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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第209页 > ALD1110ESAL
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ,
I
NC 。
TM
ALD1108E/ALD1110E
e
EPAD
D
LE
AB
E
N
QUAD /双电可编程模拟器件( EPAD )
概述
ALD1108E / ALD1110E是单片四核/双EPAD (电
可编程模拟器件)N沟道MOSFET与电
可调阈值(导通)电压。该ALD1108E / ALD1110E是
匹配和调整, ( E-修剪)在产生四厂/双
这是高度匹配的阈值电压和其它电的MOSFET
的特点。对于给定的输入电压时,一个阈值电压
MOSFET器件判定接通电流的漏极,从而产生导通
可精确预置,然后通过控制电阻特性
输入电压非常精确。
使用ALD1108E / ALD1110E是简单和直接的。该
的MOSFET用作n沟道MOSFET ,所不同的是所有的设备
有特殊的匹配对于彼此在电气特性。自
这些设备在同一块芯片上,他们也表现出优异的
温度系数匹配特性。
这些MOSFET器件具有非常低的输入电流,其结果是一个很
高输入阻抗( >10
12
欧姆) 。从源头控制栅极电压
可以驱动许多MOSFET输入,几乎没有负载影响。在使用
精密电流反射镜或电流倍增器的应用,它们可用于
以提供一个电流源通过为100nA到3毫安范围内,并且与任一
正,负或零温度系数。
好处
经过精密的电气匹配
包装
简单,优雅的单芯片用户选项
要修剪的电压/电流值
优良的设备匹配特性
带或不带附加的电饰板
远程和电参数微调
在电路中是无法实际接触
引脚配置
ALD1110E
1
EPAD 1
2
3
4
v+
EPAD 2
P
N1
G
N1
D
N1
S
12
, V-
8
7
6
5
P
N2
G
N2
D
N2
V+
顶视图
SAL , PAL , DA套餐
ALD1108E
订购信息
( “L ”后缀表示无铅( RoHS指令) )
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
ALD1110ESAL
16引脚SOIC
ALD1108ESCL
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8引脚塑料DIP
ALD1110EPAL
16引脚塑料DIP
ALD1108EPCL
8引脚CERDIP
ALD1110EDA
16引脚CERDIP
ALD1108EDC
P
N1
G
N1
D
N1
S
12
V-
D
N4
G
N4
P
N4
1
2
3
4
5
6
7
8
EPAD 1
EPAD 2
16
15
14
P
N2
G
N2
D
N2
V+
S
34
D
N3
G
N3
P
N3
v+
v-
13
12
11
10
EPAD 4
EPAD 3
9
顶视图
SCL , PCL ,直流成套产品
*联系工厂含铅(非RoHS指令)或高温的版本。
框图
ALD1108E
V+(13)
P
N
(1)
D
N1
(3)
D
N2
(14)
P
N2
(16)
P
N3
(9)
D
N3
(11)
D
N4
(6)
P
N4
(8)
框图
ALD1110E
V+(5)
P
N1
(1)
D
N1
(3)
D
N2
(6)
P
N2
(8)
~
G
N1
(2)
G
N2
(15) G
N3
(10)
G
N4
(7)
~
G
N1
(2)
G
N2
(7)
S
12
(4)
V- (5)
S
34
(12)
S
12
(4)
2.0版 2012高级线性Devices,Inc.的415塔斯曼车道,桑尼维尔,CA 94089-1706电话: ( 408 ) 747-1155传真: ( 408 ) 747-1286
www.aldinc.com
~
V- (4)
~
EPAD 1
EPAD 2
EPAD 3
EPAD 4
EPAD 1
EPAD 2
可选EPAD阈值电压由用户裁剪
基本EPAD MOSFET器件是单调
调节设备,这意味着所述设备可以正常
通过电子邮件修整,以提高阈值电压和
减小漏电流为给定的输入的函数
偏置电压。作为一个电路元件进行修整或
设定电压的组合,电流和/或导通
电阻特性,它可以被设置为通过电子邮件修整
远程自动。一旦电子修整,设置
电压和电流水平无限期存放在里面
装置作为非易失性存储的电荷,这是不影响
该设备的正常操作期间,即使当电源
关闭。一个给定的EPAD装置可以调节很多
次,以连续地增加其阈值电压。一对
EPAD设备也可以连接差动这样
一个装置被用于调节在一个参数
方向和其他装置被用于调节所述同
参数在另一个方向上。
该ALD1108E / ALD1110E可通过电子邮件镶着的ALD
EPAD程序员以获得所需的电压和
目前的水平。它们也可以通过电子邮件修剪为活动的
在用户系统中的系统元件中,通过用户设计的
接口电路。 P
N1
, P
N2
等,需要进行销
可选的电子微调相应的MOSFET器件。如果未使用,
这些引脚被连接到V-或地。欲了解更多
信息,请参阅应用笔记AN1108 。
福利(续)
可用在环境密封电路
无机械运动部件 - 高G-SHOCK
公差
提高了可靠性,可靠性,防尘,
耐湿性
成本和节省劳动力
小体积高密度电路板
应用
特点
电可编程模拟器件
实践证明,非挥发性CMOS技术
工作在2V , 3V , 5V至10V
柔性电路的基本构造块设计
元素
极高的分辨率 - 平均电子微调电压
在0.1mV的分辨率
宽动态范围 - 从0.1μA电流水平
到3000μA
电压调整范围为1.000V至3.000V
在在0.1mV步骤
典型的10年漂移小于2mV的
可用在电压模式或电流模式
高输入阻抗 - 1012
非常高的DC电流增益 - 大于109
器件的工作电流具有正温度
系数范围和负温度
系数范围交叉零点温度
系数目前的水平,在68μA
严密匹配与导通电阻的跟踪
与电子微调不同设备之间
极低的输入电流和泄漏电流
低成本,单芯片技术
应用程序特定的或在系统编程模式
Opptional用户软件控制的自动化
Opptional电子微调的任何标准/自定义配置
微操作
提供标准PDIP , SOIC和密封CDIP
套餐
适合匹配,对平衡的电路结构
同时适合粗略和精细微调,以及
匹配的MOSFET阵列应用
符合RoHS
应用
精确的基于PC的电子校准
自动电压微调或设置
远程电压或电流调节
人迹罕至的节点
基于PCMCIA仪器微调
电动调节阻性负载
温度补偿电流源和
电流镜
电修剪/校准电流源
永久高精度预置电压电平转换器
低温度系数的电压和/或电流
偏置电路
多种预设电压偏置电路
多通道电阻上拉或下拉电路
基于微处理器的过程控制系统
便携式数据采集系统
电池供电终端和仪器
远程遥测系统
E-微调增益放大器
低电平信号调理
传感器和传感器偏置电流
神经网络
ALD1108E/ALD1110E
先进的线性器件
2 14
绝对最大额定值
电源电压,V
+参考V-
电源电压,V
S参考V-
迪FF erential输入电压范围
功耗
工作温度范围SAL , PAL , SCL , PCL包
DA , DC包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心: ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
-0.3V至+ 10.6V
±5.3V
-0.3V至+ 0.3V
600mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
T
A
= 25
°
(C V) + = + 5.0V ,除非另有说明
参数
电源电压
1
初始阈值电压
2
E- Vt的修剪范围
漏极 - 栅极连接
电压温度系数
符号
V+
V
T I
V
t
TCV
DS
0.990
1.000
-1.6
-0.3
0.0
+2.7
初始失调电压
3
V
我的操作系统
1
5
1.000
ALD1108E
典型值
最大
10.0
1.010
3.000
0.990
1.000
-1.6
-0.3
0.0
+2.7
1
5
1.000
ALD1110E
典型值
最大
10.0
1.010
3.000
单位
V
V
V
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/°C的
mV
I
D
= 5A
I
D
= 50A
I
D
= 68A
I
D
= 500A
I
DS
= 1μA牛逼
A
= 21°C
TEST
条件
V的温度系数
OS
差分阈值电压
4
差的温度系数
阈值电压
4
长期漂移
长期漂移赛
漏源电流ON
TCV
OS
DV
t
5
2.000
5
2.000
μV/°C
V
V
DS1
= V
DS2
tCDV
t
V
t
/t
V
t
/t
I
DS ( ON)
0.033
-0.02
-5
3.0
-0.05
0.033
-0.02
-5
3.0
-0.05
毫伏/°C的
mV
V
mA
千小时
千小时
V
G
=V
D
= 5V V
S
= 0V
V
t
= 1.0
V
G
=V
D =
5V V
S =
0V
V
t
= 3.0
V
t
= 1.000V
漏源电流ON
4
I
DS ( ON)
0.8
0.8
mA
最初的零温度系数电压
3
零温度系数电流
最初的导通电阻
3
导通电阻匹配
V
ZTC我
I
ZTC
R
关于我
R
ON
1.52
68
500
0.5
1.52
68
500
0.5
V
A
%
V
GS
= 5V V
DS
= 0.1V
注意事项:
1,电源电压是由阈值电压的限制。 V +的一定是最正供电线和V-,必须在最负供电线。源
终端比那些标记为V-其他的都可以在V-和V +之间的任何电压。
2.初始阈值电压被设定在出厂。如果没有EPAD Vt的修整的目的是通过用户,那么这也是最后的或永久的阈值电压
值。
3.初始和最终值都相同,除非故意由用户改变。
4.这些参数适用于仅当一个或多个器件的Vt的是由用户改变。
ALD1108E/ALD1110E
先进的线性器件
3 14
运行电气特性(续)
T
A
= 25
°
(C V) + = + 5.0V ,除非另有说明
参数
跨匹配
低电平输出
高电平输出
流掉泄漏电流
符号
gm
-gm
ALD1108E
典型值
1.4
25
最大
ALD1110E
典型值
1.4
25
最大
单位
毫安/ V
μA / V
TEST
条件
V
D
= 10V,V
G
=V
t
+ 4.0
V
D
= 10V,V
G
=V
t
+ 4.0
g
OL
6
6
μA / V
V
G
= V
t
+0.5V
g
OH
I
D(关闭)
68
5
400
4
100
1
68
5
400
4
100
1
μA / V
pA
nA
pA
nA
pF
dB
小时
%
V
G
= V
t
+4.0V
T
A
= 125°C
栅极漏电流
I
GSS
10
10
T
A
= 125°C
输入电容
相声
松弛时间常数
4
放松电压
4
C
国际空间站
25
60
25
60
2
-0.3
F = 100KHz的
t
RLX
V
RLX
2
-0.3
1.0V
V
t
3.0V
E- TRIM特性
T
A
= 25
°
(C V) + = + 5.0V ,除非另有说明
参数
E-镶边V
t
范围
4
V的分辨率
t
E-修剪脉冲步骤
4
改变V
t
E-修剪脉冲
4
符号
V
t
ALD1108E
典型值
1.000
最大
3.000
ALD1110E
典型值
1.000
最大
3.000
单位
V
TEST
条件
RV
t
V
t
/ N
0.1
0.5
0.05
1
0.1
0.5
0.05
1
mV
毫伏/脉冲
V
t
= 1.0V
V
t
= 2.5V
E-修剪脉冲电压
4
E-修剪脉冲电流
4
脉冲频率
4
Vp
Ip
- 脉冲
11.75
12.00
2
50
12.25
11.75
12.00
2
50
12.25
V
mA
KH
Z
ALD1108E/ALD1110E
先进的线性器件
4 14
典型性能Characterisitcs
输出特性
20
输出特性
+1.0
漏源电流ON
(MA )
漏源电流ON
(MA )
T
A
= +25°C
15
V
GS
= +12V
V
GS
= +10V
V
GS
= + 8V
V
GS
= + 6V
T
A
= +25°C
V
GS
= +12V
V
GS
= +10V
10
0
V
GS
= +6V
V
GS
= +8V
5
V
GS
= + 4V
V
GS
= + 2V
0
0
2
4
6
8
10
12
-1.0
-200 -160 -120 -80 -40
0
40
80 120 160 +200
漏源极电压( V)
漏源电压(MV )
漏源接通电流与
环境温度
6
3.0
漏源接通电流与
阈值电压
漏源电流ON
(MA )
V
GS
= +5V
2.0
V
GS
= +4V
T
A
= +25°C
V
DS
= +5.0V
漏源电流ON
(MA )
V
G
= 5V
5
4
3
2
1
V
t
= 3.0V
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V
t
= 1.0V
V
t
= 1.5V
V
t
= 2.0V
V
t
= 2.5V
1.0
V
GS
= +3V
V
GS
= +2V
0
0
V
GS
= +1V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
环境温度( ℃)
阈值电压( V)
跨导主场迎战
阈值电压
2.0
T
A
= +25°C
高电平输出电导
vs.THRESHOLD电压
75
高电平输出
电导( μA / V)
(毫安/ V)
T
A
= +25°C
70
1.5
1.0
60
5.0
V
GS
= V
t
+ 4.0V
V
DS
= 10V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
= V
t
+ 4.0V
V
DS
= 5.0V
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
阈值电压( V)
阈值电压( V)
ALD1108E/ALD1110E
先进的线性器件
5 14
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ALD1110ESAL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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