A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1106/ALD1116
QUAD /双N信道匹配MOSFET阵列
概述
该ALD1106 / ALD1116是单片四/双N沟道enhance-
适用于范围广泛的换货模式匹配的MOSFET晶体管阵列
精密模拟应用。该ALD1106 / ALD1116提供高输入
阻抗和负电流的温度系数。晶体管
对被匹配为最小的偏移电压和差热
响应，并且它们被设计用于转换和放大的应用程序
在+ 2V至+ 12V系统中的低输入偏置电流，低输入电容
和快速开关速度是期望的。这些MOSFET器件具有非常
大（几乎是无限的）电流增益在低频或DC附近，操作
环境。该ALD1106 / ALD1116正在为差分块
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用，
电流源和许多精密模拟电路。
应用
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟信号处理
引脚配置
ALD1116
DN1
GN1
SN1
V
-
1
2
3
4
DA ， PA ， SA封装
8
7
6
5
DN2
GN2
SN2
V
+
特点
0.7V的低阈值电压
低输入电容
沃斯低2mV的典型
高输入阻抗 - 10
14
典型
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
8引脚CERDIP
包
ALD1116 DA
14引脚CERDIP
包
ALD1106 DB
8引脚塑料DIP
包
ALD1116 PA
14引脚塑料DIP
包
ALD1106 PB
8引脚SOIC
包
ALD1116 SA
14引脚SOIC
包
ALD1106 SB
ALD1106
DN1
GN1
SN1
V
-
DN4
GN4
SN4
1
2
3
4
5
6
7
DB ， PB ， SB包装
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DN3
GN3
SN3
1
*联系工厂的工业温度范围。
框图
ALD1106
V+ (11)
D
N1
(1)
D
N2
(14)
框图
ALD1116
V+ (5)
D
N3
(10)
D
N4
(5)
D
N1
(1)
~
~
D
N2
(8)
G
N1
(2)
G
N2
(13) G
N3
(9)
G
N4
(6)
G
N1
(2)
G
N2
(7)
S
N1
(3)
V- (4)
S
N2
(12)
S
N3
(8)
V- (4)
S
N4
(7)
S
N1
(3)
V- (4)
S
N2
(6)
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