A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD810023/ALD810024/ALD810025/
ALD810026/ALD810027/ALD810028
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD超级电容器自动平衡（ SAB
） MOSFET阵列
概述
该ALD8100xx和ALD9100xx家超级电容器自动平衡的
的MOSFET ，或SAB MOSFET的，是EPAD
MOSFET的设计
串联的超级电容器的地址泄漏的平衡。
超级电容器，也CON组时，被称为超级电容器或超级电容器，
连接的两个系列，可以用一个ALD9100xx双包进行平衡。
超级电容器连接在一起的两个，三个或四个串联的可与相平衡
ALD8100xx四包。
ALD SAB的MOSFET具有独特的电气特性活跃的CON-
连续的漏电流调节和堆叠串联的自我平衡
连接的超级电容器，并在同一时间，消耗接近于零的泄漏
电流，实际上消除了额外的功耗。对于许多
应用程序， SAB MOSFET自动充电平衡提供了一个简单，
经济又有效的方法来平衡和调节超级电容器
电压。与SAB的MOSFET时，在串联连接的电池堆的每个超级电容器
不断和自动控制精密有效的超级电容
漏电流和电压平衡。
SAB的MOSFET提供了一个优越的替代解决方案等被动
电阻型或运营基于放大器的平衡方案，其中
通常由于线性电流的贡献连续功率耗散
所有电压电平。它们也是一个优选的替代许多其他
活跃的超级电容器充电和平衡稳压器IC ，其中在权衡
成本，效率，复杂性和功耗是重要的设计
注意事项。
该SAB MOSFET，可提供跨超级电容的电压调节
通过增加其漏电流呈指数横跨超级电容器时，细胞
超级电容器电压的增加，并且通过降低其漏电流
指数在整个超级电容器超级电容器时，电压下降。
当在一个超级电容器堆叠一个超级电容器被充电到电压小于
90％的所期望的电压极限，在整个超级电容器的SAB的MOSFET的
被关断，并有来自SAB的零漏电流的贡献
MOSFET。另一方面，当整个超级电容器的电压为
在所期望的电压范围，则SAB MOSFET导通，以增加
它的漏极电流，以保持过电压从整个超级电容器上升。
然而，在堆栈上的电压和其它超级电容器的泄漏是
同时降低保持接近零的净漏电流。
该ALD8100xx / ALD9100xx SAB MOSFET系列为用户提供了一个SE-
不同的阈值电压经文为各种超级电容器额定电压
时代的价值观和期望泄漏的平衡特性。每个SAB
MOSFET通常需要它的V +引脚连接到最积极
电压和它的V形和IC引脚中的最负的电压
封装。需要注意的是每个漏极引脚有一个内部的反向偏置的二极管
到它的源极引脚，并且每个门销具有反向偏置的二极管， V-。所有
其它的管脚必须在V +和V-电压限制电压。标准
ESD防护设施和处理程序，对静电敏感DE-
虎钳，也必须使用。
订购信息
（ “L”的后缀
表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
16引脚SOIC封装
ALD810023SCL
ALD810024SCL
ALD810025SCL
ALD810026SCL
ALD810027SCL
ALD810026SCL
特点&贝内连接TS
简单和经济的使用
精密工厂调整
自动调节和平衡泄漏电流
有效的超级电容器电荷平衡
余额达4超级电容器用一个IC封装
天平2节， 3节， 4节串联的超级电容器
可扩展到更大的超级电容堆和数组
近零额外的漏电流
零泄漏低于额定电压0.3V
平衡串联连接和并联连接
泄漏电流是电池电压的指数机能的
有功电流范围为< 0.3nA到> 1000μA
始终活跃，总是快速响应时间
最大限度地减少漏电流和功耗
应用
串联的超级电容器电池的泄漏平衡
能量收集
零功耗分压器在选定的电压
匹配的电流镜和电流源
零功耗模式下的最大电压限制器
扩展的超级栈和阵列
引脚配置
ALD8100xx
IC *
1
M1
M2
16
15
14
V-
V-
13
12
M4
M3
11
10
V-
V-
9
IC *
D
N2
G
N2
S
N2
V+
D
N3
G
N3
S
N3
D
N1
2
G
N1
3
S
N1
4
V-
5
D
N4
6
G
N4
7
S
N4
8
SCL套餐
* IC引脚内部连接在一起，连接到V-
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值。
2013先进的线性器件公司，弗斯。 1.0
www.aldinc.com
1 17
典型应用
典型的连接对于一个
四，超级电容器STACK
ALD8100xx引脚图
IC *
1
M1
M2
16
15
14
V-
V-
13
12
M4
M3
11
10
V-
V-
9
IC *
D
N2
G
N2
S
N2
V+
D
N3
G
N3
S
N3
V+
1
2
+
16
M1
M2
15
14
V-
V-
13
12
M4
M3
11
10
V-
V-
9
+
C3
V
+
+
C2
V1
D
N1
2
G
N1
3
S
N1
4
V-
3
4
C1
V1
V3
5
5
6
D
N4
6
G
N4
7
S
N4
V2
+
C4
7
8
8
的一个典型原理图
连接对于一个四超级电容器STACK
ALD8100XX
V+
≤
+15.0V
IDS （ ON）
≤
80mA
示例ALD810025连接
在四个系列中的超级电容器
ALD810025
V+ = 10.0V
2, 12
3
M1
4
15
14
M2
13
11
10
M3
9
6
7
M4
+
C1
V1
3
2, 12
VT = 2.5V +
M1
C1
4
15
Vt=2.5V
V1
≈
7.5V
+
C2
V2
≈
5.0V
VT = 2.5V +
C3
V3
≈
2.5V
VT = 2.5V +
C4
+
C2
V2
14
M2
13
11
+
C3
V3
10
M3
9
6
+
C4
7
M4
1, 5, 8, 16
1, 5, 8, 16
1-16表示封装引脚号码
的C1-C4表示超级电容器
1-16表示封装引脚号码
的C1-C4表示超级电容器
ALD810023 ， ALD810024 ， ALD810025 ，
ALD810026 ， ALD810027 ， ALD810028
先进的线性器件公司
2 17
典型应用（续）
SAB典型的并联
WITH TWO超级电容器的MOSFET
ALD8100XX
V+
≤
+15.0V
IDS （ ON）
≤
80mA
2, 12
3
M1
4
11
10
V1
的两个四超级电容器串联
STACKS每一种都有各自
SAB MOSFET封装
V+
≤
+30.0V
（2× 15.0V ）
15
14
M2
13
6
7
M4
+
2, 12
C1
IDS （ ON）
≤
80mA
+
C1A
3
M1
4
15
+
+
M3
9
C2
14
ALD8100XX
堆栈1
V + - VA
≤
+15.0V
M2
13
11
C2A
1, 5, 8, 16
10
+
M3
9
6
+
C3A
1-16表示封装引脚号码
C1-C2表示超级电容器
7
M4
C4A
示例ALD810025连接
横跨两个超级电容器系列
V+ = 10.0V
1, 5, 8, 16
VA
2, 12
3
M1
4
15
14
ALD810025
+
C1B
2, 12
3
M1
4
15
14
M2
13
11
10
M3
9
6
7
M4
V1
≈
5.0V
7
+
C1
ALD8100XX
STACK 2
VA
≤
+15.0V
M2
13
11
+
C2B
10
+
M3
9
6
+
C3B
+
M4
C4B
C2
1, 5, 8, 16
1, 5, 8, 16
1-16表示封装引脚号码
C1A - C4B表示超级电容器
1-16表示封装引脚号码
C1-C2表示超级电容器
ALD810023 ， ALD810024 ， ALD810025 ，
ALD810026 ， ALD810027 ， ALD810028
先进的线性器件公司
3 17
典型应用（续）
SAB典型的串联
与三个超级电容器的MOSFET
ALD8100XX
V+
≤
+15.0V
IDS （ ON）
≤
80mA
+
两个三，超级电容器串联
STACKS每一种都有各自
SAB MOSFET封装
V+
≤
+30.0V
（2× 15.0V ）
2, 12
3
M1
4
15
14
M2
13
11
10
9
1, 5, 6, 7, 8, 16
M3
+
C3
V2
+
C2
C1
IDS （ ON）
≤
80mA
2, 12
3
V1
M1
4
15
+
C1A
ALD8100XX
堆栈1
V + - VA
≤
+15.0V
14
M2
13
11
+
C2A
10
9
M3
+
C3A
1, 5, 6, 7, 8, 16
1-16表示封装引脚号码
C 1 -C 3表示超级电容器
2, 12
VA
示例ALD810028连接
在三个系列中的超级电容器
V+ = 8.1V
3
+
M1
4
15
+
C1B
ALD810028
14
ALD8100XX
STACK 2
VA
≤
+15.0V
V1 = 5.4V
Vt=2.8V
+
C2
V2 = 2.7V
VT = 2.8V +
C3
M2
13
11
C2B
3
2, 12
VT = 2.8V +
C1
M1
4
15
10
9
M3
+
C3B
14
M2
13
11
1, 5, 6, 7, 8, 16
10
9
M3
1-16表示封装引脚号码
C1A - C3B表示超级电容器
1, 5, 6, 7, 8, 16
1-16表示封装引脚号码
C 1 -C 3表示超级电容器
ALD810023 ， ALD810024 ， ALD810025 ，
ALD810026 ， ALD810027 ， ALD810028
先进的线性器件公司
4 17
表1.超级电容器自动平衡（ SAB
）等效MOSFET的导通电阻AT
不同的漏极 - 栅极源电压和漏源电流的
汲极门
网关
ALD部分
数
门槛
电压
VT （ V）
ALD910028
2.80
来源
电压（V）的
2
SAB MOSFET漏源电流
IDS （ ON） （
A)
1
TA = 25
°
C
0.0001
2.4
24000
2.3
23000
2.2
22000
2.1
21000
2.0
20000
1.9
19000
0.001
2.5
2500
2.4
2400
2.3
2300
2.2
2200
2.1
2100
2.0
2000
0.01
2.6
260
2.5
250
2.4
240
2.3
230
2.2
220
2.1
210
0.1
2.7
27
2.6
26
2.5
25
2.4
24
2.3
23
2.2
22
1
2.8
2.8
2.7
2.7
2.6
2.6
2.5
2.5
2.4
2.4
2.3
2.3
10
2.9
0.29
2.8
0.28
2.7
0.27
2.6
0.26
2.5
0.25
2.4
0.24
100
3.02
0.030
2.92
0.029
2.82
0.028
2.72
0.027
2.62
0.026
2.52
0.025
300
3.1
0.01
3.0
0.01
2.9
0.01
2.8
0.01
2.7
0.009
2.6
0.009
1000
3.24
0.003
3.14
0.003
3.04
0.003
2.94
0.003
2.84
0.003
2.74
0.003
3000
3.3
0.001
3.2
0.001
3.1
0.001
3.0
0.001
2.9
0.001
2.8
0.001
10000
3.8
0.0004
3.7
0.0004
3.6
0.0004
3.5
0.0004
3.4
0.0003
3.3
0.0003
等效导
电阻（M
)
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
ALD910027
2.70
ALD910026
2.60
ALD910025
2.50
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
ALD910024
2.40
ALD910023
2.30
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
汲极门
ALD部分
数
网关
来源
门槛
电压（V）的
2
电压
等效导
VT （ V）
电阻（M
)
2.80
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
VGS = VDS （ V）
RDS （ ON） （ MΩ ）
SAB MOSFET漏源电流
IDS （ ON） （
A)
1
TA = 25
°
C
0.0001
2.4
24000
2.3
23000
2.2
22000
2.1
21000
2.0
20000
1.9
19000
0.001
2.5
2500
2.4
2400
2.3
2300
2.2
2200
2.1
2100
2.0
2000
0.01
2.6
260
2.5
250
2.4
240
2.3
230
2.2
220
2.1
210
0.1
2.7
27
2.6
26
2.5
25
2.4
24
2.3
23
2.2
22
1
2.8
2.8
2.7
2.7
2.6
2.6
2.5
2.5
2.4
2.4
2.3
2.3
10
2.9
0.29
2.8
0.28
2.7
0.27
2.6
0.26
2.5
0.25
2.4
0.24
100
3.04
0.030
2.94
0.029
2.84
0.028
2.74
0.027
2.64
0.026
2.54
0.025
300
3.14
0.01
3.04
0.01
2.94
0.01
2.84
0.01
2.74
0.009
2.64
0.009
1000
3.32
0.003
3.22
0.003
3.12
0.003
3.02
0.003
2.92
0.003
2.82
0.003
3000
3.62
0.001
3.52
0.001
3.42
0.001
3.32
0.001
3.22
0.001
3.12
0.001
10000
4.22
0.0004
4.12
0.0004
4.02
0.0004
3.92
0.0004
3.82
0.0004
3.72
0.0004
ALD810028
ALD810027
2.70
ALD810026
2.60
ALD810025
2.50
ALD810024
2.40
ALD810023
2.30
选择一个SAB的MOSFET器件的依赖于一组所希望的电压 - 电流特性的紧密匹配所选择的额定偏置电压和
偏置电流，提供了一个超级电容负载的最佳泄漏和调节信息。室速表，其中漏栅源极电压（ VGS = VDS）提供
的范围内的VGS = VDS偏置电压作为不同Vsupercap负载电压。在每一个VGS = VDS偏置电压，相应的漏源电流
（IDS （ON） ），由一个特定的SAB的MOSFET ，它可以被看作是当前可用的量，以补偿超级电容器的漏电流产生的
不平衡，并导致整个超级电容电池的等效导通电阻（ R DS（ON ））。选择一个超级电容器的偏置电压与SAB的MOSFET的
入侵检测系统（ON），即对应于最大超级电容器的漏电流会导致漏电流平衡和之间的最佳折衷
电压调节。
注释：1） SAB的MOSFET漏源ON电流（IDS （ON））的最大电流，以抵消所述的超级电容器的漏电流。
2）漏栅源极电压（ VGS = VDS ）通常是相同的跨超级电容器的电压。
ALD810023 ， ALD810024 ， ALD810025 ，
ALD810026 ， ALD810027 ， ALD810028
先进的线性器件公司
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