AL5DS9xx9V
3.3V同步双端口SRAM
4K / 8K / 16K / 32K / 64K / 128K X 8/9 /16/ 18位
特点
真正的双端口存储器单元
17流通型/流水线设备：
- 4K / 8K / 16K / 32K / 64K ×18位的企业（ AL5DS9349V / 59V / 69V / 79V / 89V ）
- 16K / 32K / 64K ×16位的企业（ AL5DS9269V / 79V / 89V ）
- 8K / 16K / 32K / 64K / 128K ×9位组织（ AL5DS9159V / 69V / 79V / 89V / 99V ）
- 16K / 32K / 64K / 128K ×8位的组织（ AL5DS9069V / 79V / 89V / 99V ）
支持字节写入/读取的16/18位设备
对于总线匹配独立的高字节和低字节控制（仅16/18位器件）
3种模式支持：
-Pipelined
-flow流，通过
-Burst
计数器使能和复位
在流水线输出模式的两个端口快速（ 100 MHz）的运行
支持深度和宽度扩大
0.25微米CMOS的最佳速度/功耗
高速时钟对数据的访问
3.3V的低工作功耗
管脚兼容和功能上等同于IDT或柏树
可在100或128引脚TQFP
架构
AL5DS9xx9V初步修订： 1.0
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设备描述
双口RAM是一个静态RAM，带有双端口单元。有单独的地址，数据和
对于每个端口的控制信号，以访问一个公用的SRAM阵列。双端口RAM通常是
分类与FIFO中为“专业”的记忆。它们在通信最常用的
包括处理器，流程和系统之间的数据交换。
每个端口包含了快速内存访问的应用程序的内部计数器。的初始地址
内部计数器装载端口的地址选通脉冲（ / ADS ） 。它也允许反
使能（ / CNTEN ）来增加内部计数器在每个低到该端口的高转型
时钟信号。该计数器可以针对整个存储器阵列和意愿重新开始循环（地址
0）。内部计数器将被重置为零，而主张计数器复位（ / CNTRST ） 。
该AL5DS9xx9V是一个高速，3.3V，同步，CMOS双端口SRAM系列。该
AL5DS9349V / 59V / 69V / 79V / 89V配置为4K / 8K / 16K / 32K / 64K ×18位，
AL5DS9269V / 79V / 89V为16K / 32K / 64K ×16位， AL5DS9159V / 69V / 79V / 89V / 99V的
8K / 16K / 32K / 64K / 128K ×9位和AL5DS9069V / 79V / 89V / 99V为16K / 32K / 64K / 128 ×8位。所有
这些部件支持通过该管道/ FT引脚选择既流水线和流过的模式。在
的流水线模式中，需要两个周期以重新激活数据输出。该AL5DS9xx9V
系列采用了双芯片使，让简单的深度和广度扩展，无需外部
控制逻辑。
所有部件均采用100引脚薄型四方扁平封装塑料（ TQFP ）封装。
AL5DS9269V / 79V / 89V和AL5DS9379V / 89V也是128引脚TQFP封装。
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