最终科幻
Am27C4096
4兆位（ 256千x 16位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 速度选择快90纳秒
s
低功耗
- 100 μA最大的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
- 1兆和2兆比特的EPROM升级的插件
- 40引脚DIP / PDIP
- 44引脚PLCC
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 ％ Flashrite编程
- 32秒典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
概述
该Am27C4096是4兆，紫外线可擦除亲
可编程只读存储器。它是作为256
K字，采用单+ 5V电源，具有
静态待机模式和功能快单一地址
位置编程。该Am27C4096非常适合使用
在16位的微处理器系统。该设备是可用
能在窗口陶瓷DIP封装和塑料
一次性可编程（ OTP） PDIP和PLCC封装
老少皆宜。
数据可以在小于90纳秒典型地访问， AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能（ OE ＃）和芯片使能（ CE ＃ ）控制，
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快，低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为125毫瓦在主动模式下，
和125微瓦的待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程，在
块，或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法（ 100微秒脉冲） ，再
质保的义务，以32秒的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE ＃
CE ＃ / PGM ＃
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A17
地址
输入
产量
缓冲器
数据输出
DQ0–DQ15
Y
门
X
解码器
4,194,304
位单元
矩阵
11408F-1
出版＃
11408
启：
F
Amendment/0
发行日期：
1998年5月
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间（纳秒）
CE ＃ （E ＃ ）访问（ NS ）
OE ＃ （ G＃ ）访问（ NS ）
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
90
90
50
-95
-105
-100
100
100
50
-120
120
120
50
-150
150
150
65
-200
200
200
75
250
250
75
Am27C4096
-255
连接图
顶视图
DIP
V
PP
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE ＃ （ G＃ ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
A17
A16
PLCC
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
DQ13
DQ14
DQ15
V
CC
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
V
SS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
SS
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
6
5
4
3
2
1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
A13
A12
A11
A10
A9
V
SS
NC
A8
A7
A6
A5
29
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃ （ G＃ ）
11408F-2
杜（注2 ）
A4
11408F-3
注意事项：
1. JEDEC的命名是在括号中。
2.不要使用（ DU）的PLCC 。
PIN代号
A0–A17
=地址输入
CE ＃ （E ＃ ） /
=芯片使能输入/
PGM ＃ / （P ＃ ）
程序使能输入
DQ0 - DQ15 =数据输入/输出
OE ＃ （ G＃ ）
V
CC
V
PP
V
SS
=输出使能输入
= V
CC
电源电压
=编程电压输入
=地面
逻辑符号
18
A0–A17
16
DQ0–DQ15
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
OE ＃ （ G＃ ）
11408F-4
2
Am27C4096
A14
V
PP
A15
杜（注2 ）
订购信息
UV EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过下面的组合：
AM27C4096
-95
D
C
B
随机处理
空白=标准处理
B
=老化测试
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
套餐类型
D = 40引脚陶瓷DIP （ CDV040 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C4096
4兆位（ 256千x 16位） CMOS UV EPROM
有效组合
AM27C4096-95
V
CC
= 5.0 V
±
5%
AM27C4096-100
AM27C4096-105
V
CC
= 5.0 V
±
5%
AM27C4096-120
AM27C4096-150
AM27C4096-200
AM27C4096-255
V
CC
= 5.0 V
±
5%
DC ， DCB ， DI ， DIB
DC ， DCB ， DE ， DEB ， DI ， DIB
DC ， DCB ， DI ， DIB
DC ， DCB
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
Am27C4096
3
订购信息
OTP EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过下面的组合：
AM27C4096
-105
P
C
随机处理
空白=标准处理
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
套餐类型
P = 40引脚塑料DIP （ PD 040 ）
J = 44引脚塑料有引线芯片载体（ PL 044 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C4096
4兆位（ 256千x 16位） CMOS OTP EPROM
有效组合
AM27C4096-105
V
CC
= 5.0 V
±
5%
AM27C4096-120
AM27C4096-150
AM27C4096-200
AM27C4096-255
V
CC
= 5.0 V
±
5%
PC ， PI ， JC ， JI
PC机， JC
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
4
Am27C4096
功能说明
设备擦除
为了明确自己的编程CON-的所有位置
帐篷，必须将设备暴露于紫外光
源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
需要
彻底删除设备。这个剂量可以转播
通过暴露tained到紫外线灯波长
2537 - 12000微瓦/平方厘米的强度
2
为15 20的
分钟。该设备应在与有关直接
从源1英寸，并且所有的过滤器应该重新
从擦除前的UV光源移动。
请注意，所有的紫外线擦除设备将光擦除
源其波长小于4000埃，这样的
如日光灯和阳光。虽然删除
过程发生在一个更长的时间段，前
曝光至任何光源应当防止对
最大的系统可靠性。简单地覆盖包
窗用不透明的标签或物质。
CE ＃ / PGM ＃输入禁止被其他设备
编程。
程序校验
一个验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
验证应与OE ＃在V进行
IL
， CE ＃ /
PGM ＃在V
IH
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自选模式
自选模式提供了制造商和脱离
通过DQ0-识别码识别副
DQ7 。这种模式的主要目的是用于编程
设备自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
rithm 。该模式的功能，在25℃
±
5°C
亲时所需的环境温度范围
编程器件。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
H
在地址线A9 。两个标志字节
然后可从该装置的输出通过瓶酒测序
从V岭大战地址线A0
IL
到V
IH
（也就是说，改变
从00h地址为01H ） 。所有其他地址线
必须在V举行
IL
中自动选择模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商代码，
和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备标识符的代码。两
代码有奇校验，以DQ7作为奇偶校验位。
器件编程
交货时，或之后的每个擦除，该设备具有
所有位的“一” ，或HIGH的状态。 “0”是
通过编程亲加载到设备
cedure 。
该器件进入编程模式时12.75
V
±
0.25 V施加于V
PP
脚和CE ＃ / PGM ＃是
在V
IL
和OE ＃是V
IH
.
对于编程，编程数据是AP-
合股16位并行数据引脚。
（在编程部分的流程图第5节，
图5-1 ）显示AMD的Flashrite算法。该
Flashrite算法通过减少编程时间
100 μs的编程脉冲，通过给每个地址
只有尽可能多脉冲，以可靠地进行编程的数据。后
每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据不验证，附加
脉冲列，直到它验证或最大脉冲
允许达到。这个过程被重复，而SE-
quencing通过该装置的每一个地址。这部分
该算法是做在V
CC
= 6.25 V ，以确保
每个EPROM位编程为具有足够高的
阈值电压。最后的地址完成后，
整个EPROM存储在V验证
CC
= V
PP
=
5.25 V.
请参考第5节进行额外的编程IN-
形成和规格。
读取模式
要在设备的输出获得的数据，芯片使能（ CE ＃ /
PGM ＃）和输出使能（ OE ＃ ）必须被驱动为低电平。
CE ＃ / PGM ＃控制的电源装置，是典型
ically用于选择该设备。 OE＃使该设备
到输出数据，独立的设备的选择。 AD-
衣服必须是稳定的，至少吨
加
–t
OE
。请参阅
对于时序dia-的开关波形部分
克。
待机模式
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃ / PGM ＃是V
CC
±
0.3 V最大V
CC
电流
降低到100 μA 。该器件进入TTL待机
模式，当CE ＃ / PGM ＃是V
IH
。最大V
CC
电流
租金降低到1.0毫安。当在待机状态下两种
模式下，设备会将其输出的高阻抗
ANCE状态，独立的OE ＃输入。
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一
两线控制功能提供了：
s
低内存功耗，
s
保证不会发生输出总线争用。
CE＃ / PGM ＃应该被解码，并作为革命制度党
玛丽设备选择功能，而OE ＃进行一
禁止程序
不同的数据编程到标准杆多台设备
等位基因是很容易实现的。除了CE ＃ / PGM ＃中，所有
器件的像输入可以是常见的。一个TTL
低级别的编程脉冲施加到一个装置的CE ＃ /
PGM ＃输入与V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V和OE ＃
高会编程的特定设备。一个高级别
Am27C4096
5
QQ：2881677436 复制
