A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
TM
ALD1121E/ALD1123E
e
EPAD
D
LE
AB
E
N
QUAD /双EPAD
精密N沟道匹配的一对MOSFET阵列
概述
ALD1121E / ALD1123E是单片四核/双EPAD
（电
可编程模拟器件）N沟道MOSFET与电
可调阈值（导通）电压。该ALD1121E / ALD1123E是
精密匹配和调整， （ E-修剪）在导致工厂
这是高度一致的电气特性四核/双MOSFET 。
该ALD1123E有四（ 4 ）独立源极引脚。 S
N1
, S
N2
共享
普通基板针， V-
1
，其具有被连接到最
负的电压电势。同样，S
N3
, S
N4
共享一个公共衬底上
脚， V-
2
，其具有被连接到负的电压电势为
S
N3
, S
N4
。该ALD1121E有两个（ 2 ）独立源极引脚（S
N1
, S
N2
).
能够对S
N1
, S
N2
共享一个共同的基片，销4 ，它具有以
连接到最负的电压电势。对于给定的输入电压，
MOSFET器件的阈值电压来确定它的漏极导通电流，
从而导致导通电阻特性，可以精确地预置和
然后，通过将输入电压控制的非常准确。
使用ALD1121E / ALD1123E是简单和直接的。该
的MOSFET用作n沟道MOSFET ，所不同的是所有的设备
有特殊的匹配对于彼此在电气特性。为
一个给定的输入电压， MOSFET器件的阈值电压确定
其漏极导通电流，从而产生导通电阻特性，可以是
精确预置，然后通过对输入电压的控制非常准确。
由于这些设备在同一块芯片上，他们也表现出
优良的温度系数匹配特性。
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
包
ALD1121ESAL
16引脚SOIC
包
ALD1123ESCL
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8引脚塑料DIP
包
ALD1121EPAL
16引脚塑料DIP
包
ALD1123EPCL
8引脚CERDIP
包
ALD1121EDA
16引脚CERDIP
包
ALD1123EDC
好处
经过精密的电气匹配
包装
简单，优雅的单芯片用户选项
要修剪的电压/电流值
优良的设备匹配特性
带或不带附加的电饰板
远程和电参数微调
在电路中是无法实际接触
引脚配置
ALD1121E
P
N1
G
N1
D
N1
S
N1,
V-
1
M1
2
3
M2
4
5
顶视图
SAL ， PAL ， DA套餐
8
7
6
S
N2
D
N2
G
N2
P
N2
ALD1123E
P
N1
G
N1
D
N1
V-
1,
S
N1
P
N4
G
N4
D
N4
V-
2,
S
N4
1
2
3
4
5
6
7
8
M4
M3
M1
M2
16
15
14
13
12
11
10
9
S
N2
D
N2
G
N2
P
N2
S
N3
D
N3
G
N3
P
N3
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
顶视图
SCL ， PCL ，直流成套产品
框图
ALD1123E
P
N1
(1)
D
N1
(3)
D
N2
(15)
P
N2
(13)
P
N3
(9)
D
N3
(11)
D
N4
(7)
P
N4
(5)
框图
ALD1121E
P
N1
(1)
D
N1
(3)
D
N2
(7)
P
N2
(5)
G
N1
(2)
G
N2
(14) G
N3
(10)
G
N4
(6)
G
N1
(2)
G
N2
(6)
S
N1
(4)
V-
1
(4)
S
N2
(16)
S
N3
(12)
2.0版 2012高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
~
V-
2
(8)
~
M1
M2
M3
M4
M1
S
N4
(8)
S
N1
(4)
~
M2
V- (4)
S
N2
(8)
这些MOSFET器件具有非常低的输入电流，并
其结果，非常高的输入阻抗（ >10
12
欧姆） 。该
从源头控制栅极电压可以驱动许多MOSFET
输入，几乎没有负载影响。用于精密
电流镜或电流倍增器的应用程序，他们可以
被用来提供一个电流源在一个100nA的给3毫安
范围内，并且与任一正数，负数或零温度系数。
可选EPAD阈值电压由用户裁剪
基本EPAD MOSFET器件是单调
调节设备，这意味着所述设备可以正常
通过电子邮件修整，以提高阈值电压和
减小漏电流为给定的输入的函数
偏置电压。作为一个电路元件进行修整或
设置电压电流的组合和/或导通
电阻特性，它可以被设置为通过电子邮件修整
远程自动。一旦电子修整，设置
电压和电流水平无限期存放在里面
装置作为非易失性存储的电荷，这是不影响
该设备的正常操作期间，即使当电源
关闭。一个给定的EPAD装置可以调节很多
次，以连续地增加其阈值电压。一对
EPAD设备也可以连接差动这样
一个装置被用于调节在一个参数
方向和其他装置被用于调节所述同
参数在另一个方向上。
该ALD1121E / ALD1123E可通过电子邮件镶着的ALD
EPAD程序员以获得所需的电压和
目前的水平。它们也可以通过电子邮件修剪为活动的
在用户系统中的系统元件中，通过用户设计的
接口电路。 P
N1
, P
N2
等，需要进行销
可选的电子微调相应的MOSFET器件。如果未使用，
这些引脚被连接到V-或地。欲了解更多
信息，请参阅应用笔记AN1108 。
应用
精确的基于PC的电子校准
自动电压微调或设置
远程电压或电流调节
人迹罕至的节点
基于PCMCIA仪器微调
电动调节阻性负载
温度补偿电流源和
电流镜
电修剪/校准电流源
永久高精度预置电压电平转换器
低温度系数的电压和/或电流
偏置电路
多种预设电压偏置电路
多通道电阻上拉或下拉电路
基于微处理器的过程控制系统
便携式数据采集系统
电池供电终端和仪器
远程遥测系统
E-微调增益放大器
低电平信号调理
传感器和传感器偏置电流
神经网络
福利（续）
可用在环境密封电路
无机械运动部件 - 高G-SHOCK
公差
提高了可靠性，可靠性，防尘，
耐湿性
成本和节省劳动力
小体积高密度电路板
应用
特点
电可编程模拟器件
实践证明，非挥发性CMOS技术
工作在2V ， 3V ， 5V至10V
柔性电路的基本构造块设计
元素
极高的分辨率 - 平均电子微调电压
在0.1mV的分辨率
宽动态范围 - 从0.1μA电流水平
到3000μA
电压调整范围为1.000V至3.000V
在在0.1mV步骤
典型的10年漂移小于2mV的
可用在电压模式或电流模式
高输入阻抗 - 1012
非常高的DC电流增益 - 大于109
器件的工作电流具有正温度
系数范围和负温度
系数范围交叉零点温度
系数目前的水平，在68μA
严密匹配与导通电阻的跟踪
与电子微调不同设备之间
极低的输入电流和泄漏电流
低成本，单芯片技术
应用程序特定的或在系统编程模式
可选的用户软件控制的自动化
可选的电子微调的任何标准/自定义配置
微操作
提供标准PDIP ， SOIC和密封CDIP
套餐
适合匹配，对平衡的电路结构
同时适合粗略和精细微调，以及
匹配的MOSFET阵列应用
符合RoHS
ALD1121E/ALD1123E
先进的线性器件
2 14
绝对最大额定值
电源电压，V
+参考V-
电源电压，V
S参考V-
迪FF erential输入电压范围
功耗
工作温度范围SAL ， PAL ， SCL ， PCL包
DA ， DC包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心： ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
-0.3V至+ 10.6V
±5.3V
-0.3V至+ 0.3V
600mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
T
A
= 25
°
（C V） + = + 5.0V ，除非另有说明
参数
漏源极电压
1
初始阈值电压
2
E-镶边V
t
范围
漏极 - 栅极连接
电压温度系数
符号
V+
V
T I
V
t
TCV
DS
0.990
1.000
-1.6
-0.3
0.0
+2.7
初始失调电压
3
V
我的操作系统
1
5
1.000
ALD1121E
民
典型值
最大
10.0
1.010
3.000
0.990
1.000
-1.6
-0.3
0.0
+2.7
1
5
1.000
民
ALD1123E
典型值
最大
10.0
1.010
3.000
单位
V
V
V
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/°C的
mV
I
D
= 5A
I
D
= 50A
I
D
= 68A
I
D
= 500A
I
DS
= 1μA牛逼
A
= 21°C
TEST
条件
V的温度系数
OS
差分阈值电压
4
差的温度系数
阈值电压
4
长期漂移
长期漂移赛
漏源电流ON
TCV
OS
DV
t
5
2.000
5
2.000
μV/°C
V
V
DS1
= V
DS2
tCDV
t
V
t
/t
V
t
/t
I
DS （ ON）
0.033
-0.02
-5
3.0
-0.05
0.033
-0.02
-5
3.0
-0.05
毫伏/°C的
mV
V
mA
千小时
千小时
V
G
=V
D
= 5V V
S
= 0V
V
t
= 1.0
V
G
=V
D =
5V V
S =
0V
V
t
= 3.0
V
t
= 1.000V
漏源电流ON
4
I
DS （ ON）
0.8
0.8
mA
最初的零温度系数电压
3
零温度系数电流
最初的导通电阻
3
导通电阻匹配
V
ZTC我
I
ZTC
R
关于我
R
ON
1.52
68
500
0.5
1.52
68
500
0.5
V
A
%
V
GS
= 5V V
DS
= 0.1V
注意事项：
1. V +的一定是最正供电线和V-，必须在最负供电线。比那些标记为V-其他的都可以在源端
V-和V +之间的任何电压。
2.初始阈值电压被设定在出厂。如果没有EPAD Vt的修整的目的是通过用户，那么这也是最后的或永久的阈值电压
值。
3.初始和最终值都相同，除非故意由用户改变。
4.这些参数只有当V适用
t
的一个或多个设备是由用户改变。
ALD1121E/ALD1123E
先进的线性器件
3 14
QQ：2881677436 复制
