最终科幻
Am27C040
4兆位（ 512K的×8位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 提供速度选择快90纳秒
s
低功耗
- <10 μA典型的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
- 升级为1兆和2兆比特的EPROM中的插件
- 从28引脚JEDEC的EPROM轻松升级
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 ％ Flashrite 编程
- 1分钟，典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
s
紧凑的32引脚DIP ， PDIP ， PLCC封装
概述
该Am27C040是4兆的紫外线可擦除亲
可编程只读存储器。它是作为512K
字节，采用单+ 5V电源，具有静态
待机模式，并具有快速的单一地址某些地区可能
化编程。该设备是在窗口可用
陶瓷DIP封装和塑料一次性编程
可燃的（ OTP）的包。
数据可以在小于90纳秒典型地访问， AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能（ OE ＃）和芯片使能（ CE ＃ ）控制，
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快，低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为100毫瓦在主动模式下，
和50 μW处于待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程，在
块，或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法（ 100微秒脉冲）重
质保的义务在1分钟内的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE ＃
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A18
地址
输入
数据输出
DQ0–DQ7
产量
缓冲器
CE ＃ / PGM ＃
Y
门
X
解码器
4,194,304-Bit
细胞矩阵
14971G-1
出版＃
14971
启：
G
Amendment/0
发行日期：
1998年5月
F I A L
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间（纳秒）
CE ＃ （E ＃ ）访问（ NS ）
OE ＃ （ G＃ ）访问（ NS ）
-90
90
90
40
Am27C040
-120
120
120
50
-150
150
150
65
-200
200
200
75
连接图
顶视图
DIP
A12
A15
A16
V
PP
PLCC
V
CC
A18
A17
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
V
SS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃ （ G＃ ）
A10
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2 1 32 31 30
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃ （ G＃ ）
A10
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
DQ7
14971G-3
14971G-2
注意事项：
1. JEDEC的命名是在括号中。
2. 32引脚DIP到32引脚PLCC CON组fi guration从JEDEC 28引脚DIP到32引脚PLCC CON组fi guration变化。
PIN代号
A0–A18
=
地址输入
芯片使能/编程使能输入
数据输入/输出
输出使能输入
V
CC
电源电压
编程电压输入
GroundLogic符号
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ） =
DQ0–DQ7
OE ＃ （ G＃ ）
V
CC
V
PP
V
SS
=
=
=
=
=
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
OE ＃ （ G＃ ）
8
14971E-4
2
Am27C040
F I A L
订购信息
UV EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过组合：
AM27C040
-90
D
C
随机处理
空白=标准处理
B
=老化测试
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
套餐类型
D = 32引脚陶瓷DIP （ CDV032 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C040
4兆位（ 512K ×8位）的CMOS UV EPROM
有效组合
有效组合
AM27C040-90
AM27C040-120
DC ， DCB ， DI ， DIB ， DE ， DEB
AM27C040-150
AM27C040-200
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
Am27C040
3
F I A L
订购信息
OTP EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过组合：
AM27C040
-90
J
C
随机处理
空白=标准处理
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展（ -55
°
C至125
°
C)
套餐类型
P = 32引脚塑料DIP （ PD 032 ）
J = 32引脚矩形塑料有引线芯片
载体（ PL 032 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C040
4兆位（ 512K ×8位）的CMOS OTP EPROM
有效组合
AM27C040-90
AM27C040-120
PC ， PI ， JC ， JI
AM27C040-150
AM27C040-200
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
4
Am27C040
F I A L
功能说明
设备擦除
为了清除其编程的所有地点
内容时，该设备必须被暴露在紫外线
光源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
是必须的
完全删除该设备。这个剂量可以转播
通过暴露tained到紫外线灯 - 波长
2537 A - 12000 μW /平方厘米的强度
2
为15 20的
分钟。该设备应在与有关直接
从源头上一寸，所有的过滤器应重
从擦除前的UV光源移动。
请注意，所有的紫外线擦除设备将光擦除
源其波长小于4000埃，这样的
如日光灯和阳光。虽然删除
过程发生在一个更长的时间段，前
曝光至任何光源应当防止对
最大的系统可靠性。简单地覆盖包
窗用不透明的标签或物质。
该特定设备。一个高层次的CE ＃ / PGM ＃输入IN-
hibits被编程的其他设备。
程序校验
一个验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
验证应与OE ＃在V进行
IL
， CE ＃ /
PGM ＃在V
IH
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自动选择模式
自选模式提供了制造商和脱离
通过DQ0-识别码识别副
DQ7 。这种模式的主要目的是用于编程
设备自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
rithm 。该模式的功能，在25℃
±
5°C
亲时所需的环境温度范围
编程器件。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
H
在地址线A9 。两个标志字节
然后可从该装置的输出通过瓶酒测序
从V岭大战地址线A0
IL
到V
IH
（也就是说，改变
从00h地址为01H ） 。所有其他地址线
必须在V举行
IL
中自动选择模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商代码，
和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备标识符的代码。两
代码有奇校验，以DQ7作为奇偶校验位。
器件编程
交货时，或之后的每个擦除，该设备具有
所有位的“一” ，或HIGH的状态。 “0”是
通过编程亲加载到设备
cedure 。
在进入编程模式时， 12.75 V
±
0.25 V施加于V
PP
脚， CE ＃ / PGM ＃是V
IL
和OE ＃是V
IH
.
对于编程，编程数据是AP-
合股8位并行数据输出管脚。
在EPROM产品数据手册，亲流程图
编程节（ 5 ，图5-1 ）显示AMD的
Flashrite算法。该Flashrite算法降低亲
通过使用一个100微秒的编程脉冲编程时间
并通过给每个地址只能尽可能多的脉冲可靠性
巧妙地程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个
给定的地址，在该地址中的数据进行验证。如果
数据不验证，额外的脉冲给定，直到它
验证或允许的最大脉冲为止。这
而经由各个AD-测序过程被重复
着装设备。该算法的这部分做的
V
CC
= 6.25 V ，以保证每一个EPROM位亲
编程到SUF网络ciently高阈值电压。后
最后的地址完成时，整个EPROM MEM-
储器是在V验证
CC
= V
PP
= 5.25 V.
请参考EPROM产品数据手册，仲
5化的编程流程图和characteris-
抽动。
读取模式
要在设备的输出获得的数据，芯片使能（ CE ＃ /
PGM ＃）和输出使能（ OE ＃ ）必须被驱动为低电平。
CE ＃ / PGM ＃控制的电源装置，是典型
ically用于选择该设备。 OE＃使该设备
到输出数据，独立的设备的选择。 AD-
衣服必须是稳定的，至少吨
加
–t
OE
。请参阅
对于时序dia-的开关波形部分
克。
待机模式
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃ / PGM ＃是V
CC
±
0.3 V最大V
CC
电流
降低到100 μA 。该器件进入TTL待机
模式，当CE ＃ / PGM ＃是V
IH
。最大V
CC
电流
租金降低到1.0毫安。当在待机状态下两种
模式下，设备会将其输出的高阻抗
ANCE状态，独立的OE ＃输入。
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一
两线控制功能提供了允许：
s
低内存功耗，
s
保证不会发生输出总线争
CE＃ / PGM ＃应该被解码，并作为革命制度党
玛丽设备选择功能，而OE ＃进行一
禁止程序
不同的数据编程到标准杆多台设备
等位基因是很容易实现的。除了CE ＃ / PGM ＃中，所有
器件的像输入可以是常见的。一个TTL
低级别的编程脉冲施加到一个装置的CE ＃ /
PGM ＃输入与V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V会编程
Am27C040
5
最终科幻
Am27C040
4兆位（ 512K的×8位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 提供速度选择快90纳秒
s
低功耗
- <10 μA典型的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
- 升级为1兆和2兆比特的EPROM中的插件
- 从28引脚JEDEC的EPROM轻松升级
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 ％ Flashrite 编程
- 1分钟，典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
s
紧凑的32引脚DIP ， PDIP ， PLCC封装
概述
该Am27C040是4兆的紫外线可擦除亲
可编程只读存储器。它是作为512K
字节，采用单+ 5V电源，具有静态
待机模式，并具有快速的单一地址某些地区可能
化编程。该设备是在窗口可用
陶瓷DIP封装和塑料一次性编程
可燃的（ OTP）的包。
数据可以在小于90纳秒典型地访问， AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能（ OE ＃）和芯片使能（ CE ＃ ）控制，
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快，低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为100毫瓦在主动模式下，
和50 μW处于待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程，在
块，或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法（ 100微秒脉冲）重
质保的义务在1分钟内的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE ＃
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A18
地址
输入
数据输出
DQ0–DQ7
产量
缓冲器
CE ＃ / PGM ＃
Y
门
X
解码器
4,194,304-Bit
细胞矩阵
14971G-1
出版＃
14971
启：
G
Amendment/0
发行日期：
1998年5月
F I A L
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间（纳秒）
CE ＃ （E ＃ ）访问（ NS ）
OE ＃ （ G＃ ）访问（ NS ）
-90
90
90
40
Am27C040
-120
120
120
50
-150
150
150
65
-200
200
200
75
连接图
顶视图
DIP
A12
A15
A16
V
PP
PLCC
V
CC
A18
A17
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
V
SS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃ （ G＃ ）
A10
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2 1 32 31 30
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃ （ G＃ ）
A10
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
DQ7
14971G-3
14971G-2
注意事项：
1. JEDEC的命名是在括号中。
2. 32引脚DIP到32引脚PLCC CON组fi guration从JEDEC 28引脚DIP到32引脚PLCC CON组fi guration变化。
PIN代号
A0–A18
=
地址输入
芯片使能/编程使能输入
数据输入/输出
输出使能输入
V
CC
电源电压
编程电压输入
GroundLogic符号
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ） =
DQ0–DQ7
OE ＃ （ G＃ ）
V
CC
V
PP
V
SS
=
=
=
=
=
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
CE ＃ （E ＃ ） / PGM ＃ （P ＃ ）
OE ＃ （ G＃ ）
8
14971E-4
2
Am27C040
F I A L
订购信息
UV EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过组合：
AM27C040
-90
D
C
随机处理
空白=标准处理
B
=老化测试
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
套餐类型
D = 32引脚陶瓷DIP （ CDV032 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C040
4兆位（ 512K ×8位）的CMOS UV EPROM
有效组合
有效组合
AM27C040-90
AM27C040-120
DC ， DCB ， DI ， DIB ， DE ， DEB
AM27C040-150
AM27C040-200
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
Am27C040
3
F I A L
订购信息
OTP EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过组合：
AM27C040
-90
J
C
随机处理
空白=标准处理
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展（ -55
°
C至125
°
C)
套餐类型
P = 32引脚塑料DIP （ PD 032 ）
J = 32引脚矩形塑料有引线芯片
载体（ PL 032 ）
速度选项
见产品选型指南和
有效组合
设备号/说明
Am27C040
4兆位（ 512K ×8位）的CMOS OTP EPROM
有效组合
AM27C040-90
AM27C040-120
PC ， PI ， JC ， JI
AM27C040-150
AM27C040-200
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
4
Am27C040
F I A L
功能说明
设备擦除
为了清除其编程的所有地点
内容时，该设备必须被暴露在紫外线
光源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
是必须的
完全删除该设备。这个剂量可以转播
通过暴露tained到紫外线灯 - 波长
2537 A - 12000 μW /平方厘米的强度
2
为15 20的
分钟。该设备应在与有关直接
从源头上一寸，所有的过滤器应重
从擦除前的UV光源移动。
请注意，所有的紫外线擦除设备将光擦除
源其波长小于4000埃，这样的
如日光灯和阳光。虽然删除
过程发生在一个更长的时间段，前
曝光至任何光源应当防止对
最大的系统可靠性。简单地覆盖包
窗用不透明的标签或物质。
该特定设备。一个高层次的CE ＃ / PGM ＃输入IN-
hibits被编程的其他设备。
程序校验
一个验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
验证应与OE ＃在V进行
IL
， CE ＃ /
PGM ＃在V
IH
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自动选择模式
自选模式提供了制造商和脱离
通过DQ0-识别码识别副
DQ7 。这种模式的主要目的是用于编程
设备自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
rithm 。该模式的功能，在25℃
±
5°C
亲时所需的环境温度范围
编程器件。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
H
在地址线A9 。两个标志字节
然后可从该装置的输出通过瓶酒测序
从V岭大战地址线A0
IL
到V
IH
（也就是说，改变
从00h地址为01H ） 。所有其他地址线
必须在V举行
IL
中自动选择模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商代码，
和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备标识符的代码。两
代码有奇校验，以DQ7作为奇偶校验位。
器件编程
交货时，或之后的每个擦除，该设备具有
所有位的“一” ，或HIGH的状态。 “0”是
通过编程亲加载到设备
cedure 。
在进入编程模式时， 12.75 V
±
0.25 V施加于V
PP
脚， CE ＃ / PGM ＃是V
IL
和OE ＃是V
IH
.
对于编程，编程数据是AP-
合股8位并行数据输出管脚。
在EPROM产品数据手册，亲流程图
编程节（ 5 ，图5-1 ）显示AMD的
Flashrite算法。该Flashrite算法降低亲
通过使用一个100微秒的编程脉冲编程时间
并通过给每个地址只能尽可能多的脉冲可靠性
巧妙地程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个
给定的地址，在该地址中的数据进行验证。如果
数据不验证，额外的脉冲给定，直到它
验证或允许的最大脉冲为止。这
而经由各个AD-测序过程被重复
着装设备。该算法的这部分做的
V
CC
= 6.25 V ，以保证每一个EPROM位亲
编程到SUF网络ciently高阈值电压。后
最后的地址完成时，整个EPROM MEM-
储器是在V验证
CC
= V
PP
= 5.25 V.
请参考EPROM产品数据手册，仲
5化的编程流程图和characteris-
抽动。
读取模式
要在设备的输出获得的数据，芯片使能（ CE ＃ /
PGM ＃）和输出使能（ OE ＃ ）必须被驱动为低电平。
CE ＃ / PGM ＃控制的电源装置，是典型
ically用于选择该设备。 OE＃使该设备
到输出数据，独立的设备的选择。 AD-
衣服必须是稳定的，至少吨
加
–t
OE
。请参阅
对于时序dia-的开关波形部分
克。
待机模式
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃ / PGM ＃是V
CC
±
0.3 V最大V
CC
电流
降低到100 μA 。该器件进入TTL待机
模式，当CE ＃ / PGM ＃是V
IH
。最大V
CC
电流
租金降低到1.0毫安。当在待机状态下两种
模式下，设备会将其输出的高阻抗
ANCE状态，独立的OE ＃输入。
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一
两线控制功能提供了允许：
s
低内存功耗，
s
保证不会发生输出总线争
CE＃ / PGM ＃应该被解码，并作为革命制度党
玛丽设备选择功能，而OE ＃进行一
禁止程序
不同的数据编程到标准杆多台设备
等位基因是很容易实现的。除了CE ＃ / PGM ＃中，所有
器件的像输入可以是常见的。一个TTL
低级别的编程脉冲施加到一个装置的CE ＃ /
PGM ＃输入与V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V会编程
Am27C040
5
