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Am29BDS128H/Am29BDS640H
数据表
(
RETIRED
产品
( AM29BDS40H ONLY)
该Am29BDS640H已经退休,不建议设计。对于新的设计,
S29WS064K取代Am29BDS640H 。请参阅S29WS -K系列数据表试样
fications和订购信息。该Am29BDS128H可用,并且不影响此修订版
锡永。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,和变化
注意在修改摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持Am29BDS640H部件号。订购此类产品,请
只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
27024
调整
B
修订
3
发行日期
2006年5月10日
这页有意留为空白。
数据表
Am29BDS128H/Am29BDS640H
128或64兆比特( 8 M或4米×16位)
CMOS 1.8伏只同步读/写,突发模式闪存
该Am29BDS640H已经退休,不建议设计。对于新的设计, S29WS064K取代Am29BDS640H 。请参阅S29WS -K系列数据手册
规格和订购信息。该Am29BDS128H可用,并且不受此版本。
特色鲜明
架构优势
单1.8伏读取,编程和擦除( 1.65 1.95伏)
在0.13微米制程技术制造的
VersatileIO (V
IO
)功能
- 设备产生的数据输出电压和容忍数据
输入电压通过在V的电压来确定
IO
- 1.8V兼容I / O信号
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构:
128 Mb的有16/48/48/16兆位银行
64 Mb的有8/24/24/8兆位银行
可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发: 8 , 16 ,和32个字与环绕
- 连续顺序突发
SecSi
TM
(安全硅)扇形区域
- 最多可以访问128个字,通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户,可锁定的话
部门架构
- 银行A和D分别包含两个4千字部门和32
千字部门;银行B和C含有96 32 K字
扇区
- 16个4千字引导扇区
引导扇区是在该地址范围内的顶部的前半部分。
一半是在地址范围的底部
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
80球FBGA封装( 128 MB)或64球FBGA ( 64 MB)
硬件特性
握手功能
- 提供主机系统与最小可能延迟
监测RDY
- 减少等待状态握手选项进一步减少
所需的初始突发访问存取周期开始的
即使地址
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列数据
WP #输入
- 写保护( WP # )功能允许保护的四个
最高和最低的4 4千字引导扇区,无论
部门保护状态
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护法锁定的组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
ACC输入:加速功能减少编程
时间;各界锁定时, ACC = V
IL
CMOS兼容输入, CMOS兼容输出
低V
CC
写禁止
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV家庭向后兼容
数据#查询和翻转位
- 提供的检测程序和擦除软件的方法
操作完成
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取或程序数据
数据,一个没有被擦除扇区,然后重新开始
擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
突发暂停/恢复
- 挂起一阵操作,让系统使用
地址和数据总线,比重新开始脉冲串的前一
状态
出版#
27024
启:
B
修订:
3
发行日期:
2006年5月10日
性能退化特征
读访问时间为75/66/54兆赫(C
L
= 30 pF的)
- 9.3 / 11 / 13.5纳秒的工业突发访问时间
温度范围
- 同步的49/56/69 ns的延迟
- 的45/50/55纳秒异步随机存取时间
功耗(典型值,C
L
= 30 pF的)
- 突发模式阅读: 10毫安
- 同步操作: 25毫安
- 编程/擦除: 15毫安
- 待机模式: 0.2 μA
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29BDS128H / Am29BDS640H是128或64兆比特, 1.8
伏只,同时进行读/写,突发模式闪存存储器
储器设备,组织成16 8,388,608 4,194,304或单词
每个位。该器件采用单V
CC
1.65 1.95 V至
读取,编程和擦除的存储器阵列。 12.0伏V
HH
在ACC可用于更快的程序的性能,如果DE-
sired 。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
在75兆赫,该装置提供的9.3纳秒,在一个脉冲串存取
30 pF的具有49 ns的30 pF的延迟。在66兆赫时,设备
提供11 ns的30 pF的突发访问与等待时间
56 ns的30 pF的。在54 MHz时,该设备提供了一阵AC-
13.5 ns的塞斯在30 pF的有69ns的30 pF的延迟。该
器件的工业温度范围内工作
-40 ° C至+ 85°C 。该器件采用FBGA封装。
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储空间分成四个
银行。该装置可提高整个系统的性能
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行
然后立即和同时从另一个读
银行,零延迟。这将释放系统从状态等待
荷兰国际集团为完成编程或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中:
QUANTITY
银行
A
31
B
C
D
8
8
4 K字
96
96
31
15
48
48
15
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
128 MB
8
64 MB
8
SIZE
4 K字
时钟极性功能提供系统设计师一个
选择的时钟边沿,无论是上升或下降。在AC-
略去时钟边沿启动突发访问,并确定
当数据将被输出。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
硬件RESET #引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET #引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备,
使系统微处理器读取启动时固件内
洁具从闪存设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成使用设备状态位DQ7
(数据#投票)和DQ6 / DQ2 (触发位) 。一个程序后,
或擦除周期已经自动完成,设备
返回到读出阵列的数据。
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该器件还提供了两种类型的数据
在保护区一级。当在V
IL
,
WP #
锁定
4最高和最低的4引导扇区。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在两种模式下大大降低。
AMD闪存技术结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
该VersatileIO (V
IO
)控制允许主机系统设置
的电压电平,该装置产生在其数据输出
看跌期权和电压耐受在其数据输入端为相同的
被断言在V的电压电平
IO
引脚。
该设备采用芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# ) ,
地址有效( AVD #)和输出使能( OE # )控制
异步读,写操作。对于突发操作
系统蒸发散,该装置还需要准备好( RDY )和
时钟(CLK) 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/微
控制器,用于高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员使用灵活
两者均在接口设备。用户可以预设
脉冲串的长度和包裹通过相同的内存空间,或
读在连续模式中的闪存阵列。
2
Am29BDS128H/Am29BDS640H
27024B3 2006年5月10日
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
同时框图
运算电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................... 8
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1.设备总线操作............................................ ........ 11
低V
CC
写禁止................................................ .............. 24
写脉冲“毛刺”保护............................................ .... 24
逻辑禁止................................................ .......................... 24
上电写禁止............................................. ............... 24
表8. CFI查询标识字符串......................................... 24
表9.系统接口字符串............................................ ........ 25
表10.设备几何定义........................................... 25
表11.主要供应商特定的扩展查询..................... 26
表12. Am29BDS128H扇区地址表.......................... 27
表13. Am29BDS640H扇区地址表.......................... 31
异步读取要求
运营(非连拍) ............................................ ................ 11
为同步(突发)读操作........ 11的要求
8,16和32字的线性突发与周围环绕............ 12
表2.突发地址组............................................ ........... 12
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
读阵列数据............................................... ................. 33
设置配置寄存器命令序列................... 33
图3.同步/异步状态图................... 33
阅读模式设置............................................... .................. 33
可编程的等待状态配置................................ 33
表14.可编程等待状态设置................................ 34
突发挂起/恢复.............................................. ............ 12
配置寄存器................................................ ............ 13
减少等待状态握手选项.............................. 13
同时读/写操作零延迟....... 13
写命令/命令序列............................ 13
加快程序运行............................................. 14
自选模式................................................ ..................... 14
表3.自选代码(高压法) ........................ 15
表4. Am29BDS128H引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 16
表5. Am29BDS640H引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 17
减少等待状态握手选项............................... 34
表15.等待状态精简等待状态握手........ 34
标准的握手选项............................................... 35
表16.等待状态为标准握手.......................... 35
阅读模式配置............................................... ........ 35
表17.阅读模式设置............................................ ........... 35
突发有效时钟边沿配置................................... 35
RDY配置................................................ .................. 35
表18.配置寄存器............................................. ...... 36
复位命令................................................ ..................... 36
自选命令序列............................................ 36
表19.自动选择数据............................................. ................. 37
部门/部门块保护和unprotection的.................. 17
扇区保护................................................ .................... 17
选择一个扇区保护模式....................................... 17
持久扇区保护............................................... .... 18
持久保护位( PPB ) ............................................ ... 18
持久保护位锁定( PPB锁) ............................. 18
动态保护位( DYB ) ............................................ .... 18
表6.扇区保护计划............................................ ... 19
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 37
程序命令序列............................................... 37
解锁绕道命令序列..................................... 37
图4.程序运行............................................. ............ 38
持久扇区保护模式锁定位...................... 19
密码保护模式............................................... ...... 19
密码和密码模式锁定位........................... 20
64位密码.............................................. ........................ 20
持久保护位锁定.............................................. ... 20
高压扇区保护.............................................. 20
待机模式................................................ ........................ 20
自动休眠模式............................................... ............ 21
RESET # :硬件复位输入............................................ 21
输出禁止模式............................................... ............... 21
图1.临时机构撤消操作........................... 21
图2.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ....... 22
芯片擦除命令序列........................................... 38
扇区擦除命令序列........................................ 38
擦除暂停/删除恢复命令........................... 39
图5.擦除操作............................................. ................. 40
密码程序命令............................................... 。 40
密码验证命令............................................... ..... 40
密码保护模式锁定位程序命令.. 40
持久扇区保护模式锁定位程序的COM
普通话................................................. ...................................... 40
SecSi扇区保护位程序命令.................... 41
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 41
DYB写命令............................................... .............. 41
密码解锁指令............................................... ... 41
图6. PPB程序算法............................................ ...... 42
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 23
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .. 23
表7. SecSi
TM
扇区地址............................................... 23
PPB程序命令............................................... ......... 43
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 43
图7. PPB擦除算法............................................ .......... 44
客户可锁定区域( 64个字) ...................................... 23
SecSi扇区保护位.............................................. ..... 23
硬件数据保护............................................... ....... 23
写保护( WP # ) ............................................ .................... 24
DYB写命令............................................... .............. 45
PPB状态命令............................................... ............. 45
PPB锁定位状态命令............................................. 45
DYB状态命令............................................... ............. 45
命令定义................................................ ............. 46
表20.内存阵列命令定义............................ 46
表21.扇区保护命令定义....................... 47
2006年5月10日27024B3
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