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模拟电源
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOT- 23节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM2359P
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.381 @ V
GS
= -10V
-60
0.561 @ V
GS
= -4.5V
I
D
(A)
1.6
1.3
G
D
S
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号最大单位
V
DS
-60
漏源电压
V
V
GS
±20
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
1.7
1.4
±15
-1.7
1.3
0.8
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55到150
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号最大单位
R
thJA
100
166
o
吨< = 5秒
稳态
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM2359_H
模拟电源
AM2359P
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源击穿电压
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
A
A
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
BR （ DSS ）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
范围
单位
最小典型最大
-1
-2.1
-3.5
±100
o
V
nA
uA
A
V
V
DS
= -48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
-1
-10
-8
-60
300
450
8
-1.2
18
5
2
8
10
35
12
381
561
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 0, I
D
= -1毫安
V
GS
= -10 V，I
D
= -1.6 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.3 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -1.6 A
I
S
= -2.5 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= -30 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.6 A
V
DD
= -30 V ，R
L
= 30
， ID = -1 ，
VGEN = -10 V ， RG = 6Ω
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号：
DS-AM2359_H
模拟电源
AM2359P
典型电气特性
12
V
GS
= -10V
10
T
A
= 125
o
C
8
I
D
- 漏电流（ A）
25
o
C
-55
o
C
I
D
- 漏电流（ A）
9
6
6
-4.5V
V
4
3
2
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至 - 源极电压（ V）
0
2.5
3.5
4.5
5.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
2
r
DS （ ON）
- 归一导通电阻
V
GS
=-4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
-10V
1
0.8
0
3
6
I
D
- 漏电流（ A）
9
12
- 电容（pF ）
800.0
C
国际空间站
600.0
400.0
C
OSS
200.0
C
RSS
0.0
0
15
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
45
60
导通电阻与漏电流
电容
-10
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻归
V
GS
= -10V
1.4
-8
Vgs的电压（V）
-6
1.2
-4
1
-2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
QG ，费（ NC）
T
J
- 结温（ C）
栅极电荷
导通电阻与结温
3
初步
出版订单号：
DS-AM2359_H
模拟电源
AM2359P
典型电气特性
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ OHM ）
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
2
4
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
10
1
I
S
- 源电流（ A）
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.01
0.001
0.0001
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
源极 - 漏极二极管正向电压
3.2
上电阻与栅极至源极电压
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
RqJA = 125℃ / W
TA = 25℃
3
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
-50
-25
0
25
50
o
I
D
= -250A
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t1时，时间（秒）
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
10
100
阈值电压
单脉冲功率
归热瞬态结到环境
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.0
0.02
0.01
P（ PK
t1
t2
T
J
- T
A
= P * R Q
J A
(t)
值班 YC乐， D = T1 / T2
0.01
0.1
T1 ， TIM E（发E C）
1
10
100
1000
R Q
J A
（吨）= R（T ）+ R Q
J A
R Q
J A
= 125°C / W
0.1
0.01
S英格尔P ULS ê
0.001
0.0001
0.001
Normailized瞬态热阻抗，结至Ambitent
4
初步
出版订单号：
DS-AM2359_H
模拟电源
AM2359P
包装信息
5
初步
出版订单号：
DS-AM2359_H
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AME8805EEFTZ
AZ317LZ
AAT3111IGU-3.6-T1
AU9720
AGQ200A24Z
APL431CDI-TB
ACBA-1206-1000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    AM2359P
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AM2359P
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21000
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AM2359P
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AM2359P
ANALOGPOWER
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