ALM-1412
GPS LNA ，滤波器前端模块
数据表
描述
Avago的ALM- 1412是一个LNA模块，用
集成滤波器，专为GPS频段应用在
1.575GHZ 。该LNA采用Avago Technologies公司专有的
GaAs增强模式pHEMT工艺来实现
高增益具有非常低的噪声指数和高线性度。
噪声系数分布非常严格的控制。一
CMOS兼容关机引脚被列入无论是
转动所述LNA的开/关，或进行电流调整。该
集成滤波器利用了Avago的leading-
边缘FBAR滤波器特殊排斥反应的Cell / PCS-
波段频率。
在ALM - 1412是可用低至1 V操作。它
实现了低噪声系数，高增益和线性，即使在
1 V ，使其更适用于低功耗GPS应用
应用程序或在电池电量不足的情况。
特点
超低噪声系数：1.3 dB（典型）
高增益：13.5 dB（典型）
高IIP3和IP1dB
特殊的Cell / PCS频带抑制
先进的GaAs E- pHEMT技术
低外部元件数量
宽电源电压： 1 V至3.6 V
关断电流： < 0.1 μA
CMOS兼容关机引脚（ SD ）电流@ 2.8 V ：
0.1毫安
通过一个外部可调电流
电阻器/电压
会见MSL3和无铅
ESD保护射频输入： 3千伏HBM
小型封装尺寸： 3.3 （ L） X2.1 （W ） X1.1 （H）毫米
3
应用
GPS频段LNA
分量图像
表面贴装3.3× 2.1× 1.1毫米
3
12导MCOB
12 VDD
11 GND
10 GND
产品规格（ 25°C时的典型表现）
在1.575 GHz时， VDD = 2.85 V ，国际长途= 8.0毫安
增益= 13.5分贝
NF = 0.82分贝
IIP3 = 7.0 dBm时， IP1dB = +2.7 dBm的
S11 = -8.4分贝， S22 = -12.3分贝
细胞的带外抑制： 54 dBc的
PCS频带抑制： 63 dBc的
在1.575 GHz时， 1.0 V电源
S21 = 8.8分贝
NF = 1.22分贝
IDD = 1.9毫安
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
对于RF_IN （引脚1 ） ： ESD人体模型= 3千伏
所有其它引脚： ESD机型号= 40 V
ESD人体模型= 300 V
请参考安华高科技应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治
RF_IN 1
GND 2
SD 3
GND 4
1412
wwyy
GND 5
GND 6
12 VDD
9 GND
8 FILTER -OUT
7 GND
顶视图
10 GND
9 GND
过滤器出口8
7 GND
GND 6
GND 5
GND 4
11 GND
1 RF_IN
2 GND
3 SD
底部视图
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 1412 ” =产品代码
“ YY ” =制造年份
制造“ WW ” =工作周
绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25°C
符号
VDD
国际直拨电话
P
IN，最大
P
DISS
T
j
T
英镑
T
参数
器件漏极至源极电压
[2]
漏电流
[2]
CW RF输入功率
（ VDD = 2.85 V ，国际长途= 9.0毫安）
总功耗
[4]
结温
储存温度
推荐的工作温度
单位
V
mA
DBM
mW
°C
°C
°C
绝对最大值。
3.6
20
15
72
150
-65到150
-40到85
热阻
[3]
（ VDD = 2.85 V，
IDD = 9 MA）
θ
jc
= 352.2 ° C / W
注意事项：
1.操作此设备超过了
所有的这些限制可能会造成永久性
损害。
2.假设DC静态条件。
使用测量3.热电阻
红外线的测量方法。
4.委员会（模块肚）温度T
B
is
25 ℃。减额2.84毫瓦/°C，对于T
B
> 125°C 。
电气规格
T
A
= 25 ° C， VDD = + 2.85V ， VSD = + 2.6V ，国际长途= 8毫安（典型值） ， R2 = 10 kΩ的，频率= 1.575GHZ - 典型性能
[8]
除非
另有规定ED 。
在额定工作条件见表1。性能表
符号
G
NF
[7]
IP1dB
IIP3
[9]
S11
S22
S12
细胞的带外抑制
PCS频带抑制
国际直拨电话
伊什
参数和测试条件
收益
噪声系数
输入1分贝压缩动力
输入3阶截取点（ 2音@ FC ± 2.5兆赫）
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
相对于1.575 GHz的@ 827.5兆赫
相对于1.575 GHz的@ 1885 MHz的
在关断电源的直流电流（ SD ）电压VSD = 2.6 V
关断电流@ VSD = 0 V
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
mA
μA
分钟。
11
-
-
-
-
-
-
45
45
-
-
典型值
13.5
0.82
2.7
7.0
-8.4
-12.3
-23
54
63
8.0
0.1
马克斯。
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
15
-
T
A
= 25 ° C， VDD = + 2.85V ， VSD = + 1.8V ，国际长途= 4.5毫安（典型值） ， R2 = 10 kΩ的，频率= 1.575GHZ - 典型性能
[8]
除非
另有规定ED 。
在VDD = + 2.85V ， VSD = + 1.8V ，国际长途= 4.5毫安（典型值）表2.典型性能
符号
G
NF
[7]
IP1dB
IIP3
[9]
S11
S22
S12
细胞的带外抑制
PCS频带抑制
国际直拨电话
伊什
参数和测试条件
收益
噪声系数
输入1分贝压缩动力
输入3阶截取点（ 2音@ FC ± 2.5兆赫）
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
相对于1.575 GHz的@ 827.5兆赫
相对于1.575 GHz的@ 1885 MHz的
在关断电源的直流电流（ SD ）电压VSD = 1.8 V
关断电流@ VSD = 0 V
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
mA
μA
典型值。
12.2
0.94
4.5
5.7
-7
-10.6
-22.6
55
61
4.5
0.1
注意事项：
7.对于噪声系数测量，输入板的损失还没有被扣除。
8.测量在1.575 GHz的用图6和图7所示的演示板获得。
9. 1.575 GHz的IIP3测试条件：F
RF1
= 1572.5兆赫，女
RF2
= 1577.5 MHz的每个音为-20dBm ，在最坏的情况下测得的侧输入功率
乐队。
2
VDD = 2 V， VDD = + 1.5V ， VDD = 1 V，频率= 1.575 GHz的 - 典型性能
[8]
（VSD = Vdd时， R 2 = 0欧姆）
在低工作电压与R2表3.典型性能（参见图6和图7 ）设置为0欧姆
符号
G
NF
[7]
IP1dB
IIP3
[9]
S11
S22
S12
带电池
拒绝
PCS频段
拒绝
国际直拨电话
伊什
参数和测试条件
收益
噪声系数
输入1分贝压缩动力
输入3阶截取点
（ 2音@ FC ±2.5兆赫）
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
相对于1.575 GHz的@ 827.5兆赫
相对于1.575 GHz的@ 1885 MHz的
供应直流电流
关断电流@ VSD = 0 V
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
mA
μA
VDD = 2 V
13.3
0.79
-0.8
8.4
-8.8
-12.4
-21.3
52.4
65.4
9.8
0.1
VDD - 1.5 V
12.2
0.88
-1.5
6.3
-7.4
-10.7
-20.2
54.3
64.5
5.6
0.1
VDD = 1V
8.8
1.22
-1.6
4.8
-4.8
-7.8
-17.7
54.8
64.2
1.9
0.1
注意事项：
7.对于噪声系数测量，输入板的损失还没有被扣除。
8.测量在1.575 GHz的用图6和图7所示的演示板获得。
9. 1.575 GHz的IIP3测试条件：F
RF1
= 1572.5兆赫，女
RF2
= 1577.5 MHz的每个音为-20dBm ，在最坏的情况下测得的侧输入功率
乐队。
3
1, 4
3
GND
VDD
R1
L1
C1
Z1
C2
L2
12
L3
50欧姆TL
C9
50欧姆TL
1
输入
MATCH
滤波器
8
2, 4, 5, 6, 7, 9, 10, 11
R2
2
SD
3
模块的外形
C3
图2演示板和应用原理图
注意事项：
图6的演示板是Rogers RO4350与典型的Dk = 3.48（ @ 10GHz的） 。
L3和模块内部的输入预匹配构成输入匹配网络。该RFIN脚1 ，被直接连接到一个分流电感器
该接地。射频输出滤波模块DC 。
该电路表明，非常低的噪声系数与标准的0402片式电感器，而不是高Q绕线电感获得。
C2和L 2构成的匹配网络在LNA级的输出端，它可以被调整以优化增益和回波损耗。例如，更高的
增益可以通过增加C2的值，但在稳定性为代价而获得。改变L2的值可以提高在PCS排斥反应，
但影响输出回波损耗。
L1是一种抗器，隔离测量过程中不受外部干扰的演示板。它并不需要在实际应用。同样，
C1和C3降低对VDD的外部噪声拾取和SD线的影响分别。这些组件不需要在实际
操作。
R1是稳定性增强电阻。
C9是隔直流电容器。它也不需要在实际的操作。
偏压控制是通过任一不同的SD电压（VSD）有/无R 2，或固定在SD电压Vdd和调节R 2为所需的实现
电流。 R2的典型值为10K欧姆8 mA的总电流在VDD = 2.85 V和VSD = 2.60 V.对于应用场合是比较合适的
有SD （ VSD ）连接到Vdd ， R2的一个12千欧的电阻值建议（其中VDD = 2.85 V） 。
用于低电压操作，例如Vdd的= 1.5伏或1.0伏， R 2也可以省略和SD （VSD）直接连接到Vdd 。
接地制度的ALM- 1412是实现在图9所示的PCS-和细胞波段拒收请参考在PCB临界
本文档的接地过孔的确切位置土地模式部分。
5
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