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A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ,
I
NC 。
ALD2332A/ALD2332B/ALD2332
双路精密CMOS电压比较器
采用推挽式驱动器
概述
该ALD2332A / ALD2332B / ALD2332是单片高性能
建有先进的硅栅双精密电压比较器
EPAD
CMOS技术,用于高精度模拟应用
系统蒸发散。该ALD2332A / ALD2332B / ALD2332具有超低输入偏置
电压和电流,在其输入端的前置放大器,高精度电压的COM
parator和高电流输出驱动器集成在芯片上,在一个工业
标准引脚8引脚PDIP或SOIC封装。主要特性包括:
1012非常高的典型输入阻抗
;
低输入偏置电流
为10pA ; 520ns仅10mV的输入阶跃信号的快速响应时间;很
每个比较器175μA的低功耗;单(+ 5V)或双
( ± 5V )电源操作;和50毫安推挽输出驱动器。
输入电压范围包括地面,这使得这些compara-
器非常适用于单电源低电平信号检测与高源
阻抗。该输出可以提供和吸收电流允许
应用的灵活性。它们可以是有线的,或结合使用
没有上拉电阻或推挽配置。 ALD2332A / ALD2332B /
ALD2332也可以与其他开放线或连接使用
漏极电路,诸如ALD2331 / ALD2303电压比较器。
该ALD2332A / ALD2332B / ALD2332电压比较器非常适合
种类繁多的高精度模拟电压比较器的应用程序,
特别是在需要低待机低电平信号检测电路
功率和高输出电流。
特点
保证驱动200Ω负载
30LS TTL负载的扇出
175μA的低电源电流每个比较器
的LM193型工业标准电压比较器引脚排列
极低的输入偏置电流 - 通常为10pA
几乎消除了信号源阻抗的影响
4V低工作电源电压为10V
单( + 5V )和双电源( ± 5V )操作
高速的大型和小型的信号 -
180ns的TTL输入和400ns的为20mV的过载
CMOS , NMOS和TTL兼容
推挽输出电流源/消耗
高输出电流下沉 - 通常50毫安
低电源电流尖峰
高增益 - 100V / MV
OUT
1
-IN
1
+ IN
1
GND
1
2
3
4
SAL , PAL套餐
应用
MOSFET驱动器
高源阻抗电压比较
电路
多限制窗口比较器
电源电压监控器
光电探测器传感器电路
高速的LED驱动器
振荡器
电池操作的仪器
远程信号检测
多个继电器驱动器
好处
简单的精密基准电压设定
片上输入预放大器和输出
缓冲器
无需精密电压比较
预扩增fi er
无需使用第二个电源
消除上拉电阻
引脚配置
8
7
6
5
V
+
OUT
2
-IN
2
+ IN
2
框图
(8) V
+
订购信息
( “L ”后缀无铅版)
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
8引脚小外形
封装( SOIC )
ALD2332ASAL
ALD2332BSAL
ALD2332SAL
8-PinPlastic
DIP封装
ALD2332APAL
ALD2332BPAL
ALD2332PAL
反相输入
-IN
1
(2)
同相输入
+ IN
1
(3)
V
+
反相输入
-IN
2
(6)
同相输入
+ IN
2
(5)
(4)接地
(7)输出
2
(1)输出
1
*联系工厂含铅(非RoHS指令)或高温的版本。
2.0版 2010高级线性器件公司415塔斯曼车道,桑尼维尔,CA 94089-1706电话: ( 408 ) 747-1155传真: ( 408 ) 747-1286
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绝对最大额定值
电源电压,V +
迪FF erential输入电压范围
功耗
工作温度范围PAL , SAL包裹
存储温度范围
焊接温度10秒
+10.6V
+ +0.3V
-0.3V到V
600毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
TA = 25
°
(C V) + = + 5V ,除非另有说明
2332A
参数
供应
电压
供应
当前
电压增益
输入失调电压
输入失调电流
1
输入偏置电流
1
共模输入
2
电压范围
低水平汇
输出电压
低水平汇
输出电流
高水平源
输出电压
响应时间
2
2332B
最大
±5
10
±2
4
350
典型值
最大
±5
10
500
±2
4
2332
典型值
最大
±5
10
350
500
单位
V
V
A
测试条件
双电源
单电源
空载
两个比较器
RLOAD
15K
RLOAD
1.5K
符号
VS
V+
IS
±2
4
典型值
350
500
AVD
VOS
IOS
IB
VICR
50
150
0.02
0.01
0.01
0.5
20
20
V+ -1.5
50
150
0.5
0.01
0.01
1.0
20
20
V+ -1.5
50
150
1.0
0.01
0.01
2.0
20
20
V+ -1.5
V / MV
mV
pA
pA
V
-0.3
-0.3
-0.3
VOL
0.15
0.4
0.15
0.4
0.15
0.4
V
ISINK = 12毫安
VINPUT = 1V差
VOL = 1.0 V
沉输出ON
ISOURCE = -2mA
源输出ON
RL = 5.1KΩ , CL = 15pF的
为5mV输入步骤/
0mV高速
RL = 5.1KΩ , CL = 15pF的
1mVInput步骤/
0mV高速
RL = 5.1KΩ , CL = 15pF的
100mV的输入步骤/
20mV的OVERDRIVE
RL = 5.1KΩ , CL = 15pF的
TTL电平输入步骤
VINPUT = 0V至2.5V
V + = 4V至5V
IOL
24
50
24
50
24
50
mA
VOH
3.5
4.5
3.5
4.5
3.5
4.5
V
激进党
1.1
1.1
1.1
s
激进党
2.4
2.4
2.4
s
激进党
400
400
400
ns
激进党
180
180
180
ns
共模
抑制比
电源
抑制比
注意事项:
1
2
CMRR
80
80
80
dB
PSRR
75
75
75
dB
由结漏电流的
样品测试参数
ALD2332A/ALD2332B/ALD2332
先进的线性器件
2 11
典型性能特性
传输功能
常见 - 模电压极限( V)
0.5
V+
-0.5
-1.0
+5.0
常见 - 模电压所提述
TO增刊电压
Y
输出电压(V)
T
A
= 25°C
V
S
=
±
2.5 V
0.0
0.5
V-
-0.5
-55
-25
0
25
50
75
100
-5.0
-2.5
0.0
差分输入电压(毫伏)
+2.5
125
温度(℃)
总电源电流与
总电源电压
550
电源电流与温度的关系
V+
电源电流(
A)
电源电流( μA )
500
400
300
200
100
2.0
-
+
T
A
= 25°C
R
L
=
500
450
400
350
300
250
200
V
S
=
±2.5V
空载
所有比较
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
-55
-25
0
25
50
75
100
125
电源电压( V)
温度(℃)
FROM V输出高电压
+
(V)
归一化输入失调电压
与温度的关系
+3
输出高电压
- 电源电压
V
+
-0.6
V
+
-0.5
V
+
-0.4
V
+
-0.3
V
+
-0.2
归一化输入OFFSET
电压(毫伏)
+2
+1
0
-1
-2
-3
-55
-25
0
25
50
V
CM
= 0V
V
S
=
±2.5V
T
A
= 25°C
I
OH
= -2mA
V
+
-0.1
V
+
75
100
125
2
4
温度(℃)
8
电源电压( V)
6
10
12
ALD2332A/ALD2332B/ALD2332
先进的线性器件
3 11
典型性能特性(续)
输出低电压
- 电源电压
0.6
输出低电压( V)
1000
输入偏置电流与温度
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
2
4
T
A
= 25°C
I
OL
= 12毫安
输入偏置电流( PA)
V
+
= +5V
100
10
1
8
电源电压( V)
6
10
12
0
-55
-25
0
25
50
75
100
125
环境温度(
0
C)
低电平输出电压
与温度的关系
输出饱和电压( V)
饱和电压主场迎战灌电流
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
15
30
45
T
A
= -55
0
C
60
75
V
+
= +5V
T
A
= 125
0
C
T
A
= 85
0
C
T
A
= 25
0
C
T
A
= -25
0
C
低电平输出电压( V)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-55
-25
0
25
50
75
100
125
I
SINK = 12毫安
V
INPUT =
1V
迪FF erential
V = +3.5V
+
V = +5V
+
V
+
= +10V
环境温度( ℃)
输出灌电流(mA)
高电平输出电压 -
温度
高电平输出VOTAGE ( V)
10.0
输入失调电压与温度
输入失调电压(MV )
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
V = +5V
+
R
L
= 5.1K
8.0
6.0
V
+
= +10V
I
OH
= -2mA
V
+
= +2.5V
V
+
= +5V
4.0
2.0
0.0
-55
-25
0
25
50
75
100
125
V
+
= +4V
-55
-25
0
25
50
75
100
125
环境温度( ℃)
环境温度( ℃)
ALD2332A/ALD2332B/ALD2332
先进的线性器件
4 11
典型性能特性(续)
共模抑制比
与温度的关系
共模抑制模式
( dB)的
90.0
输出电压
(V)
响应时间各种输入
过驱动
6.0
R
L
= 5.1K
50mV
20mV
3.0
2.0
1.0
0.0
V = +5V
+
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
-55
-25
0
25
50
V
+
= +5V
R
L
= 5.1K
C
L
= 15pF的
输入步骤
5.0
4.0
10mV
为5mV为2mV
1mV
T
A
= 25
0
C
75
100
125
-1.0
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3.0
时间(μs )
环境温度( ℃)
响应时间各种输入
过驱动
电源抑制比
( dB)的
6.0
5.0
输出电压
(V)
电源抑制比
vs.Temperature
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
-55
-25
0
25
50
75
100
环境温度(
0
C)
125
V = +5V
R
L
= 5.1K
+
1mV
4.0
3.0
2.0
1.0
50mV
0.0
-1.0
0.0 0.3 0.6 0.9
1.2 1.5 1.8
时间(μs )
2.1 2.4 2.7
3.0
20mV
10mV
2mV
+
V = + 5V牛逼
A
= 25
0
C
5mV
R
L
= 5.1K
C
L
= 15pF的
输入步骤
ALD2332A/ALD2332B/ALD2332
先进的线性器件
5 11
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