【A先进适用LINEARDEVICES ，INC 。ALD1123E/ALD1121EQUAD /双E】,IC型号ALD1123ESC,ALD1123ESC PDF资料,ALD1123ESC经销商,ic,电子元器件-51电子网

先进适用

INEAR

EVICES ，

NC 。

ALD1123E/ALD1121E

QUAD /双EPAD

精密匹配的一对N沟道MOSFET阵列

特点

好处

电可编程模拟器件

CMOS技术

工作在2V ， 3V ， 5V至10V

柔性电路的基本构建块和设计元素

极高的分辨率 - 平均电子微调电压

在0.1mV的分辨率

宽动态范围 - 从0.1μA电流水平

到3000μA

电压调整范围为1.000V至3.000V

在在0.1mV步骤

实践证明，非挥发性CMOS技术

小于2mV的典型10年漂移

可用在电压模式或电流模式

高输入阻抗 - 10

非常高的DC电流增益 - 大于10

器件的工作电流具有正温度

系数范围和负温度

系数范围交叉零点温度

系数目前的水平，在68μA

严密匹配与导通电阻的跟踪

与电子微调不同设备之间

宽动态电阻匹配范围

极低的输入电流和泄漏电流

低成本，单芯片技术

应用程序特定的或在系统编程模式

可选的用户软件控制的自动化

可选的电子微调的任何标准/自定义配置

微操作

提供标准PDIP ， SOIC和密封CDIP包

适合匹配，对平衡的电路结构

适合用于这两个粗调和精细修边，以及作为匹配的

MOSFET阵列应用

封装后精确匹配电

简单，优雅的单芯片用户选项

以微调电压/电流值

具有优良的设备匹配特性

或没有附加电饰板

远程与电有关的参数微调

电路是物理上不可访问

可用在环境密封电路

无机械运动部件 - 高G-SHOCK

公差

提高了可靠性，可靠性，防尘，

耐湿性

成本和节省劳动力

小体积高密度电路板

应用

引脚配置

ALD1123E

V-

订购信息

工作温度范围*

0 ° C至+ 70°C

16-Pin

塑料DIP

包

ALD1123E PC

16-Pin

SOIC

包

ALD1123E SC

DC ，PC ， SC包装

引脚配置

ALD1121E

工作温度范围*

0 ° C至+ 70°C

8-Pin

塑料DIP

包

ALD1121E PA

*联系工厂的工业温度范围

N1,

V-

8-Pin

SOIC

包

ALD1121E SA

DA ， PA ， SA封装

2003先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话：（ 408 ） 747-1155传真：（ 408 ） 747-1286 www.aldinc.com

应用

概述

ALD1123E / ALD1121E是单片四核/双EPAD （电编程

梅布尔模拟设备）的N沟道MOSFET具有电动调节的阈值

（导通）电压。该ALD1123E / ALD1121E被精确匹配和调整

（ E-修剪）在出厂时造成四/双MOSFET是高度匹配

中的电气特性。该ALD1123E有四（ 4 ）独立源极引脚。 SN1 ，

SN2共享一个共同的基片插脚V - 1，它必须连接到所述最

负的电压电势。同样， SN3 ， SN4共享一个共同的基片插脚V -2

其具有被连接到负的电压电势为SN3 ， SN4 。该

ALD1121E有两个（ 2 ）独立源极引脚（ SN1 ， SN2 ）。无论SN1 ， SN2份额

公共基板针4，其具有被连接到最负的电压

势。

使用ALD1123E / ALD1121E MOSFET阵列是简单和直接的。该

在电气特性作为n沟道MOSFET，所不同的是MOSFET的功能

所有的设备，有着特殊的匹配到彼此。对于给定的输入电压，

MOSFET器件的阈值电压确定的电流的漏极，从而导致

在一个导通电阻特性，可以精确地预置，然后控制

由输入电压非常精确。因为这些设备都是在相同的单片

芯片，它们也显示出优异的温度系数匹配特性。

这些MOSFET器件具有非常低的输入电流，并因此非常高的

输入阻抗（ >10 12欧姆）。从源头控制栅极电压可驱动

许多MOSFET的输入，几乎没有负载影响。用精密电流

镜或电流倍增器的应用程序，它们可以被用来提供一个电流源

超过100 nA的3 mA范围，并与一个正，负或零温度系数。

可选EPAD阈值电压由用户裁剪

精度的基于PC的电子校准

自动电压微调或设置

远端电压或电流调节

人迹罕至的节点

基于PCMCIA仪器微调

电动调节阻性负载

温度补偿电流源

和电流镜

电动修剪/校准电流

来源

永久高精度预置电压等级

移

低温度系数的电压和/或

电流偏置电路

多个预设电压偏置电路

多通道电阻上拉或下拉

电路

基于微处理器的过程控制系统

便携式数据采集系统

电池供电的终端和仪器

遥控遥测系统

E-修剪增益放大器

低电平信号调节

传感器和传感器偏置电流

神经网络

框图

ALD1121E

(1)

(3)

(7)

(5)

(2)

(6)

基本EPAD MOSFET器件是单调可调整的设备，这意味着

该装置通常可通过电子邮件修整，以增加阈值电压，并

在漏极上的电流减小为一个给定的输入偏置电压的函数。作为

在电路元件进行修整或设定电压和/或电流的组合

的特性，它可以被远程和自动电子修整。一旦电子修整，

该组电压和电流水平将被永久存储在该设备作为一个内部

非易失性存储的电荷，这是不正常的操作过程中的影响

装置中，即使当电源被关断。一个给定的EPAD装置可以调节很多

次，以连续地增加其阈值电压。一对EPAD的设备也可以

进行差动连接，使得一个设备被用于调整在一个参数

方向和其他装置被用于在其它调整的相同参数

方向。

该ALD1123E / ALD1121E可以通过电子邮件镶着的ALD EPAD程序员

获得所需的电压和电流水平。或者，他们可以通过电子邮件修剪为有效

在系统元件中的用户系统中，通过用户设计的接口电路。 PN1 ， PN2 ，

等等，都需要可选的电子微调各个MOSFET器件的引脚。如果未使用，

这些引脚被连接到V-或地。欲了解更多信息，请参阅

应用笔记AN1108 。

ALD1123E

(4)

V- (4)

框图

(1)

(2)

(4)

V-

(4)

(16)

(12)

ALD1123E/ALD1121E

先进的线性器件

(8)

(3)

(15)

(13)

(9)

(11)

(7)

(5)

(14) G

(10)

(6)

V-

(8)

绝对最大额定值

电源电压，V

参考V

电源电压，V

参考V

迪FF erential输入电压范围

功耗

工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包

DA ， DC包

存储温度范围

焊接温度10秒

-0.3V至+ 13.2V

±6.6V

0.3V至V

+0.3V

600毫瓦

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

-65 ° C至+ 150°C

+260°C

运行电气特性

= 25

（C V） + = + 5.0V ，除非另有说明

参数

漏源极电压

初始阈值电压

E- Vt的修剪范围

漏极 - 栅极连接

电压温度系数

符号

T I

TCV

0.990

1.000

-1.6

-0.3

0.0

+2.7

初始失调电压

我的操作系统

1.000

ALD1123E

民

典型值

最大

10.0

1.010

3.000

0.990

1.000

-1.6

-0.3

0.0

+2.7

1.000

民

ALD1121E

典型值

最大

10.0

1.010

3.000

单位

毫伏/°C的

= 5A

= 50A

= 68A

= 500A

= 1μA牛逼

= 21°C

TEST

条件

V的温度系数

差分阈值电压

差的温度系数

阈值电压

长期漂移

长期漂移赛

漏源电流ON

TCV

2.000

μV/°C

DS1

= V

DS2

tCDV

DS （ ON）

0.033

-0.02

-5

3.0

-0.05

0.033

-0.02

-5

3.0

-0.05

毫伏/°C的

千小时

= 5V V

= 0V

= 1.0

漏源电流ON

DS （ ON）

0.8

D =

5V V

S =

= 3.0

= 1.000V

最初的零温度系数电压

零温度系数电流

最初的导通电阻

导通电阻匹配

ZTCi

ZTC

关于我

1.52

500

0.5

1.52

500

0.5

= 5V V

= 0.1V

注意事项：

1. V +的一定是最正供电线和V-，必须在最负供电线。比那些标记为V-其他的都可以在源端

V-和V +之间的任何电压。

2.初始阈值电压被设定在出厂。如果没有EPAD Vt的修整的目的是通过用户，那么这也是最后的或永久的阈值电压

值。

3.初始和最终值都相同，除非故意由用户改变。

4.这些参数适用于仅当一个或多个器件的Vt的是由用户改变。

ALD1123E/ALD1121E

先进的线性器件

运行电气特性（续）

= 25

（C V） + = + 5.0V ，除非另有说明

参数

跨

跨匹配

低电平输出

导

高电平输出

导

流掉泄漏电流

符号

-gm

ALD1123E

民

典型值

1.4

最大

ALD1121E

民

典型值

1.4

最大

单位

毫安/ V

μA / V

TEST

条件

= 10V,V

+ 4.0

= 10V,V

+ 4.0

μA / V

= V

+0.5V

D（关闭）

400

100

400

100

μA / V

小时

= V

+4.0V

= 125°C

栅极漏电流

GSS

= 125°C

输入电容

相声

松弛时间常数

放松电压

国际空间站

-0.3

F = 100KHz的

RLX

-0.3

1.0V

≤

3.0V

E- TRIM特性

= 25

（C V） + = + 5.0V ，除非另有说明

参数

E-镶边V

范围

V的分辨率

E-修剪脉冲步骤

改变V

每

E-修剪脉冲

/ N

0.1

0.5

0.05

0.1

0.5

0.05

毫伏/脉冲

= 1.0V

= 2.5V

符号

民

1.000

ALD1123E

典型值

最大

3.000

民

ALD1121E

典型值

最大

3.000

单位

TEST

条件

1.000

E-修剪脉冲电压

E-修剪脉冲电流

脉冲频率

- 脉冲

11.75

12.00

12.25

11.75

12.00

12.25

ALD1123E/ALD1121E

先进的线性器件

典型性能特性

输出特性

+1.0

漏源电流ON

（MA ）

= +25°C

漏源电流ON

（MA ）

= +12V

= +10V

= + 8V

= + 6V

= +25°C

= +12V

= +10V

= +6V

= +8V

= + 4V

= + 2V

-1.0

-200 -160 -120 -80 -40

80 120 160 +200

漏源极电压（ V）

漏源电压（MV ）

漏源接通电流与

环境温度

漏源电流ON

（MA ）

3.0

= 5V

= 3.0V

-50

-25

100

125

= 1.0V

= 1.5V

= 2.0V

= 2.5V

漏源接通电流与

阈值电压

= +5V

2.0

= +4V

= +25°C

= +5.0V

漏源电流ON

（MA ）

1.0

= +3V

= +2V

= +1V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

环境温度（ ℃）

阈值电压（ V）

跨导主场迎战

阈值电压

2.0

= +25°C

高电平输出电导

vs.THRESHOLD电压

高电平输出

电导（ μA / V）

跨

（毫安/ V）

= +25°C

1.5

1.0

5.0

= V

+ 4.0V

= 10V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

= V

+ 4.0V

= 5.0V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

阈值电压（ V）

ALD1123E/ALD1121E

先进的线性器件