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A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ,
I
NC 。
ALD1107/ALD1117
QUAD /双P沟道MOSFET MATCHED ARRAY
概述
该ALD1107 / ALD1117是单片四/双P沟道enhance-
适用于范围广泛的换货模式匹配的MOSFET晶体管阵列
精密模拟应用。该ALD1107 / ALD1117提供高输入
阻抗和负电流的温度系数。晶体管
对被匹配为最小的偏移电压和差热
响应,并且它们被设计为精确的模拟开关和
在放大+ 2V应用到+ 12V系统中的低输入偏置
电流,低输入电容和开关速度快是期望的。这些
MOSFET器件具有非常大的(几乎是无限的)电流增益低
频率或接近DC的操作环境。该ALD1107 / ALD1117是
builiding块为差分放大器的输入级,传输门电路,
多路复用器应用,电流源,电流镜等精密度
西昂模拟电路。
特点
-0.7低阈值电压
低输入电容
低V
OS
典型的为2mV
高输入阻抗 - 10
14
典型
低输入和输出漏电流
负电流(I
DS
)温度系数
增强型(常关)
直流电流增益10
9
低输入和输出漏电流
应用
精密电流源
精密电流镜
电压菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
精密的模拟信号处理
引脚配置
ALD1117
DP1
GP1
SP1
V
-
1
2
3
4
DA , PA , SA封装
ALD1107
DP1
GP1
SP1
V
-
1
2
3
4
5
6
7
DB , PB , SB包装
14
13
12
11
10
9
8
DP2
GP2
SP2
V
+
DP3
GP3
SP3
1
1
8
7
6
5
DP2
GP2
SP2
V
+
订购信息
工作温度范围*
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
8引脚CERDIP
ALD1117 DA
14引脚CERDIP
ALD1107 DB
8引脚塑料DIP
ALD1117PA
14引脚塑料DIP
ALD1107 PB
8引脚SOIC
ALD1117 SA
14引脚SOIC
ALD1107 SB
DP4
GP4
SP4
*联系工厂的工业温度范围。
框图
ALD1107
V- (4)
D
P1
(1)
D
P2
(14)
框图
ALD1117
V - (4)
D
P3
(10)
D
P4
(5)
~
G
P3
(9)
D
P1
(1)
~
D
P2
(8)
G
P1
(2)
G
P2
(13)
G
P4
(6)
G
P1
(2)
G
P2
(7)
S
P1
(3)
V+ (11)
S
P2
(12)
S
P3
(8)
V+ (11)
S
P4
(7)
S
P1
(3)
V+ (5)
S
P2
(6)
1998先进的线性器件,公司415塔斯曼车道,桑尼维尔,加利福尼亚州94089 -1706电话: ( 408 ) 747-1155传真: ( 408 ) 747-1286 http://www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度10秒
-13.2V
-13.2V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
PA , SA , PB , SB包
DA , DB包
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
ALD1107
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
-V
GS2
栅极阈值
温度
漂移
2
在漏
当前
ALD1117
最大
-1.0
-0.4
典型值
-0.7
最大
-1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -1.0μA V
GS
= V
DS
符号
V
T
-0.4
典型值
-0.7
V
OS
2
10
2
10
mV
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
TC
VT
-1.3
-1.3
毫伏/°C的
I
DS ( ON)
-1.3
-2
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
G
IS
G
fs
G
OS
0.25
0.67
0.5
40
0.25
0.67
0.5
40
mmho V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
%
μmho
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
不匹配
产量
漏源
抗性
漏源
抗性
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
1
栅极泄漏
当前
输入
电容
2
注意事项:
1
2
R
DS ( ON)
1200
1800
1200
1800
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
R
DS ( ON)
0.5
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
-12
-12
V
I
DS
= -1.0μA V
GS
= 0V
I
DS (OFF)的
10
400
4
10
1
3
10
400
4
10
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
= -12V
T
A
= 125°C
I
GSS
C
国际空间站
0.1
0.1
1
1
由结漏电流的
样品测试参数
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
2
典型性能Characterisitcs
输出特性
500
漏源电流
(MA )
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
V
GS
= -12V
-10V
-8V
-6V
-2.5
-4V
-2V
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
漏源极电压( V)
低电压输出
特征
漏源电流
(A)
-10
-7.5
250
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
V
GS
= -12V
-6V
-4V
-2V
0
-5.0
-250
-500
-320
-160
0
160
320
漏源电压(MV )
正向跨导
与漏源电压
正向跨导
( mmho )
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
T
A
= +25°C
I
DS
= -1mA
T
A
= +125°C
-20
传输特性
与底物BIAS
漏源电流
(A)
V
BS
= 0V
-15
2V
4V
6V
8V
10V
12V
V
BS
= 0V
F = 1kHz时
I
DS
= -5mA
-10
-5
V
GS
= V
DS
T
A
= 25°C
0
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4.0
漏源极电压( V)
门源极电压( V)
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
与门源电压
漏源导通电阻
(K)
100
V
DS
= 0.4V
V
BS
= 0V
10
T
A
= +125°C
断漏电流与
环境温度
OFF漏源电流
( PA )
1000
V
DS
= -12V
V
GS
= V
BS
= 0V
100
1
T
A
= +25°C
0.1
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
10
1
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
门源极电压( V)
环境温度( ℃)
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
3
典型应用
电流源MIRROR
V+ = +5V
1/2 ALD1107
或ALD1117
V+ = +5V
Q
3
Q
4
电流源门控
1/2 ALD1107
或ALD1117
V+ = +5V
Q
3
Q
4
I
SET
R
SET
I
来源
I
SET
数字逻辑控制
电流源
ON
Q
1
1/4 ALD1106
或1/2 ALD1116
R
SET
I
来源
Q
1
1/2 ALD1106
或ALD1116
Q
1
, Q
2
:N - 沟道MOSFET
Q
3
, Q
4
:P - 沟道MOSFET
Q
2
I
来源
= I
SET
= V + -Vt
R
SET
~
=
4
R
SET
关闭
Q
1
:N - 沟道MOSFET
Q
3,
Q
4
:P - 沟道MOSFET
差分放大器
V+
1/2 ALD1107
或ALD1117
电流源倍增
V+ = +5V
PMOS对
Q
3
Q
4
V
OUT
V
IN
+
Q
1
Q
2
NMOS PAIR
I
SET
R
SET
I
来源
= I
SET
×N个
Q
SET
Q
1
Q
2
Q
3
Q
N
V
IN
-
1/2 ALD1106
或ALD1116
当前
来源
Q
1
, Q
2
:N - 沟道MOSFET
Q
3
, Q
4
:P - 沟道MOSFET
Q
Q
1
..Q
N
: ALD1106和ALD1116
N - 沟道MOSFET
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
4
典型应用
基本电流源
N沟道电流源
V+ = +5V
I
SET
I
来源
R
SET
P沟道电流源
V+ = +5V
1/2 ALD1107
或ALD1117
8
7
6
3
2
5
I
来源
I
SET
R
SET
Q
4
Q
2
8
5
6
2
7
3
Q
1
1
1/2 ALD1106
或ALD1116
Q
3
I
来源
= I
SET
=
V + - 佛蒙特州
R
SET
~ V+ - 1.0 =
~
=
R
SET
4
R
SET
Q
1,
Q
2
:N - 沟道MOSFET
Q
3
, Q
4
:P - 沟道MOSFET
共源共栅电流源
V+ = +5V
V+ = +5V
ALD1107
I
SET
I
来源
Q
4
R
SET
Q
1
Q
2
Q
3
Q
3
Q
4
Q
2
Q
1
I
SET
R
SET
I
来源
ALD1106
V + - 2VT
R
SET
3
R
SET
I
来源
= I
SET
=
~
=
Q
1
, Q
2
, Q
3
, Q
4
:N - 沟道MOSFET
( ALD1101和ALD1103 )
Q1 , Q2 , Q3 , Q4 :P - 沟道MOSFET
( ALD1102和ALD1103 )
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ALD1107PB
    -
    -
    -
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