物理尺寸* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
FDE048-48引脚细间距球栅阵列( FBGA )
11 ×10毫米封装............................................. ................ 44
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
版本A( 2000年6月20日) .......................................... .......... 46
版本A + 1 ( 2000年11月27日) ....................................... 46
版本A + 2 ( 2000年11月30日) ....................................... 46
版本A + 3 ( 2000年12月21日) ....................................... 46
Am29BDS643D
3
P L I M I N A R
产品选择指南
Am29BDS643D
产品型号
同步/连拍
速度选项
最大初始访问时间, NS (T
IACC
)
V
CC
= 1.7 – 1.9 V
最大突发访问时间, NS (T
BACC
)
最大OE #访问, NS (T
OE
)
9A
9B
( 40兆赫) ( 54兆赫)
120
20
20
106
13.5
20
异步
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问, NS (T
CE
)
最大OE #访问, NS (T
OE
)
9A,
9B
90
90
35
框图
V
CC
V
SS
RDY
卜FF器
RDY
擦除电压
发电机
PS
A/DQ0
A/DQ15
PS缓冲区
输入/输出
缓冲器
WE#
RESET#
V
PP
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
数据
LATCH
CE#
OE #
y解码器
定时器
地址锁存
V
CC
探测器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
AVD #
CLK
BURST
状态
控制
BURST
地址
计数器
A0–A21
A/DQ0–A/DQ15
A16–A21
4
Am29BDS643D
P L I M I N A R
框图
同时操作电路
V
CC
V
SS
OE #
y解码器
A0–A21
上银行地址
上银行
锁存器和控制逻辑
A0–A21
RESET#
WE#
CE#
AVD #
DQ0–DQ15
A0–A21
状态
控制
&放大器;
命令
注册
状态
X解码器
DQ0–DQ15
A0–A21
DQ0–DQ15
控制
DQ0–DQ15
X解码器
较低的银行
A0–A21
较低的银行地址
注意:
A0 -A15复用DQ0 - DQ15 。
Am29BDS643D
锁存器和
控制逻辑
y解码器
5
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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