A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1101A/ALD1101B
ALD1101
双N信道匹配组MOSFET
概述
该ALD1101是单片双N沟道匹配的晶体管对
供了广泛的模拟应用。这些enhancement-
模式晶体管与先进的线性器件“恩制造
hanced ACMOS硅栅CMOS工艺。
该ALD1101提供高输入阻抗和负电流温度
TURE系数。晶体管对匹配于最小偏移电压
和差热响应，并且它被设计用于开关和
在放大+ 2V应用到+ 12V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。自
这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）
电流增益在低频或DC附近，操作环境。当
用ALD1102使用的，双CMOS模拟开关可以构造。
此外， ALD1101的目的是作为构造块差
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。
该ALD1101适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在50Pa的规定，在室温下进行。例如，DC装置的测试
为5mA的在25℃下的漏电流为= 5毫安/ 50PA = 100,000,000 。
应用
精密电流镜
精密电流源
模拟开关
菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟逆变器
引脚配置
来源
1
门
1
漏
1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
基板
来源
2
门
2
漏
2
特点
0.7V的低阈值电压
低输入电容
沃斯低年级 - 为2mV ，为5mV ，为10mV
高输入阻抗 - 10
12
典型
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
符合RoHS
顶视图
SAL ， PAL ， DA套餐
* NC引脚内部连接。请勿进行外部连接。
框图
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8-Pin
小尺寸
封装（ SOIC ）
ALD1101ASAL
ALD1101BSAL
ALD1101SAL
8-Pin
塑料DIP
包
ALD1101APAL
ALD1101BPAL
ALD1101PAL
8-Pin
CERDIP
包
漏1（3）
栅1（2）
源1（ 1 ）
基板（8）的
漏极2（5）
源2（7）
2号门（ 6 ）
ALD1101DA
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
2.0版 2012高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压，V
GS
功耗
工作温度范围
10.6V
10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SAL ， PALpackages
DA包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心： ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
- V
GS2
符号
V
T
V
OS
-1.2
ALD 1101A
最小值典型值
最大
0.4
0.7
1.0
2
-1.2
ALD1101B
最小典型最大
0.4
0.7
1.0
5
-1.2
ALD1101
最小典型最大
0.4
0.7
1.0
10
单位
V
mV
毫伏/°C的
TEST
条件
I
DS
= 10μA V
GS
= V
DS
I
DS
= 100μA V
GS
= V
DS
栅极阈值
TC
VT
温度漂移
在漏极电流
I
DS （ ON）
25
5
40
10
0.5
200
50
75
25
5
40
10
0.5
200
50
75
25
5
40
10
0.5
200
50
75
mA
mmho
%
μmho
V
GS
= V
DS
= 5V
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
跨克
fs
不匹配
产量
导
漏源
抗性
漏源
抗性
不匹配
漏源
击穿
电压
断漏电流
G
fs
G
OS
R
DS （ ON）
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
R
DS （ ON）
0.5
0.5
0.5
%
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
BV
DSS
I
DS （关闭）
I
GSS
C
国际空间站
12
12
12
V
I
DS
= 10μA V
GS
=0V
V
DS
=12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
=0V V
GS
=12V
T
A
= 125°C
0.1
4
4
50
10
10
0.1
4
4
50
10
10
0.1
4
4
50
10
10
nA
A
pA
nA
pF
栅极泄漏
当前
输入
电容
1
1
1
6
6
6
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
先进的线性器件
2 6
典型性能特性
输出特性
8
低电压输出
特征
漏 - 源电流
（MA ）
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
4
V
GS
= 12V
6V
4V
2V
0
漏极 - 源极电流
（MA ）
160
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
V
GS
= 12V
10V
8V
120
80
6V
4V
2V
40
-4
0
0
2
4
6
8
10
12
漏源极电压（ V）
-8
-160
-80
0
80
160
漏极 - 源极电压（毫伏）
正向跨导
（ μmho ）
1 x10
5
5 x10
4
2 x10
4
正向跨导
与漏源电压
20
传输特性
与底物BIAS
漏 - 源电流
(A)
V
GS
= V
DS
T
A
= 25°C
15
V
BS
= 0V
10
-2V
-4V
-6V
-8V
-10V
5
-12V
V
BS
= 0V
F = 1kHz时
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
I
DS
= 10毫安
1 x10
4
5 x10
3
2 x10
3
1 x10
3
0
2
4
I
DS
= 1毫安
0
6
8
10
12
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
漏极 - 源极电压（ V）
门 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
主场迎战的栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
()
关 - 漏源电流
(A)
10000
V
DS
= 0.2V
V
BS
= 0V
1000
T
A
= +125°C
100
10
X
10
-6
关漏极 - 电流与
温度
V
DS
= +12V
V
GS
= V
BS
= 0V
10
X
10
-9
10
0
T
A
= +25°C
2
4
6
8
10
12
10
X
10
-12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
门源极电压（ V）
温度（℃）
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
先进的线性器件
3 6
SOIC - 8封装图
8引脚塑料SOIC封装
E
暗淡
A
MILLIMETERS
民
1.35
0.10
0.35
0.18
4.69
3.50
最大
1.75
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
1.27 BSC
5.70
0.60
0°
0.25
6.30
0.937
8°
0.50
民
0.053
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
英寸
最大
0.069
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
S (45°)
A
1
b
C
D-8
D
E
e
H
0.050 BSC
0.224
0.024
0°
0.010
0.248
0.037
8°
0.020
A
e
b
A
1
L
S
S (45°)
H
C
L
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
先进的线性器件
4 6
PDIP - 8封装图
8引脚塑料DIP封装
MILLIMETERS
英寸
民
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.370
0.220
0.300
0.090
0.290
0.110
0.040
0°
最大
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.460
0.280
0.325
0.110
0.310
0.150
0.080
15°
E
E1
暗淡
A
A
1
A
2
b
b
1
c
民
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
9.40
5.59
7.62
2.29
7.37
2.79
1.02
0°
最大
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
11.68
7.11
8.26
2.79
7.87
3.81
2.03
15°
D
S
D-8
E
E
1
A2
A
L
e
e
1
L
S-8
A
1
b
b
1
e
c
e
1
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
先进的线性器件
5 6
QQ：2881677436 复制
