A

先进适用

L

INEAR

D

EVICES ，

I

NC 。

ALD1101A/ALD1101B

ALD1101

双N信道匹配组MOSFET

1998先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com

概述

该ALD1101是单片双N沟道匹配的晶体管对

供了广泛的模拟应用。这些enhancement-

模式晶体管与先进的线性器件“恩制造

hanced ACMOS硅栅CMOS工艺。

该ALD1101提供高输入阻抗和负电流温度

TURE系数。晶体管对匹配于最小偏移电压

和差热响应，并且它被设计用于开关和

在放大+ 2V应用到+ 12V系统中的低输入偏置

电流，低输入电容和开关速度快是期望的。自

这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）

电流增益在低频或DC附近，操作环境。当

用ALD1102使用的，双CMOS模拟开关可以构造。

此外， ALD1101的目的是作为构造块差

放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。

该ALD1101适用于精密应用需要使用

很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。

高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益

晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。

直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的

在50Pa的规定，在室温下进行。例如，DC装置的测试

为5mA的在25℃下的漏电流为= 5毫安/ 50PA = 100,000,000 。

应用

精密电流镜

精密电流源

模拟开关

菜刀

差分放大器

输入级

电压比较器

数据转换器

采样和保持

模拟逆变器

引脚配置

来源

1

门

1

漏

1

NC

1

2

3

4

顶视图

DA ， PA ， SA封装

8

7

6

5

基板

来源

2

门

2

漏

2

特点

0.7V的低阈值电压

低输入电容

沃斯低年级 - 为2mV ，为5mV ，为10mV

高输入阻抗 - 10

12

典型

负电流（I

DS

）温度

系数

增强模式（常关）

直流电流增益10

9

框图

订购信息

工作温度范围*

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

0 ° C至+ 70°C

8-Pin

CERDIP

包

8-Pin

塑料DIP

包

ALD1101A PA

ALD1101B PA

ALD1101 PA

8-Pin

SOIC

包

漏1（3）

栅1（2）

源1（ 1 ）

基板（8）的

漏极2（5）

源2（7）

2号门（ 6 ）

ALD1101 DA

ALD1101 SA

*联系工厂的工业温度范围。

1998先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com

绝对最大额定值

漏极 - 源极电压V

DS

栅源电压，V

GS

功耗

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度10秒

13.2V

13.2V

500毫瓦

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

-65 ° C至+ 150°C

+260°C

PA ， SA封装

DA包

运行电气特性

T

A

= 25

°

C除非另有说明

参数

栅极阈值

电压

失调电压

V

GS1

- V

GS2

符号

V

T

V

OS

-1.2

ALD 1101A

最小值典型值

最大

0.4

0.7

1.0

2

-1.2

ALD1101B

最小典型最大

0.4

0.7

1.0

5

-1.2

ALD1101

最小典型最大

0.4

0.7

1.0

10

单位

V

mV

毫伏/°C的

TEST

条件

I

DS

= 10μA V

GS

= V

DS

I

DS

= 100μA V

GS

= V

DS

栅极阈值

TC

VT

温度漂移

在漏极电流

I

DS （ ON）

25

5

40

10

0.5

200

50

75

25

5

40

10

0.5

200

50

75

25

5

40

10

0.5

200

50

75

mA

mmho

%

μmho

V

GS

= V

DS

= 5V

V

DS

= 5V I

DS

= 10毫安

跨克

fs

不匹配

产量

导

漏源

抗性

漏源

抗性

不匹配

漏源

击穿

电压

断漏电流

G

fs

G

OS

R

DS （ ON）

V

DS

= 5V I

DS

= 10毫安

V

DS

= 0.1V V

GS

= 5V

R

DS （ ON）

0.5

0.5

0.5

%

V

DS

= 0.1V V

GS

= 5V

BV

DSS

I

DS （关闭）

I

GSS

C

国际空间站

12

12

12

V

I

DS

= 10μA V

GS

=0V

V

DS

=12V V

GS

= 0V

T

A

= 125°C

V

DS

=0V V

GS

=12V

T

A

= 125°C

0.1

4

4

50

10

10

0.1

4

4

50

10

10

0.1

4

4

50

10

10

nA

A

pA

nA

pF

栅极泄漏

当前

输入

电容

1

1

1

6

6

6

ALD1101A/ALD1101B

ALD1101

先进的线性器件

2

典型性能Characterisitcs

输出特性

8

低电压输出

特征

漏 - 源电流

（MA ）

V

BS

= 0V

T

A

= 25°C

4

V

GS

= 12V

6V

4V

2V

0

漏极 - 源极电流

（MA ）

160

V

BS

= 0V

T

A

= 25°C

V

GS

= 12V

10V

8V

120

80

6V

4V

2V

40

-4

0

0

2

4

6

8

10

12

漏源极电压（ V）

-8

-160

-80

0

80

160

漏极 - 源极电压（毫伏）

正向跨导

（ μmho ）

1 x10

5

5 x10

4

2 x10

4

正向跨导

与漏源电压

20

传输特性

与底物BIAS

漏 - 源电流

(A)

V

GS

= V

DS

T

A

= 25°C

15

V

BS

= 0V

10

-2V

-4V

-6V

-8V

-10V

5

-12V

V

BS

= 0V

F = 1kHz时

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

I

DS

= 10毫安

1 x10

4

5 x10

3

2 x10

3

1 x10

3

0

2

4

I

DS

= 1毫安

0

6

8

10

12

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

漏极 - 源极电压（ V）

门 - 源极电压（ V）

R

DS （ ON）

主场迎战的栅 - 源电压

漏 - 源极导通电阻

()

关 - 漏源电流

(A)

10000

V

DS

= 0.2V

V

BS

= 0V

1000

T

A

= +125°C

100

10

X

10

-6

关漏极 - 电流与

温度

V

DS

= +12V

V

GS

= V

BS

= 0V

10

X

10

-9

10

0

T

A

= +25°C

2

4

6

8

10

12

10

X

10

-12

-50

-25

0

+25

+50

+75

+100 +125

门源极电压（ V）

温度（℃）

ALD1101A/ALD1101B

ALD1101

先进的线性器件

3