最终科幻
Am28F010A
1兆位（ 128千×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存与嵌入式算法
特色鲜明
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
100,000次写/擦除周期最短
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁的保护为100 mA
-1 V到V
CC
+1 V
s
嵌入式擦除电气批量芯片擦除
- 5秒典型芯片擦除，包括
预编程
s
嵌入式程序
- 14 μs的典型字节的程序，包括超时
- 4秒典型芯片项目
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
嵌入式算法完全自定时
写/擦除操作
概述
该Am28F010A是1兆位闪存奥尔加
认列128 KB的每个8位。 AMD的闪存memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该Am28F010A
封装在32引脚PDIP ，PLCC和TSOP版本。
它被设计成可重新编程和擦除的系统内
或者在标准EPROM编程器。该Am28F010A
从工厂发货时被擦除。
该标准Am28F010A提供快速的存取时间
为70纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争用，
该设备有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F010A使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
吨他一米28女性10 0 A为COM PA tibl EWI日前作AMD
Am28F256A ， Am28F512A和Am28F020A闪光
回忆。在Am28Fxxx系列的所有器件按照
JEDEC 32引脚引脚排列标准。此外，所有的设备
出版＃
16778
启：
D
Amendment/+2
发行日期：
1998年5月
这个家族中，提供嵌入式算法使用
相同的命令集。这为设计人员提供了灵活性
相容性，以保持相同的设备尺寸和命令
设置，则在256千位和2兆比特之间的任何浓度。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。该
AMD单元的设计优化了擦除和编程
明的机制。的，此外，该组合
先进的隧道氧化处理和低内部elec-
擦除和编程操作TRIC场亲
duces可靠的自行车。该Am28F010A使用
12.0±5% V
PP
输入要执行擦除和编程
明的功能。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安地址
和数据引脚从-1 V到V
CC
+1 V.
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM和
EEPROM的经验，以产生最高水平的
质量，可靠性和成本效益。该
Am28F010A同时电擦除所有的位
使用福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM亲
编程热电子注入的机制。
嵌入式程序
该Am28F010A是使用字节可编程
嵌入式程序算法，它不需要
该系统超时或验证编程的数据。
这种典型的室温下的编程时间
装置为两秒钟。
嵌入式擦除
整个设备采用嵌入式批量删除
擦除算法，它会自动程序
整个阵列之前，电擦除。定时和ver-
电擦除的ification控制内部的
装置。典型的擦除时间在室温下为五
秒，包括预编程。
比较有Flasherase和Flashrite算法嵌入式算法
Am28F010A与
嵌入式算法
嵌入式
程序设计
与算法
Flashrite
程序设计
算法
AMD的嵌入式编程算法
要求用户只能写一个程序
建立命令和程序命令
（节目数据和地址）。该装置
次自动编程
脉冲宽度，验证程序，并
计数序列的数目。一个状态
位，数据
#
轮询，提供与用户
编程操作状态。
采用AMD Flashrite Am28F010
和Flasherase算法
该Flashrite编程算法要求
用户编写的程序设置命令，程序
命令（程序数据和地址） ，和一个
程序校验命令，接着读，
比较操作。到时候用户需要
为了发出编程脉冲宽度
程序校验命令。集成的停止计时器
防止overprogramming的任何可能性。
在此过程的完成，该数据被读
从装置背面和比较通过与用户
意将要写入的数据;如果没有一个
比赛，该序列被重复，直到有一个
匹配，否则重复了25次。
该Flasherase擦除算法要求对器件
被完全执行一个之前编程
擦除命令。
调用的擦除操作中，用户写入一个
擦除设置命令，擦除命令，和一个
擦除校验命令。用户需要的时间
擦除脉冲宽度，以发出所述擦除
验证命令。集成的定时器停止阻止
过度擦除的任何可能性。
在此过程的完成，该数据被读
从装置背面和比较通过与用户
删除的数据。如果不存在匹配，则该序列是
重复进行，直到有一个匹配或者该序列具有
被重复1,000次。
嵌入式擦除
与算法
Flasherase擦除
算法
AMD的嵌入式擦除算法
要求用户只能写一个擦除设定
命令和擦除命令。该
设备会自动预先计划和
验证整个阵列。然后设备
自动倍擦除脉冲宽度，
验证擦除操作，和计数
序列的数目。状态位，
数据
#
轮询，提供与用户
擦除操作的状态。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机，
控制该擦除和编程电路。
在写周期中，指令寄存器内部
锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。对于系统设计simpli-
fication ，所述Am28F010A被设计为支持
WE＃或CE ＃控制的写操作。在一个系统中写
周期中，地址被锁存的下降沿
WE＃或CE ＃ ，最后的为准。数据被锁存
在WE ＃或CE ＃的上升沿，以先到为准
第一。为了简化下面的讨论中，在WE ＃销
作为在整个写周期控制销
剩下的这个文本。所有的建立和保持时间与
对于WE＃信号。
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Am28F010A
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