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模拟电源

N沟道40V （D -S ）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用一

高密度沟槽工艺，以提供低

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损失和发热

耗散。典型的应用是DC- DC

转换器和电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

SC70-6节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AM1440N

亲

DUCT总和

M RY

V (V

)

DS （ ON）

()

0.086 @ V

= 10 V

0.128 @ V

= 4.5V

SC70-6

顶视图

)

3.5

2.9

N沟道MOSFET

绝对最大

IMUM评级（T

= 25℃ ，除非OTHERW

ISE说明）

符号

BOL马克西姆

嗯单位

PARAM

ETER

漏源电压

±20

吃源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

3.5

2.9

±20

1.6

1.56

0.81

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

工作结储存温度

温度范围内

, T

英镑

-55到150

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号最大单位

thJA

100

166

吨< = 5秒

稳态

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步

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DS-AM1440_A

模拟电源

AM1440N

的specifica NS （T

= 25℃ ，除非

TIO

THERW

ISE NO

TED ）

PARAM

ETER

STATIC

吃-阈值V

oltage

吃-B

ODY L

EAKAGE

零加速度V

吃oltage

雨

光凭目前

正状态D

雨

光凭目前

符号

BOL

测试条件

LIM

ITS

单位

最小典型最大

±100

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

V = V，I

= 250微安

V = 0 V V = ±20 V

128

11.3

0.75

7.5

V = 32 V V = 0 V

V = 32 V V = 0 V T，

= 55 C

雨源 esistance

N-R

FORW Tranconductance

ARD

IODE FORW V

ARD oltage

V = 5 V V = 4.5 V

V = 10 V I

= 3.5 A

V = 4.5 V I

= 2.9 A

V = 10 V I

= 3.5 A

= 1.6 A，V = 0 V

DYNAM

共克碳

吃哈耶

吃-源性C

哈耶

吃-D

雨

哈耶

输入的C

APACITANCE

安输出

APACITANCE

EVERSE转移

APACITANCE

打开- O D用

elay添

添

ISE

打开- O D用

FF elay添

秋季添

V = 10 V V = 4.5 V I

= 3.5 A

0.6

1.0

720

165

V = 15 V V = 0 V

= 1MH

V = 10 V R = 15

= 1 A,

V = 4.5 V

根

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

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或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带

损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证

客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，

意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或

维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。

如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其

管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师

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