EPAD性能特点
精密匹配的一对MOSFET阵列系列
ALD2108xx / ALD2148xx / ALD2129xx / ALD2169xx精度高
单片四核/双N沟道MOSFET阵列增强
在ALD1108xx / ALD1109xx EPAD版本
MOSFET系列，与
增加正向跨导和输出电导，在 -
在非常低的电源电压倾向于进行操作。这些描述
恶习也能亚阈值操作与OP- <1nA
展业务的供电电流和同时提供更高的输出
把驱动电流（典型值>50毫安） 。它们的特点是精度门关 -
设置电压，V
OS
，其定义为在V中的差
GS （ TH）
间
MOSFET对M1和M2或M3和M4 。
ALD的电可编程模拟器件（ EPAD
）技
术提供了业界唯一匹配的MOSFET家族转录
电阻取值与一系列精密栅极阈值电压值。所有
这个家庭的成员设计并积极编程
设备的电气和温度特殊字符匹配
开创性意义。栅极阈值电压V
GS （ TH）
值的范围为-3.50V
消耗模式为+ 3.50V增强型器件，包括
与V标准的产品
GS （ TH）
在-3.50V规定， -1.30V ， -0.40V ，
+ 0.00V ， 0.20V + ， + 0.40V ， 0.80V + ， + 1.40V和+ 3.30V 。 ALD可
还提供了任何客户需要的V
GS （ TH）
-3.50V之间
+ 3.50V的特殊订货的基础。所有这些设备ALD EPAD
技术使优秀的良好控制栅极阈值电压
年龄，亚阈值电压和低泄漏特性。同
良好匹配的设计和精密的编程，从differ-单位
耳鼻喉科生产批次提供具有卓越匹配的用户和
均匀的特点。建在同一块IC芯片上时，
单位也有良好的温度跟踪特性。
这ALD2108xx / ALD2148xx / ALD2129xx / ALD2169xx EPAD
MOSFET阵列产品系列（ EPAD MOSFET ）有三种可用
不同的类别，每个提供一个完全不同的一套elec-
Trical公司的规格和特点。第一类是
ALD210800A / ALD210800 / ALD212900A / ALD212900零阈值
老模式EPAD的MOSFET 。二是ALD2108xx /
ALD2129xx增强模式MOSFET的EPAD 。第三CAT-
egory包括ALD2148xx / ALD2169xx耗尽型EPAD
的MOSFET。 （后缀“ XX”是指以0.1V阈值电压，
例如， XX = 08表示0.80V ） 。对于每一个设备，有一个
零温度系数偏置电流和偏置电压点。当设计
利用这样的特征，那么栅阈值电压是温度
TURE稳定，极大地简化了某些设计中的稳定性
某些电路参数的温度范围内是理想的。
ALD210800A / ALD210800 （四）和ALD212900A / ALD212900
（双） EPAD MOSFET是在零门槛MOSFET晶体管
其中每个MOSFET的各个栅极阈值电压被设置
于零，定义为V
GS （ TH）
= 0.00V ，在我
DS （ ON）
= 10μA @ V
DS （ ON）
= + 0.1V 。零阈值的MOSFET在增强操作
上述阈值电压时，操作区域（V
GS
> 0.00V和
I
DS
> 10μA ）和亚阈值区时，在等于或低于操作
阈值电压（V
GS
< = 0.00V和IDS < 10μA ） 。这些装置中，
连同其他低V
GS （ TH）
该产品系列的成员，使
超低电压的模拟或数字运算和纳瓦
电路设计中，从而减少或消除了使用非常高
值（昂贵的）电阻器在许多情况下。
该ALD2108xx / ALD2129xx （四/双）产品系列的特点
精密匹配增强型EPAD MOSFET器件，
这需要一个正栅极偏置电压V
GS
开启。精确
V
GS （ TH）
在+ 3.30V ， + 1.40V ， 0.80V + ， + 0.40V和值+ 0.20V的
提供的。源极和漏极之间不存在导电沟道
在零施加的栅极电压（ VGS = 0.00V ）为+ 3.30V ， + 1.40V和
+ 0.80V的版本。在+ 0.40V和0.20V +版本有子
阈值电流大约为1nA ，并为100nA的ALD2108xx （仅为2nA
电流为200nA ，并为ALD2129xx ）分别在零施加的栅极
电压。他们也能够提供较低的的R
DS （ ON）
和
比68毫安更高的输出电流更大（参见规范） 。
ALD210800/ALD210800A
该ALD2148xx / ALD2169xx （四/双）耗尽型
EPAD MOSFET的，这是常开的零器件应用
栅极电压。在V
GS （ TH）
被设定为负电压电平（V
GS
＆ LT ;
V
S
和V
GS
>V- ）在该EPAD MOSFET关断。没有
电源电压和/或在V
GS
= V- = 0.00V =地面时， EPAD
MOSFET器件已经开启，并显示出定义
控制导通电阻R
DS （ ON）
。一EPAD MOSFET可
关断时负电压被施加到V-引脚和V
GS
SET
比V更负
GS （ TH）
。这些耗尽型EPAD
MOSFET是其他大多数耗尽型MOSFET的不同
并在该JFET的，它们不具有高的栅极漏电流
和信道/结漏电流，而他们保持控制，
调制，并在精确的电压关断。相同的MOSFET
适用设备方程为那些增强型器件。
关键应用环境
EPAD的MOSFET非常适合电路需要低V
OS
低
工作电流与被跟踪的差热反应。他们
具有低输入偏置电流（超过200PA最大以内。 ） ，低输入
电容和开关速度快。这些及其他经营
特征提供了独特的解决方案中的一个或多个后续的
荷兰国际集团的工作环境：
*低电源电压： 0.1V至10V或+ 0.05V至+ 5V
*超低电源电压：小于± 10mV至+ 0.1V
*纳安级的操作：电压X电流=纳瓦或微瓦
*精密V
OS
特征
*匹配和多个MOSFET跟踪
*匹配多个包
电气特性
导通和关断的EPAD的电气特性
MOSFET产品都显示在我
DS （ ON）
与V
DS （ ON）
和
I
DS （ ON）
与V
GS
图。每个图形显示我
DS （ ON）
与V
DS （ ON）
特征为V的函数
GS
在不同的操作区域
不同偏置条件下，而我
DS （ ON）
在给定的栅极输入
电压被控制和可预测的。一系列的四个图形标题
“转发传输特性” ，与第二和第三子
题为“扩大（亚阈值） ”和“进一步扩大（ subthresh-
旧） “ ，并且第四子标题为”低电压“ ，示出了宽
这些设备中的动态工作范围。
经典的MOSFET方程为一个N沟道MOSFET也适用
到EPAD的MOSFET 。的漏极电流中的线性区域（Ⅴ
DS （ ON）
＆ LT ; V
GS
- V
GS （ TH）
）由下式给出：
I
DS （ ON）
= U 。
OX
。的W / L 。 [V
GS
- V
GS （ TH）
- V
DS
/2] . V
DS （ ON）
其中：
U =移动
C
OX
=电容/栅电极的单位面积
V
GS
=栅极至源极电压
V
GS （ TH）
=栅极阈值（导通）电压
V
DS （ ON）
=漏极至源极导通电压
W =通道宽度
L =通道长度
在操作中，我的这个区域
DS （ ON）
值是成比例的
V
DS （ ON）
值和该装置可被用作栅极电压的转换
受控电阻。
对于V的高值
DS （ ON）
其中，V
DS （ ON）
> = V
GS
- V
GS （ TH）
,
的饱和电流I
DS （ ON）
现在由下式给出（大约） ：
IDS （ ON）
= U 。
OX
。的W / L 。 [V
GS
- V
GS （ TH）
]
2
先进的线性器件
3 12
QQ：2880707522 复制
