ALM-11336
1850兆赫 - 1980兆赫
低噪声，高线性度放大器模块
具有故障安全功能绕过
数据表
描述
Avago的ALM- 11336是一个易于使用的砷化镓
MMIC塔顶放大器（ TMA） ，低LNA模块
IL旁路路径。该模块具有低噪声和高线性
通过使用Avago Technologies公司propri-的实现
etary 0.25
mm
GaAs增强模式pHEMT工艺。
所有匹配组件内的完全集成
模块和50欧姆RF输入和输出管脚
已在内部交流耦合。这使得ALM- 11336
非常容易作为唯一的外部零件都是DC使用
电源旁路电容器。为了获得最佳性能
在其他频段， ALM- 11036 （ 776-870兆赫） ， ALM- 11136
（ 870-915兆赫）和ALM - 11236 （ 1710至1850年）是recom-
谁料。所有ALM - 11x36共享相同的封装和引脚
出的配置。
特点
非常低的噪声音响gure
低压旁路IL
良好的回波损耗
失效安全旁路模式
高线性度性能
高隔离@LNA模式
平坦的增益
的GaAs E - pHEMT技术
采用5 V单电源供电
紧凑的MCOB封装7.0× 10.0 X 1.5毫米
3
MSL2a
引脚配置和封装标识
7.0 X 10.0 X 1.5毫米
3
36引线MCOB
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
26
25
24
23
22
21
20
19
特定网络阳离子
1980年兆赫; 5 V 100 mA（典型值）
15.3分贝增益
≥ 18分贝RL
0.72分贝噪声系数
17.9 dBm的IIP3
在1分贝增益压缩3.8 dBm的输入功率
0.78分贝旁路IL
≥ 18分贝绕道RL
≥ 50分贝隔离@LNA模式
安华高
11336
wwyy
XXXX
针
4
1
2
3
4
5
6
7
8
连接
RF_IN
RF_OUT
EXT_P2
EXT_P1
VDD
GND
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
23
28
30
33
OTHERS
应用
塔顶放大器（ TMA ）
蜂窝基础设施
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 300 V
ESD人体模型= 2000 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 11336 ” =设备型号
“ WWYY ” =工作周和制造年份
“XXXX” =最后4位数的批号
绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25° C
符号
V
dd
P
IN，最大
P
DISS
T
j
T
英镑
参数
器件的电压，
射频输出端对地
CW RF输入功率
(V
dd
= 5.0 V，I
dd
= 100 mA时）
总功耗
[3]
结温
储存温度
单位
V
DBM
W
°C
°C
绝对最大值。
5.5
+15
0.715
150
-65到150
热阻
[2]
(V
dd
= 5.0 V，I
dd
= 100 mA时）
θ
jc
= 56.2 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用红外线测量2.热阻
测量技术。
3.功耗与单位打开。板
温度T
c
为25° C。在减免17.8毫瓦/°C的
对于T
c
> 109.8 ℃。
电气规格
[1, 4]
射频性能在T
A
= 25 ° C，V
dd
= 5 V ，1980兆赫，在演示板上，如图1与被测组分列于表1
直流旁路。
符号
I
dd
收益
参数和测试条件
漏电流
收益
频率（MHz）
1850
1910
1980
单位
mA
dB
分钟。
81
–
–
13.8
–
–
–
–
–
14
2.85
–
–
–
–
典型值。
100
15.6
15.4
15.3
23
28
0.72
0.72
0.72
17.9
3.8
0.78
23
23
65
马克斯。
117
–
–
16.8
–
–
–
–
0.9
–
–
1.1
–
–
–
IRL
ORL
NF
[2]
输入回波损耗， 50
来源
输出回波损耗， 50
负载
噪声系数
1850
1910
1980
dB
dB
dB
IIP3
[3]
IP1dB
旁路IL
绕道IRL
绕道ORL
ISOL
输入三阶截点
1 dB增益压缩输入功率
旁路插入损耗， 50
加载VDD = 0 V
输入回波损耗， 50
源VDD = 0V
输出回波损耗， 50
加载VDD = 0 V
旁路隔离@LNA从VDD = 5 V
1980
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
注意事项：
1.测量在1980 MHz的使用图1所示的演示板获得。
2.对于NF的数据时，输入的电路板损耗尚未解嵌。
3. IIP3测试条件：F
RF1
= 1980兆赫，女
RF2
= 1981 MHz的每个音-15 dBm的输入功率。
4.使用适当的偏置电压，散热器和降额，以确保最大通道温度不超过。见绝对最大额定值和应用
注意更多的细节。
2
产品的一致性分布图表
[1, 2]
LSL
USL
LSL
USL
80
85
90
95
100
105
110
115
14
15
16
17
图1.国际直拨电话， LSL = 81毫安，标称为100毫安， USL = 117毫安
图2.增益， LSL = 13.8分贝，标称= 15.3分贝， USL = 16.8分贝
USL
LSL
0.6
0.7
0.8
0.9
14
15
16
17
18
19
20
21
22
图3. NF ，标称= 0.72 dB时， USL = 0.9分贝
图4. IIP3 ， LSL = 14 dBm时，标称= 17.9 dBm的
LSL
LSL
3
4
-1.1
-1
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
图5. IP1dB ， LSL = 2.85 dBm时，标称= 3.8 dBm的
图6.旁路IL ， LSL = 1.1 dB的额定= 0.78分贝
注意事项：
1.分配数据样本量从3个不同的晶圆批次取1500的样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
间的上限和下限的任何地方。
2.电路迹损失尚未解嵌从测量的上方。
3
演示电路板布局
GND
V供电
安华高
技术
Z1
C1
C2
28 EXT_P2
30 EXT_P1
C3
36 GND
34 GND
35 GND
32 GND
31 GND
33的Vdd
29 GND
27 GND
Z2
26 GND
25 GND
24 GND
23 RF_OUT
22 GND
21 GND
20 GND
19 GND
GND
GND
GND
RF_IN
GND
GND
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
10
11
12
13
14
15
16
17
GND
18
GND
9
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
ALM-
rev1gi
March'10
低T.M.
GND
W 21.89
G 14.57
H 10
S 60
密尔
图7.演示板布局图
- 推荐的PCB材料是10密耳罗杰斯RO4350 。
- 建议的元件值可根据布局和PCB材料而有所不同。
- 2焊盘之间的走线之前Z2 0 （欧姆）放置被删除。
4
演示电路板原理图
的Vdd （5V）
Z1
Z2
C1
C2
27,29,31,32,34,35,36
EXT_P1
33
1,2,3
BIAS
5V
30
EXT_P2
28
24,25,26
4
RFIN
50
TL
5,6,7,8
5V
0V
23
RFOUT
19,20,21,22
9,10,11,12,13,14,15,16,17,18
模块的外形，
7毫米×10mm的
真值表
Vdd的（V）的
LNA模式
旁路模式
失效安全模式
5
0
NC
旁路和故障安全模式下也有类似的表现
图8.演示板原理图
对于1850年至1980年兆赫表1直流分量名单
部分
C1
C2
Z1
Z2
SIZE
0805
0402
0805
0603
价值
2.2
mF
（村田制作所）
NU
0
（ KAMAYA ）
0
（ KAMAYA ）
详细型号
GRM21BR61E225KA12L
NU
RMC1/8-JPTP
RMC1/16-JPTP
注意事项：
C1是一个直流旁路电容器。
Z1是0
电阻或保险丝。
Z2是0
电阻器，如果不使用外部函数块。
5
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