A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110802/ALD110902
V
GS （ TH）
= +0.2V
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110802 / ALD110902是单片四核/双N沟道MOSFET
匹配在使用ALD的成熟EPAD CMOS技术的工厂。
这些器件适用于低电压，小信号的应用程序。
该ALD110802 / ALD110902的MOSFET的设计和建造为前
ceptional设备的电气特性匹配。由于这些设备
在同一块芯片上时，它们也显示出优异的温度系数跟踪
的特点。它们是通用的电路元件作为设计的COM有用
ponents为各种模拟应用，例如基本的建筑
为电流源，差分放大器的输入级，在传输块
锡安门和多路复用器应用。对于大多数的应用中，连接
V型和N / C管脚到最负的电压电势在该系统和
V +引脚以最积极的电势（或悬空未使用） 。所有
其它的管脚必须在这些电压限制电压。
该ALD110802 / ALD110902设备是专为最低的失调电压
和差热响应，并且它们适合用于开关和
放大的< + 0.1V的应用程序+ 10V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快期望，如
这些器件具有很好的控制关断和亚阈值字符
开创性意义，并且可以被偏置，并在亚阈值区工作。
由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎infi-
黑夜）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
该ALD110802 / ALD110902都适合使用在非常低的工作
电压或功率非常低（纳瓦） ，高精度应用而重新
叠纸很高的电流增益，β，例如电流镜，电流
源。高输入阻抗和的高直流电流增益
场效应晶体管从通过极低的电流损耗导致
控制栅极。直流电流增益由栅极输入漏不限
目前，它被指定在30PA在室温下。例如，
该装置的3毫安的漏极电流和输入漏电流DC测试
30PA在25℃下的是= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
增强模式（常关）
为+ 0.2V 精密栅极阈值电压
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
低输入电容
V
GS （ TH）
比赛（V
OS
），以10mV的
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110802PC
16-Pin
SOIC
包
ALD110802SC
8-Pin
塑料DIP
包
ALD110902PA
8Pin
SOIC
包
ALD110902SA
应用
超低功耗（纳瓦）模拟和数字
电路
超低工作电压（ <0.2V ）电路
亚阈值和偏置电路的操作
精密电流镜和电流源
纳安的电流源
高阻抗电阻模拟器
电容探头和传感器接口
差分放大器的输入级
离散电压比较器和电平转换器
电压偏置电路
采样和保持电路
模拟和数字转换器
充电检测器和集成商负责
源极跟随器和高阻抗缓冲器
电流倍增器
离散模拟开关/多路复用器
引脚配置
ALD110802
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
PC ， SC套餐
V
-
V
-
16
15
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
M1
M2
14
V
+
13
12
V
-
M4
M3
11
10
V
-
9
ALD110902
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
冯1.0-0506 2005高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏源电压，
V
DS
栅源电压，
V
GS
功耗
工作温度范围PA ， SA ，PC ， SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V （或打开） V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项：
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110802 / ALD110902
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
偏移VoltageTempco
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS （ TH）
VOS
TC
VOS
TCΔVGS （日）
民
0.18
典型值
0.20
2
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
最大
0.22
10
单位
V
mV
μV/°C
毫伏/
°C
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA ， VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 9.7V
VGS = 4.2V +
VDS = + 5V
VGS = 4.2V +
VDS = + 9.2V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
在漏极电流
IDS （ ON）
mA
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
G
FS
GOS
RDS （ ON）
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.2V +
VDS = + 9.2V
VDS = 0.1V
VGS = 4.2V +
漏源导通电阻
500
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
R
DS （ ON）
BVDSX
IDS （ OFF ）
0.5
%
10
V
IDS = 1.0μA
VGS = -0.8V
VGS = -0.8V
VDS = 10V ， TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V， RL = 5KΩ
V + = 5V， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110802/ALD110902
先进的线性器件
2
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