数据表
AM150~AM1510
1.5安培硅微型单相桥
电压
特点
50至600伏
当前
1.5安培
AM
单位：英寸（毫米）
株型识别文件＃ E111753
等级为1000V PRV
浪涌过载评价：50安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价，利用模压塑料
安装位置：任意
1.2(30.5)MIN
.217(5.5)
.197(5.0)
.370(9.4)
.339(8.6)
技术
机械数据
案例：可靠的低造价，利用模压
塑料技术导致廉价的产品。
终端：信息每MIL -STD- 202 ，
方法208
极性：极性符号标记的身体。
重量0.05盎司， 1.3克
.220
(5.6)
.181
(4.6)
.220
(5
.181 .6)
(4.6
)
.031(0.8)
.028(0.7)
底部视图
最大额定值和电气特性
评价在25℃ Cambient温度，除非另有规定。电阻性或电感性负载，60赫兹。
对于容性负载电流20％ 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流T
A
=50
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
2
T级的融合（ t<8.35ms ）
每个桥接件最大正向电压降1.0A
最大DC反向电流额定阻断电压DC
典型结电容（注1 ）
每支架典型热阻（ （注2）
每支架典型热阻（ （注2）
工作和存储温度范围
存储温度范围
注意事项：
SYMBOL AM150
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
C
J
RΘJA
RJL
T
J
TSTG
AM151
100
70
100
AM152
200
140
200
AM154
400
280
400
1.5
50
10
1.0
AM156
600
420
600
1.0(25.4)MIN
AM158
800
560
800
AM1510
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
A
2
t
V
uA
pF
O
50
35
50
10 @ T
A
=25
O
C
1000 @ T
A
=100
O
C
24
36
13
-55 + 125
-55到+ 150
C / W
O
C
C
O
1.测得1.0 MHz和应用4.0伏特的反向电压。
从结点2到环境的热阻结点到铅安装在PCB 0.47 X 0.47" （ 12× 12毫米）铜焊盘。
STAD-SEP.05.2003
PAGE 。 1
硅微型单相桥式
COMCHIP
www.comchiptech.com
AM 100/150直通AM1010 / 1510
电压： 50 - 1000伏
电流： 1.0 - 1.5安培
AM
特点
等级至1000V PRV
浪涌overloadrating - 30/50安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的造价，利用模压塑料
安装位置：任意
机械数据
案例：可靠的低造价，利用
模压塑料技术成果在廉价的
产品
终端：每铅焊MIL -STD- 202 ，
方法208
极性：极性符号标记体上
重量0.05盎司， 1.3克
可用0.50英寸引线（ P / N加后缀“ S” ）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
AM100最大正向平均整流
AM100
目前在T
A
= 50°C
AM150
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
AM100
正弦波叠加在额定负荷
AM150
每个桥接件最大正向电压降1.0A
DC
额定牛逼最大反向电流
A
= 25°C
每个器件T阻断电压DC
A
= 100°C
I
2
T级的融合（ t< 8.35ms ）
每腿典型结电容（注1 ） CJ
每腿典型热阻（注2 ） RθJA
每腿典型热阻（注2 ） RθJL
工作温度范围T
J
储存温度范围T
A
AM100
AM150
50
35
50
AM101
AM151
100
70
100
AM102
AM152
200
140
200
AM104
AM154
400
280
400
1.0
1.5
30
50
1.0
10.0
1.0
10
24
36
13
-55到+125
-55到+150
AM106
AM156
600
420
600
AM108 AM1010
单位
AM158 AM1510
800
1000
V
560
700
V
800
1000
V
A
A
V
uA
mA
A
2
S
pF
° C / W
°C
°C
注意事项：
1.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压
从结点2到环境的热阻和结点导致米ounted PCB上同
0.47x 0.47 “ （ 12× 12毫米）铜垫
MDS0306001A
第1页
硅微型单相桥式
COMCHIP
www.comchiptech.com
评级和特性曲线（ AM100 / 150吨HRU AM1010 / 1510 ）
50
正向浪涌电流，
安培PK （半正弦波）
40
30
AM150系列
输出电流安培
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
50
100
150
AM150系列
AM100系列
20
10
AM100系列
0
2
4
6
10
20
40 60
100
循环次数在60Hz
环境温度， ℃，
图。 1至最大不重复浪涌
当前
5
图。 2 ，降额曲线输出整流
当前
瞬时FWD电流，
安培
瞬时反向
目前，
微安
4
3
2
1
.9
.8
.7
.5
.3
.2
.1
.07
.05
.03
.02
.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
典型
分配
MEDIAN
10
T
A
= 100°C
1.0
.1
T
A
= 25 °
C
.01
0
20
40
60
80
100
120
140
瞬时FWD电压，伏
百分之峰值反向电压
图。 3 ，典型正向特性（ 25 ° C）
图。 4 ，典型的反向特性
MDS0306001A
第2页
AM100 / 150 THRU AM1010 / 1510
1.0 1.5安培硅微型单相桥式
电压 - 50到1000伏特电流 - 1.0 1.5安培
AM
特点
l
l
l
l
l
等级至1000V PRV
浪涌过载rating- 30/50安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的造价，利用模压塑料
安装位置：任意
机械数据
案例：可靠的低造价，利用模压
塑料技术导致廉价的产品
终端：每铅焊MIL -STD- 202 ，
方法208
极性：极性符号标记体上
重量0.05盎司， 1.3克
可用0.50英寸引线（ P / N加后缀“ S” ）
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
AM100 AM101 AM102 AM104 AM106 AM108
AM1010单位
AM150 AM151 AM152 AM154 AM156 AM158
AM1510
V
50
100
200
400
600
800
1000
V
35
70
140
280
420
560
700
V
50
100
200
400
600
800
1000
A
1.0
1.5
A
30.0
50.0
1.0
V
10.0
1.0
10
24
36
13
-55到+125
-55到+150
A
mA
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
AM100
目前在T
A
=50
AM150
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
AM100
半正弦波叠加在额定负荷
AM150
每桥最大正向电压降
元素在1.0A DC
额定牛逼最大反向电流
A
= 25
每个器件T阻断电压DC
A
=100
I
2
T级的融合（ t< 8.35ms ）
每腿典型结电容（注1 ） CJ
每腿典型热阻（注2 ）R JA
每腿典型热阻（注2 ）R JL
工作温度范围T
J
储存温度范围T
A
A
2
S
P
F
/W
注意事项：
1.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压
从结点2到环境的热阻结点到铅安装在PCB同
0.47
×
0.47”(12
×
12毫米）铜垫
额定值和特性曲线
AM100 / 150 THRU AM1010 / 1510
图。 1 ，最大非重复浪涌电流图。 2 ，降额曲线输出整流
当前
图。 3 ，典型正向特性
图。 4 ，典型的反向特性
3.DATASHEET
AM150~AM1510
1.0安培硅微型单相桥
电压 - 50到1000伏特电流 - 1.5安培
AM
.217(5.5)
.197(5.0)
单位：英寸（毫米）
株型识别文件＃ E111753
特点
等级为1000V PRV
浪涌过载评价：50安培峰值
理想的印刷电路板
技术
安装位置：任意
可靠的低造价，利用模压塑料
.370(9.4)
.358(9.1)
机械数据
案例：可靠的低造价，利用模压
塑料技术导致廉价的产品。
终端：信息每MIL -STD- 202 ，
方法208
极性：极性符号标记的身体。
重量0.05盎司， 1.3克
可用0.50英寸引线（ P / N加后缀“ S” ）
1.2 （ 30.5 ） MIN
底部视图
.220(
5.6
.181( )
4.6)
最大额定值和电气特性
评价在25℃ Cambient温度，除非另有规定。电阻性或电感性负载，60赫兹。
对于容性负载电流20％ 。
.220(
5.6
.181( )
4.6)
.031(0.8)
.028(0.7)
1.0 （ 25.4 ） MIN
AM150
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流T
A
=50°C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms的singlehalf正弦波
叠加在额定负荷
I
2
T级的融合（T < 8.35毫秒）
每个桥接件最大正向电压降1.0A
额定牛逼最大反向电流
J
= 25°C
每个器件T阻断电压DC
J
=125°C
每腿典型结电容（注1 ） CJ
每腿典型热阻（注2 ） RθJA
每腿典型热阻（注2 ） RθJA
工作温度范围T
J
储存温度范围T
A
注意事项：
AM151
100
70
100
AM152
200
140
200
AM154
400
280
400
1.5
50.0
10.0
1.0
10.0
1.0
24.0
36.0
13.0
AM156
600
420
600
AM158
800
560
800
AM1510
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
A
2
t
V
A
mA
50
35
50
pF
° C / W
°C
°C
-55到+125
-55到+150
1.测得1.0 MHz和应用4.0伏特的反向电压。
从结点2到环境的热阻结点到铅安装在PCB 0.47 X 0.47" （ 12× 12毫米）铜焊盘。
日期： SEP.26.2002
PAGE 。 1
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