最终科幻
Am28F512A
512千比特（一个64 K ×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存与嵌入式算法
特色鲜明
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
100,000次写/擦除周期最短
s
写入和擦除电压12.0 V
5%
s
闭锁-1 V保护为100 mA
到V
CC
+1 V
s
嵌入式擦除电气批量芯片擦除
- 两秒钟的典型芯片擦除包括
预编程
s
嵌入式程序
- 为4μs典型字节的程序，包括超时
- 一个典型的第二个芯片方案
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
嵌入式算法完全
自定时写入/擦除操作
概述
该Am28F512A是512 Kbit的闪存奥尔加
认列64个字节，每个字节8位。 AMD的闪存memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该Am28F512A
封装在32引脚PDIP ，PLCC和TSOP版本。
它被设计成可重新编程和擦除中，系
TEM或标准EPROM编程器。该
从工厂发货时Am28F512A被擦除。
该标准Am28F512A提供存取时间快
为70纳秒，高速微处理器的允许操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在Am28F512A有独立的芯片使能（ CE ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F512A使用命令寄存器来管理这个
功能性，同时保持了JEDEC闪存斯坦
准32个引脚。命令寄存器允许
100％的TTL电平的控制输入和固定电源
擦除和编程时的水平。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
AMD的存储单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外，该组合
先进的隧道氧化处理和低互化
擦除一个次programmi NG最终ELECTR IC领域
操作产生可靠的自行车。该Am28F512A
采用了12.0V ±5 ％的V
PP
高电压输入来执行
擦除和编程功能。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1至V
CC
+1 V.
嵌入式程序
该Am28F512A是使用的EM字节可编程
层状编程算法。嵌入式亲
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的
该室内温度的编程时间
Am28F512A为1秒。
嵌入式擦除
整个芯片采用嵌入式批量删除
擦除算法。嵌入式擦除算法自动
matically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
出版＃
18880
启：
C
Amendment/+2
发行日期：
1998年4月
控制器件内部。典型的擦除在室温
温度来完成，在两秒钟，包括
编程。
AMD的Am28F512A完全是引脚和软件的COM
兼容与AMD Am28F020A ， Am28F010A和
Am28F256A闪存。
比较有Flasherase和Flashrite算法嵌入式算法
Am28F512A与
嵌入式算法
嵌入式
程序设计
与算法
Flashrite
程序设计
算法
AMD的嵌入式编程算法
要求用户只能写一个程序
建立命令和程序命令
（节目数据和地址）。该装置
次自动编程
脉冲宽度，验证程序，并
计数序列的数目。一个状态
位，数据
#
轮询，提供与用户
编程操作状态。
采用AMD Flashrite Am28F512
和Flasherase算法
该Flashrite编程算法要求
用户编写的程序设置命令，程序
命令（程序数据和地址） ，和一个
程序校验命令，接着读，
比较操作。到时候用户需要
为了发出编程脉冲宽度
程序校验命令。集成的停止计时器
防止overprogramming的任何可能性。
在此过程的完成，该数据被读
从装置背面和比较通过与用户
意将要写入的数据;如果没有一个
比赛，该序列被重复，直到有一个
匹配，否则重复了25次。
该Flasherase擦除算法要求对器件
被完全执行一个之前编程
擦除命令。
调用的擦除操作中，用户写入一个
擦除设置命令，擦除命令，和一个
擦除校验命令。用户需要的时间
擦除脉冲宽度，以发出所述擦除
验证命令。集成的定时器停止阻止
过度擦除的任何可能性。
在此过程的完成，该数据被读
从装置背面和比较通过与用户
删除的数据。如果不存在匹配，则该序列是
重复进行，直到有一个匹配或者该序列具有
被重复1,000次。
嵌入式擦除
与算法
Flasherase擦除
算法
AMD的嵌入式擦除算法
要求用户只能写一个擦除设定
命令和擦除命令。该
设备会自动预先计划和
验证整个阵列。然后设备
自动倍擦除脉冲宽度，
验证擦除操作，和计数
序列的数目。状态位，
数据
#
轮询，提供与用户
擦除操作的状态。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制该擦除和编程电路。
在写周期中，指令寄存器内部
锁存地址和数据所需的编程
明和擦除操作。对于系统设计simpli-
fication ，所述Am28F512A被设计为支持
WE＃或CE控制写入。在一个系统中写
周期中，地址被锁存的下降沿
WE＃或最后一个为准CE＃ 。数据被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
为了简化下面的讨论中，在WE ＃销是
作为整个其余的写周期控制销
这个文本。所有的建立和保持时间是相
在WE ＃信号。
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM
和EEPROM的经验生产出最高列弗
埃尔斯质量，可靠性和成本效益的。该
Am28F512A电擦除所有位simulta-
neously使用福勒- Nordheim隧穿。字节
被编程的一个字节的时间用的EPROM
热电子注入编程机制。
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Am28F512A
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