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A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1103
双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR
概述
该ALD1103是匹配的单片双N沟道和双P沟道
晶体管对用于范围广泛的模拟应用。这些
增强型晶体管与先进的生产线
设备的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺。它由一个
ALD1101 N沟道MOSFET对和ALD1102 P沟道MOSFET
一对在一个封装中。
该ALD1103提供高输入阻抗和负电流的温度
系数。晶体管对匹配于最小偏移电压和
差热响应，并且它被设计为精确的信号
开关和放大应用+ 2V至+ 12V系统中低
输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎
无穷大）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
当在对所使用的，双CMOS模拟开关可以构造。在
此外， ALD1103的目的是作为构造块差
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。
该ALD1103适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在50Pa的规定，在室温下进行。例如，DC装置的测试
为5mA的在25℃下的漏电流为= 5毫安/ 50PA = 100,000,000 。
特点
N沟道和P沟道对之间的热追踪
0.7V的两个N沟道&低阈值电压
P沟道MOSFET
低输入电容
低沃斯 - 10mV的
高输入阻抗 - 10
13
典型
低输入和输出泄漏电流
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
在一个封装匹配N沟道和匹配的P-沟道
应用
精密电流镜
互补推挽线性驱动器
模拟开关
菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟逆变器
精密匹配的电流源
引脚配置
DN1
GN1
SN1
V
-
DP1
GP1
SP1
1
2
3
4
5
6
7
DB ， PB ， SB包装
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DP2
GP2
SP2
框图
n条栅极1（2）
漏1 （ 1 ）
氮源1 （ 3 ）
基板（4）
漏极2（14）
氮源2 （ 12 ）
n条栅2 （ 13 ）
订购信息
工作温度范围*
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
CERDIP
包
ALD1103 DB
14-Pin
塑料DIP
包
ALD1103 PB
14-Pin
SOIC
包
ALD1103 SB
P GATE 1（6）
P漏极1（5）
P源1（ 7 ）
基板（11）的
P漏极2（10）
P SOURCE 2 （ 8 ）
*联系工厂的工业温度范围。
P GATE 2 （ 9 ）
1998先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压，V
GS
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度10秒
13.2V
13.2V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
PB ， SB包
DB包装
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
N - 通道
参数
符号最小值
TYP MAX
栅极阈值V
T
0.4
0.7
1.0
电压
失调电压
V
GS1
- V
GS2
V
OS
10
单位
V
TEST
条件
I
DS
= 10μA V
GS
= V
DS
I
DS
= 100μA V
GS
= V
DS
P - 通道
民
TYP MAX
-0.4
-0.7
-1.2
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
I
DS
= -100μA V
GS
= V
DS
mV
10
mV
栅极阈值
温度
TC
VT
漂移
在漏
当前
传输。
导
不匹配
产量
导
漏源
抗性
I
DS （ ON）
G
fs
G
fs
G
OS
R
DS （ ON）
25
-1.2
毫伏/°C的
-1.3
毫伏/°C的
40
mA
V
GS
= V
DS
= 5V
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
-8
-16
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
5
10
mmho
2
4
mmho
0.5
200
%
μmho
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
0.5
500
%
μmho
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
50
75
180
270
漏源
抗性
R
DS （ ON）
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
栅极泄漏
当前
输入
电容
0.5
%
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
I
DS （关闭）
I
GSS
C
国际空间站
12
V
I
DS
= 10μA V
GS
=0V
V
DS
= 12V我
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=12V
T
A
= 125°C
-12
V
I
DS
= -10μA V
GS
=0V
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=-12V
T
A
= 125°C
0.1
4
4
50
10
10
nA
A
pA
nA
pF
0.1
4
4
50
10
10
nA
A
pA
nA
pF
1
1
6
6
ALD1103
先进的线性器件
2
P沟道典型性能特性
输出特性
4
漏 - 源极电流
（MA ）
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
V
GS
= -12V
-10V
-8V
-6V
-20
-4V
-2V
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
漏极 - 源极电压（ V）
低电压输出
特征
漏 - 源电流
（MA ）
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
2
V
GS
= -12V
-6V
-4V
-2V
0
-80
-60
-40
-2
-4
-320
-160
0
160
320
漏极 - 源极电压（毫伏）
正向跨导
与漏 - 源极电压
正向跨导
（ μmho ）
10000
5000
2000
1000
500
200
100
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
T
A
= +25°C
I
DS
= -1mA
T
A
= +125°C
-20
传输特性
与底物BIAS
漏 - 源电流
(A)
V
BS
= 0V
-15
2V
4V
6V
8V
10V
12V
V
BS
= 0V
F = 1kHz时
I
DS
= -5mA
-10
-5
V
GS
= V
DS
T
A
= 25°C
0
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4.0
漏极 - 源极电压（ V）
门 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
主场迎战的栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
()
关 - 漏源电流
(A)
10000
V
DS
= 0.4V
V
BS
= 0V
1000
T
A
= +125°C
-10
X
10
-6
关漏极 - 电流与
温度
V
DS
= -12V
V
GS
= V
BS
= 0V
-10
X
10
-9
100
T
A
= +25°C
10
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-10
X
10
-12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
门 - 源极电压（ V）
温度（℃）
ALD1103
先进的线性器件
3
N沟道典型性能特性
输出特性
8
漏极 - 源极电流
（MA ）
低电压输出
特征
漏 - 源电流
（MA ）
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
4
V
GS
= 12V
6V
4V
2V
0
160
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
V
GS
= 12V
10V
8V
120
80
6V
4V
2V
40
-4
0
0
2
4
6
8
10
12
漏源极电压（ V）
-8
-160
-80
0
80
160
漏极 - 源极电压（毫伏）
正向跨导
（ μmho ）
1 x10
5
5 x10
4
2 x10
4
正向跨导
与漏源电压
20
传输特性
与底物BIAS
漏 - 源电流
(A)
V
GS
= V
DS
T
A
= 25°C
15
V
BS
= 0V
10
-2V
-4V
-6V
-8V
-10V
5
-12V
V
BS
= 0V
F = 1kHz时
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
I
DS
= 10毫安
1 x10
4
5 x10
3
2 x10
3
1 x10
3
0
2
4
I
DS
= 1毫安
6
8
10
12
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
漏极 - 源极电压（ V）
门 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
主场迎战的栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
()
关 - 漏源电流
(A)
10000
V
DS
= 0.2V
V
BS
= 0V
1000
T
A
= +125°C
100
10
X
10
-6
关漏极 - 电流与
温度
V
DS
= +12V
V
GS
= V
BS
= 0V
10
X
10
-9
10
0
T
A
= +25°C
2
4
6
8
10
12
10
X
10
-12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
门源极电压（ V）
温度（℃）
ALD1103
先进的线性器件
4
典型应用
电流源MIRROR
V+ = +5V
电流源门控
V+ = +5V
1/2 ALD1103
V+ = +5V
Q
3
Q
4
Q
3
Q
4
I
SET
R
SET
I
SET
I
来源
R
SET
I
来源
数字逻辑控制
电流源
ON
Q
1
1/4 ALD1103
关闭
：N - 沟道MOSFET
Q
1
Q
3,
Q
4
：P - 沟道MOSFET
Q
1
Q
2
ALD1103
Q
1
, Q
2
：N - 沟道MOSFET
Q
3
, Q
4
：P - 沟道MOSFET
I
来源
= I
SET
= V + -Vt
R
SET
~
=
4
R
SET
差分放大器
V+
电流源倍增
V+ = +5V
PMOS对
Q
3
Q
4
V
OUT
I
SET
R
SET
I
来源
= I
SET
×N个
V
IN
+
Q
1
Q
2
NMOS PAIR
Q
SET
Q
1
Q
2
Q
3
Q
N
V
IN
-
ALD1103
当前
来源
Q
1
, Q
2
：N - 沟道MOSFET
Q
3
, Q
4
：P - 沟道MOSFET
Q
集
Q
1
..Q
N
： ALD 1101或ALD 1103
N - 沟道MOSFET
ALD1103
先进的线性器件
5
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AK5C420L
AM8TW-4812SC
AS432DC3VSB
A0515LT-2W
ATMEGA644PV-10AU
ALQ40
AS5145-HSSU
A463-0005-A3
AM29C828LC
AD8384ASVZ
AHLC
AL1000-M5
AZ39150S-5.0
AD5203AN100
AME8501AEFVCD16
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    ALD1103SB
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