AM1214-300
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI AM1214-300
是专为
1400至00年兆赫L波段的应用。
包装风格.400 2L FLG ( A)
4x .062 x 45°
2xB
A
.040 x 45°
C
F
E
产品特点:
内部输入/输出匹配网络
公共基础
P
G
= 6.5分贝325 W / 1400 MHz的
Omnigold
金属化系统
IM
A
B
C
D
E
F
G
H
D
G
H
J
K
P
2xR
I
L
N
M
M IN IM ü M
英寸/ M M
M AXIM ü M
英寸/ M M
.135 / 3.43
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.690 / 17.53
.890 / 22.61
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.145 / 3.68
.120 / 3.05
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
.510 / 12.95
.710 / 18.03
.910 / 23.11
.006 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
18.75 A
55 V
730 W @ T
C
= 25 °C
-65 ° C到+ 250℃的
-65℃ + 200 ℃,
0.24 ° C / W
I
J
K
L
M
N
P
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
P
OUT
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 15毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
65
3.0
30
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
W
V
CE
= 5.0 V
I
C
= 5.0 A
10
6.3
40
270
6.8
45
300
---
V
CC
= 50 V
P
IN
= 63 W
F = 1235至1365年兆赫
条件:脉冲宽度= 50 μS
占空比= 4 %
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Rev. D的
1/2
错误!未找到引用源。
频率
1235兆赫
1300兆赫
1365兆赫
AM1214-300
Z
IN
()
2.5 + j5.0
1.5 + j3.5
1.0 + j3.5
Z
CL
()
2.0 – j2.5
2.5 – j2.5
2.0 – j3.0
测试电路
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Rev. D的
1/2
AM1214-300
.
.
.
.
.
.
.
.
RF &微波晶体管
L波段雷达应用
难治/镀金
辐射源网站碴
5 : 1 VSWR能力的
低热阻
输入/输出匹配
叠加几何
金属/陶瓷密封包装
P
OUT
=
270 W MIN 。 6.3 dB增益
0.400 X 0.500 2LFL ( S038 )
密封式
订货编号
AM1214-300
BRANDING
1214-300
描述
该AM1214-300装置是一个高功率晶体管
专门针对L波段雷达脉冲输出
把驱动程序和应用程序。
本设备是moder-设计用于操作
吃了脉冲宽度和占空比脉冲条件
并且能够承受5 : 1 VSWR输出
在额定RF条件。射频低热阻
和电脑自动引线键合技
niques确保高可靠性和产品consist-
ency 。
该AM1214-300是在BIGPAC HER-供给
metic M等人/陶瓷封装,我nternal
输入/输出匹配结构。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
引脚连接
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
价值
单位
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
英镑
功耗*
设备电流*
(T
C
≤
100°C)
730
18.75
55
250
65 200
W
A
V
°
C
°
C
集电极电源电压*
结温(脉冲RF操作)
储存温度
热数据
R
日(J -C )
结外壳热阻*
0.24
°
C / W
*仅适用于额定RF放大器操作
1992年9月
1/6