A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
V
GS （ TH）
= +0.0V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道零门槛 EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110800A / ALD110800 / ALD110900A / ALD110900是单片
四核/双N沟道MOSFET在出厂时配套使用ALD的
成熟EPAD CMOS技术。这些器件适用于低
电压，小信号的应用。该ALD110800 / ALD110900功能
零阈值电压，从而降低或消除输入到输出
电压电平移位，包括电路，其中所述信号是参照
GND或V + 。此功能大大减少了输出信号的电压电平
转移，增强信号工作范围，尤其对于非常低
工作电压环境。这些零门槛的设备
模拟电路以多级可构造在操作
极低的电源或偏置电压电平。作为一个例子，一个输入
放大器级在0.2V电源电压下工作已被证明。
ALD110800A / ALD110800 / ALD110900A / ALD110900匹配的一对
MOSFET是专为特殊设备电气characteris-
抽动匹配。由于这些设备在同一块芯片上，它们
还具有优异的温度系数跟踪特性。他们是
多功能的设计组件为广泛的模拟应用的
系统蒸发散如为电流源，差动基本构造块
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。
除了对相匹配的电特性，每个单独的
MOSFET还显示出良好的控制参数，从而使用户
依靠严格的设计限制。不同批次甚至单位
制造不同的日期也相应匹配良好
的特点。
这些设备是专门为最低的失调电压和差分
热响应，并且它们被设计用于转换和放大
至+ 10V的系统应用+ 0.2V ，其中低输入偏置电流，
低输入电容和开关速度快是期望的。在V
GS （ TH）
这些设备都被设置为+ 0.0V ，它们作为两个enhance-哪个分类的
换货模式和耗尽型器件。当门被设定为0.0V ，
漏电流= + 1μA @ V
DS
= 1 + 0.1V ，其允许一类电路
与输出电压电平偏置处或附近的输入电压电平不
电压电平移位。这些器件具有相同的良好控制关断
和亚阈值特性作为标准的增强型
的MOSFET。
该ALD110800A / ALD110800 / ALD110900A / ALD110900是MOSFET
即具有高输入阻抗的设备（ 10
12
)
和高直流电流
增益（ >10
8
） 。样本计算直流电流增益的漏
30PA的3毫安和输入漏电流的电流在25℃下为= 3毫安/
30PA = 100,000,000 。对于大多数应用程序，连接V +引脚到最
正的电压电势（或左开用的）和V-和N / C引脚
最负的电压电势在该系统中。所有其他引脚必须
有在这些电压限制电压。
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110800APC
ALD110800PC
16-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
8-Pin
SOIC
包
N / C *
特点
精密零阈值电压模式
额定
DS （ ON）
@V
GS
104KΩ的= 0.0V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
V
GS （ TH）
比赛（V
OS
），以和为2mV 10mV的
正，零，负V
GS （ TH）
温度系数
低输入电容
低输入/输出漏电流
应用
非常低的电压模拟和数字电路
零电源故障安全电路
备用电池电路&电源故障检测器
低电平电压钳位&过零检测器
源极跟随器和缓冲器
精密电流镜和电流源
Capacitives探头和传感器接口
充电检测器和集成商负责
差分放大器的输入级
高边开关
峰值检测器和电平转换器
采样和保持
电流倍增器
模拟开关/多路复用器
电压比较器和电平转换器
引脚配置
ALD110800
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
PC ， SC套餐
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
V
-
M4
M3
13
12
11
10
V
-
9
ALD110900
V-
V-
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
ALD110800ASC ALD110900APA ALD110900ASA
ALD110800SC ALD110900PA ALD110900SA
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
冯1.0-0506 2005高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110800A / ALD110900A
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
失调电压温度系数
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS （ TH）
VOS
TCVOS
TCVGS （日）
民
-0.01
典型值
0.00
1
最大
0.01
2
ALD110800 / ALD110900
民
-0.02
典型值
0.00
2
最大
0.02
10
单位
V
mV
测试条件
IDS = 1μA ， VDS = 0.1V
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
1.4
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
1.4
μV/°C
毫伏/°C的
VDS1 = VDS2
ID = 1μA ， VDS = 0.1V
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA ， VDS = 0.1V
VGS = 9.5V + ， VDS = + 5V
VGS = 4.0V + ， VDS = + 5V
VGS = 4.0V +
VDS = + 9.0V
在漏极电流
IDS （ ON）
政府飞行服务队
mA
正向跨导
mmho
跨不匹配
输出电导
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.0V +
VDS = + 9.0V
VDS = + 0.1V
VGS = 4.0V +
VDS = + 0.1V
VGS = 0.0V +
VDS = + 0.1V
VGS = 4.0V +
漏源导通电阻
500
500
漏源导通电阻
RDS （ ON）
104
104
K
漏源导通电阻
公差
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
5
5
%
R
DS （ ON）
BVDSX
IDS （ OFF ）
10
0.5
0.5
%
10
V
IDS = 1.0μA
V- = VGS = -1.0V
VGS = -1.0V ， VDS = + 5V
V- = -5V
TA = 125°C
VDS = 0V VGS = + 10V
TA = 125℃
10
400
4
10
400
4
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
5
30
1
5
30
1
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
先进的线性器件
2
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
V
GS （ TH）
= +0.0V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道零门槛 EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110800A / ALD110800 / ALD110900A / ALD110900是单片
四核/双N沟道MOSFET在出厂时配套使用ALD的
成熟EPAD CMOS技术。这些器件适用于低
电压，小信号的应用。该ALD110800 / ALD110900功能
零阈值电压，从而降低或消除输入到输出
电压电平移位，包括电路，其中所述信号是参照
GND或V + 。此功能大大减少了输出信号的电压电平
转移，增强信号工作范围，尤其对于非常低
工作电压环境。这些零门槛的设备
模拟电路以多级可构造在操作
极低的电源或偏置电压电平。作为一个例子，一个输入
放大器级在0.2V电源电压下工作已被证明。
ALD110800A / ALD110800 / ALD110900A / ALD110900匹配的一对
MOSFET是专为特殊设备电气characteris-
抽动匹配。由于这些设备在同一块芯片上，它们
还具有优异的温度系数跟踪特性。他们是
多功能的设计组件为广泛的模拟应用的
系统蒸发散如为电流源，差动基本构造块
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。
除了对相匹配的电特性，每个单独的
MOSFET还显示出良好的控制参数，从而使用户
依靠严格的设计限制。不同批次甚至单位
制造不同的日期也相应匹配良好
的特点。
这些设备是专门为最低的失调电压和差分
热响应，并且它们被设计用于转换和放大
至+ 10V的系统应用+ 0.2V ，其中低输入偏置电流，
低输入电容和开关速度快是期望的。在V
GS （ TH）
这些设备都被设置为+ 0.0V ，它们作为两个enhance-哪个分类的
换货模式和耗尽型器件。当门被设定为0.0V ，
漏电流= + 1μA @ V
DS
= 1 + 0.1V ，其允许一类电路
与输出电压电平偏置处或附近的输入电压电平不
电压电平移位。这些器件具有相同的良好控制关断
和亚阈值特性作为标准的增强型
的MOSFET。
该ALD110800A / ALD110800 / ALD110900A / ALD110900是MOSFET
即具有高输入阻抗的设备（ 10
12
)
和高直流电流
增益（ >10
8
） 。样本计算直流电流增益的漏
30PA的3毫安和输入漏电流的电流在25℃下为= 3毫安/
30PA = 100,000,000 。对于大多数应用程序，连接V +引脚到最
正的电压电势（或左开用的）和V-和N / C引脚
最负的电压电势在该系统中。所有其他引脚必须
有在这些电压限制电压。
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110800APC
ALD110800PC
16-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
8-Pin
SOIC
包
N / C *
特点
精密零阈值电压模式
额定
DS （ ON）
@V
GS
104KΩ的= 0.0V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
V
GS （ TH）
比赛（V
OS
），以和为2mV 10mV的
正，零，负V
GS （ TH）
温度系数
低输入电容
低输入/输出漏电流
应用
非常低的电压模拟和数字电路
零电源故障安全电路
备用电池电路&电源故障检测器
低电平电压钳位&过零检测器
源极跟随器和缓冲器
精密电流镜和电流源
Capacitives探头和传感器接口
充电检测器和集成商负责
差分放大器的输入级
高边开关
峰值检测器和电平转换器
采样和保持
电流倍增器
模拟开关/多路复用器
电压比较器和电平转换器
引脚配置
ALD110800
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
PC ， SC套餐
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
V
-
M4
M3
13
12
11
10
V
-
9
ALD110900
V-
V-
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
ALD110800ASC ALD110900APA ALD110900ASA
ALD110800SC ALD110900PA ALD110900SA
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
冯1.0-0506 2005高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110800A / ALD110900A
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
失调电压温度系数
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS （ TH）
VOS
TCVOS
TCVGS （日）
民
-0.01
典型值
0.00
1
最大
0.01
2
ALD110800 / ALD110900
民
-0.02
典型值
0.00
2
最大
0.02
10
单位
V
mV
测试条件
IDS = 1μA ， VDS = 0.1V
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
1.4
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
1.4
μV/°C
毫伏/°C的
VDS1 = VDS2
ID = 1μA ， VDS = 0.1V
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA ， VDS = 0.1V
VGS = 9.5V + ， VDS = + 5V
VGS = 4.0V + ， VDS = + 5V
VGS = 4.0V +
VDS = + 9.0V
在漏极电流
IDS （ ON）
政府飞行服务队
mA
正向跨导
mmho
跨不匹配
输出电导
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.0V +
VDS = + 9.0V
VDS = + 0.1V
VGS = 4.0V +
VDS = + 0.1V
VGS = 0.0V +
VDS = + 0.1V
VGS = 4.0V +
漏源导通电阻
500
500
漏源导通电阻
RDS （ ON）
104
104
K
漏源导通电阻
公差
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
5
5
%
R
DS （ ON）
BVDSX
IDS （ OFF ）
10
0.5
0.5
%
10
V
IDS = 1.0μA
V- = VGS = -1.0V
VGS = -1.0V ， VDS = + 5V
V- = -5V
TA = 125°C
VDS = 0V VGS = + 10V
TA = 125℃
10
400
4
10
400
4
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
5
30
1
5
30
1
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
先进的线性器件
2
QQ：2881677436 复制
