【模拟电源AM20N15-250DN沟道150 -V （D -S ）的MOSFET主要特点：低RDS 】,IC型号AM20N15-250D,AM20N15-250D PDF资料,AM20N15-250D经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

AM20N15-250D

N沟道150 -V （D -S ）的MOSFET

主要特点：

低R

DS （ ON）

沟槽技术

低热阻

开关速度快

典型应用：

PoE的供电设备

电信DC / DC转换器

白光LED升压转换器

产品概述

DS （ ON）

(mΩ)

(V)

255 @ V

= 10V

150

290 @ V

= 4.5V

(A)

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

极限

漏源电压

150

栅源电压

±20

=25°C

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

=25°C

功耗

, T

英镑

-55至175

工作结存储温度范围

单位

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号最大

θJA

θJC

单位

° C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步=

出版订单号：

DS-AM20N15-250D-1A

模拟电源

电气特性

参数

门源阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

测试条件

STATIC

= V

, I

= 250微安

= 0 V, V

= 20 V

= 120 V, V

= 0 V

= 120 V, V

= 0 V ，T

= 55°C

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 6 A

= 4.5 V，I

= 5 A

= 15 V，I

= 6 A

= 25 A，V

= 0 V

动态

= 75 V, V

= 4.5 V，I

= 6 A

民

AM20N15-250D

典型值

最大

单位

±10

255

290

0.95

16.7

3.5

9.3

965

mΩ

= 75 V ，R

= 12.5 Ω , I

= 6 A,

根

= 10 V ，R

根

= 6 Ω

= 15 V, V

= 0 V ， F = 1MHz的

笔记

一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

B 。通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，

表示

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担由此产生的任何法律责任

任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，

间接或附带损失。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同

在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证

客户的客户应用的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL

产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他

应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成这样的局面

可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，

买方应赔偿并持有联合地产及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用是无害的，

损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关

与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。

APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

初步=

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模拟电源

典型电气特性

0.5

0.45

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

ID-漏电流（ A）

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V, 6V,8V,10V

ID - 漏电流（ A）

TJ = 25°C

AM20N15-250D

VGS - 栅极至源极电压（V ）

1.导通电阻与漏电流

0.7

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

VGS - 栅极至源极电压（V ）

0.01

100

2.传输特性

TJ = 25°C

= 6A

IS - 源电流（ A）

TJ = 25°C

0.1

0.5

1.5

VSD - 源极到漏极电压（V ）

3.导通电阻与栅极至源极电压

ID - 漏电流（ A）

0.5

1.5

2.5

VDS - 漏极至源极电压（V ）

1600

4.0V

3.5V

电容（pF）

3.0V

1400

1200

1000

800

600

400

200

4.漏 - 源正向电压

10V, 8V, 6V, 4.5V

F = 1MHz的

西塞

科斯

CRSS

VDS漏 - 源极电压（ V）

5.输出特性

初步=

6.电容

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模拟电源

典型电气特性

VGS栅 - 源极电压（ V）

QG - 总栅极电荷（ NC）

0.5

-50

-25

= 75V

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

（归一化）

= 6A

2.5

AM20N15-250D

1.5

100

125

150

TJ -JunctionTemperature （ ° C）

7.栅极电荷

1000

10我们

200

PEAKTRANSIENT功率（ W）

180

160

140

120

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

100

100美

1毫秒

ID电流（A ）

10毫秒

100毫秒

1秒

10秒

100

美国证券交易委员会

IDM

极限

有限

通过RDS

0.1

0.01

0.1

100

VDS漏极至源极电压（ V）

1000

T1时间（秒）

8.安全工作区

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

9.单脉冲最大功率耗散

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 50

°C

P（ PK）

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.01

0.1

T1时间（秒）

100

1000

0.001

0.0001

0.001

10.归热瞬态结到环境

初步=

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包装信息

AM20N15-250D

注意：

1.所有尺寸以毫米为单位。

2.包装体尺排除毛边，突起或毛刺。模具闪光灯，突起或毛刺不得

超过0.10毫米每边。

立志在最极端的塑体独家模具闪光灯，门3.封装体尺寸

毛刺和引脚间，但包括的顶部和底部的塑体的不匹配。

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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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