A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD4501
QUAD精密高速微功耗定时器
概述
该ALD4501计时器是一个高性能的QUAD单片定时电路
建有先进的硅栅CMOS技术。它提供的好处
高输入阻抗，从而允许更小的定时电容器和
较长的时间周期;高速与500ns的典型循环时间;低功耗
功耗电池供电环境;并降低电源电流
尖峰允许更小，成本更低的去耦电容。每个
四个定时器可在任一单稳态独立运行，
非稳态，或50％的占空比模式。
每个定时器能够产生精确的时间延迟和振荡的
无论单稳态和非稳态操作。它工作在单次
（单稳态）模式或占空比为50％的自由运行振荡模式与
单个电阻器和一个电容器。的输入和输出是完全
与CMOS ， NMOS和TTL逻辑兼容。
有三种匹配的内部电阻（约200KΩ每个）
该设置阈值和触发水平的三分之二和三分之一的respec-
第五tively
+
.
这些水平可通过使用控制终端进行调整。
当触发输入为触发电平以下时，输出处于高
状态和采购2毫安。当阈值输入高于该阈值
在相同的时间级的触发输入到触发电平，内部
触发器复位，输出变为低电平状态和吸收高达10mA的电流。该
复位输入将覆盖所有其他输入，当它处于活动状态（复位电压不
小于1V ）时，输出为低状态。所有四个定时器共享相同的控制
和复位引脚，这样的定时功能是同步的。
特点
高速运转 - 2MHz的典型的振荡电压为5V
每个放电输出吸收电流： 40毫安在5V
2保证较低的工作电源电压为12V
每个定时器在功能上等同于用NE555大大扩展
高频和低频范围
高速，低功耗，单芯片CMOS技术
供应低电流150μA典型
极低的触发，阈值和复位电流 - 典型为10pA
可以工作在单稳态和非稳态模式
固定的50％占空比的或可调整的占空比
CMOS ， NMOS和TTL兼容输入/输出
低电源电流尖峰
应用
.
高速单次（单稳态）
脉冲产生
精密计时
连续计时
长延时定时器
脉冲宽度和脉冲位置
调制
缺少脉冲检测器
分频器
同步定时器
引脚配置
RST
DSC
1
TRIG
1
DSC
2
TRIG
2
DSC
3
TRIG
3
DSC
4
TRIG
4
V
-
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
+
OUT
1
THRES
1
OUT
2
THRES
2
OUT
3
THRES
3
OUT
4
THRES
4
CONT
DE ， PE ， SE包装
框图（每个定时器）
V
+
RESET
订购信息
工作温度范围*
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
20-Pin
CERDIP
包
ALD4501 DE
20-Pin
小尺寸
封装（ SOIC ）
ALD4501 SE
20-Pin
塑料DIP
包
ALD4501 PE
门槛
控制
R
R
S
放电
R
产量
TRIGGER
R
V
-
*联系工厂的工业温度范围
1998先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com
典型性能特性
放电输出灌电流作为
FUNCTION排放低电压
100
放电吸收电流（毫安）
800
最小脉冲宽度
REQUIRED触发
最小脉冲宽度（ NS ）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
V
+
= 2V
V
+
= 5V
V
+
= 12V
T
A
= 25°C
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.01
T
A
= 25°C
V
+
= 12V
V
+
= 2V
V+ = 5V
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
排放低电压（ V）
触发电压最低水平
PULSE （ ％V
+
)
自由运行频率作为
的R功能
A,
R
B
和C
10 μF的
频率变化率（％ ）
频率变化对非稳态模式
随着供应电压的函数
+4
+3
+2
+1
0
-1
-2
-3
-4
1 μF的
100
F
( R
A
- 2R
B
)
T
A
= 25°C
电容
10
F
1
F
100 nF的
10 nF的
1 nF的
100 pF的
0.1 1.0 10
100 1K 10K 100K 1M 10M 100M
频率（Hz）
1K
10
10
K
1M 0K
10
10
M
0M
0
2
4
6
8
10
12
电源电压（ V）
时间延迟单稳态模式
作为R的函数
A
和C
10 μF的
电源电流的函数
电源电压
300
电源电流（ μA ）
1 μF的
100
F
T
A
= 25°C
R
A
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
TA = - 40°C
TA = + 20℃
TA = + 85°C
电容
10
1
F
100 nF的
10 nF的
1 nF的
100 pF的
100ns的10微秒为1μs 100μs的10毫秒1毫秒1秒100毫秒
10
10
M
0M
1K
10
K
0K
10
F
1M
1G
10s
100s
0
2
4
6
8
10
12
延时
电源电压（ V）
ALD4501
先进的线性器件
9-3
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