A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
V
GS （ TH）
= +0.8V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110808A / ALD110808 / ALD110908A / ALD110908是单片四核/
双N沟道MOSFET ，在使用ALD的工厂配套成熟的
EPAD CMOS技术。这些器件适用于低电压，
小信号的应用。
这些MOSFET器件都建立在同一块芯片上，所以他们
具有优异的温度跟踪特性。他们是多才多艺
作为电路元件，并且有用的设计成分为广泛的
模拟应用。它们可用于电流源的基本构建块，
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。对于大多数的应用中，连接V型和N / C管脚到最
负的电压电势在该系统和V +引脚到最正
电势（或悬空未使用） 。所有其他引脚必须有电压
在这些电压限制。
ALD110808 / ALD110908设备是专为最低的失调电压和
差热响应，并且它们适合用于切换和扩增
fying应用在+ 1.0V至+ 10V （ ±5 V）系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。如
这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）电流
租增益在低频或DC附近，操作环境。
这些设备适合于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管是由于通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC的测试
设备在30PA的3毫安和输入漏电流的漏电流
25℃ = 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
增强模式（常关）
标准门阈值电压： + 0.8V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
低输入电容
V
GS （ TH）
匹配到2mV的和为10mV
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110808APC
ALD110808 PC
16-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
8Pin
SOIC
包
应用
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器的输入级
电压比较器
电压偏置电路
采样和保持
模拟逆变器
电平转换器
源极跟随器和缓冲器
电流倍增器
模拟开关/多路复用器
引脚配置
ALD110808
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
13
12
11
10
9
PC ， SC套餐
ALD110908
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
ALD110808ASC ALD110908APA ALD110908ASA
ALD110808SC ALD110908PA ALD110908SA
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
启1.0-0506 2 005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110808A / ALD110908A
参数
栅极阈值电压
符号
VGS （ TH）
民
0.78
典型值
0.80
最大
0.82
ALD110808 / ALD110908
民
0.78
典型值
0.80
最大
0.82
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS=1A
失调电压
VGS1-VGS2
VGS1 ， VGS2温度系数
VOS
1
2
3
10
mV
V
OS
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
μV/°C
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 10.3V
VGS = 4.8V +
VDS = + 5V
VGS = 4.8V +
VDS = + 9.8V
GateThreshold温度系数
V
GS （ TH）
IDS （ ON）
毫伏/
°C
mA
在漏极电流
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
G
FS
GOS
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.8V +
VDS = + 9.8V
VDS = 0.1V
VGS = 4.8V +
漏源导通电阻
RDS （ ON）
500
500
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
0.5
0.5
%
BVDSX
10
10
V
IDS = 1.0μA
VGS = -0.2V
VGS = -0.2V
VDS = 10V ， TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
IDS （ OFF ）
IGSS
10
100
4
30
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流当前1
3
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
西塞
CRSS
吨
花花公子
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
先进的线性器件
2
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
V
GS （ TH）
= +0.8V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110808A / ALD110808 / ALD110908A / ALD110908是单片四核/
双N沟道MOSFET ，在使用ALD的工厂配套成熟的
EPAD CMOS技术。这些器件适用于低电压，
小信号的应用。
这些MOSFET器件都建立在同一块芯片上，所以他们
具有优异的温度跟踪特性。他们是多才多艺
作为电路元件，并且有用的设计成分为广泛的
模拟应用。它们可用于电流源的基本构建块，
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。对于大多数的应用中，连接V型和N / C管脚到最
负的电压电势在该系统和V +引脚到最正
电势（或悬空未使用） 。所有其他引脚必须有电压
在这些电压限制。
ALD110808 / ALD110908设备是专为最低的失调电压和
差热响应，并且它们适合用于切换和扩增
fying应用在+ 1.0V至+ 10V （ ±5 V）系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。如
这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）电流
租增益在低频或DC附近，操作环境。
这些设备适合于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管是由于通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC的测试
设备在30PA的3毫安和输入漏电流的漏电流
25℃ = 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
增强模式（常关）
标准门阈值电压： + 0.8V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
低输入电容
V
GS （ TH）
匹配到2mV的和为10mV
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110808APC
ALD110808 PC
16-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
8Pin
SOIC
包
应用
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器的输入级
电压比较器
电压偏置电路
采样和保持
模拟逆变器
电平转换器
源极跟随器和缓冲器
电流倍增器
模拟开关/多路复用器
引脚配置
ALD110808
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
13
12
11
10
9
PC ， SC套餐
ALD110908
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
ALD110808ASC ALD110908APA ALD110908ASA
ALD110808SC ALD110908PA ALD110908SA
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
启1.0-0506 2 005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110808A / ALD110908A
参数
栅极阈值电压
符号
VGS （ TH）
民
0.78
典型值
0.80
最大
0.82
ALD110808 / ALD110908
民
0.78
典型值
0.80
最大
0.82
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS=1A
失调电压
VGS1-VGS2
VGS1 ， VGS2温度系数
VOS
1
2
3
10
mV
V
OS
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
μV/°C
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 10.3V
VGS = 4.8V +
VDS = + 5V
VGS = 4.8V +
VDS = + 9.8V
GateThreshold温度系数
V
GS （ TH）
IDS （ ON）
毫伏/
°C
mA
在漏极电流
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
G
FS
GOS
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.8V +
VDS = + 9.8V
VDS = 0.1V
VGS = 4.8V +
漏源导通电阻
RDS （ ON）
500
500
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
0.5
0.5
%
BVDSX
10
10
V
IDS = 1.0μA
VGS = -0.2V
VGS = -0.2V
VDS = 10V ， TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
IDS （ OFF ）
IGSS
10
100
4
30
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流当前1
3
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
西塞
CRSS
吨
花花公子
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
先进的线性器件
2
QQ：2880707522 复制
