AL5802
30V ，可调电流吸入电流的线性LED驱动器
描述
该AL5802结合了高增益的NPN晶体管，预
偏置NPN晶体管做一个简单的小尺寸LED
驱动程序。
LED电流通过连接到外部电阻器来设定
从REXT引脚（ 6） GND引脚（ 4 ） ，内部高增益
晶体管跨越发展的外部0.6V左右
电阻器。
在AL5802集电极开路输出可在0.8V到操作
30V ，使其能够在5V工作至24V电源
无需额外的部件。
LED电流的PWM调光可以通过实现
驱动BIAS引脚（2）具有低阻抗电压
源，或驱动EN引脚（3）与外部开
集电极NPN晶体管或开漏N沟道MOSFET 。
该AL5802是一个SOT26封装，非常适合
驱动20mA至120毫安的LED电流。
引脚分配
（ TOP VIEW ）
6
5
4
超前信息
新产品
Q1
Q2
1
2
3
SOT26
特点
参考电压V
RSET
= 0.65V
-40 ℃至125℃温度范围内
0.8V至30V集电极开路输出
负温度系数 - 自动降低LED
电流在高温下
铜引线框架的低热阻SOT26
SOT26 ：可在“绿色”模塑料（无溴，锑）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
应用
线性LED驱动器
LED招牌
离线式LED灯具
典型应用电路
AL5802
文件编号： DS35516 1版 - 2
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2011年11月
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AL5802
30V ，可调电流吸入电流的线性LED驱动器
引脚说明
针
数
1
2
名字
OUT
BIAS
EN
GND
FB
REXT
功能
集电极开路LED驱动器输出
偏置集电极开路输出晶体管
使能引脚用于PWM调光。提供对Q2的基极和
Q1的集电极
用于设置LED电流接地参考点
反馈引脚。
应连接到引脚6 。
电流检测引脚。 LED电流检测电阻应该连接
从这里到GND 。
超前信息
新产品
3
4
5
6
功能框图
图。 1框图
绝对最大额定值
符号
V
OUT
V
BIAS
V
FB
V
EN
V
REXT
I
OUT
T
J
T
ST
特征
输出相电压GND
相对于GND （注1 ）偏置电压
相对于GND LED的电压
EN电压相对于GND
相对于GND REXT电压
输出电流
工作结温
储存温度
值
30
30
6
6
6
150
-40至150
-55到150
单位
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
这些压力额定值只。绝对最大额定值之外的操作可能会导致设备故障。
工作在绝对最大额定值长时间可能会降低设备的可靠性。
注意事项：
1.带销5和6连接在一起。
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封装热性能数据
特征
功率耗散（注
2)
@ T
A
= 25°C
功率耗散（注
3)
@ T
A
= 25°C
功率耗散（注
4)
@ T
A
= 25°C
热阻，结到环境空气（注2 ） @ T
A
= 25°C
热阻，结到环境空气（注3 ） @ T
A
= 25°C
热阻，结到环境空气（注4 ） @ T
A
= 25°C
注意事项：
符号
P
D
价值
0.37
0.87
1
335
143
120
单位
W
超前信息
新产品
R
θ
JA
° C / W
2.Device安装在FR- 4 PCB ， 2盎司以最小的推荐焊盘布局。
3.Device安装在25毫米x 25mm的2盎司覆铜板。
4.Device安装在50毫米×50毫米2盎司覆铜板。
推荐工作条件
符号
V
BIAS
V
OUT
I
LED
T
A
注意事项：
参数
电源电压范围
输出电压范围
LED引脚电流（注
5)
工作环境温度范围
民
4.5
0.8
10
-40
最大
30
30
120
125
单位
V
mA
°C
5.Subject至环境温度，功率耗散和印刷电路板。
电气特性
NPN晶体管 - Q1
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
特征
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
I
BL
基地截止电流
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 100μA ，V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
民
40
6.0
典型值
最大
单位
V
V
nA
nA
50
50
40
70
100
0.65
300
0.20
0.85
V
V
NPN预偏置晶体管 - Q2
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
注意事项：
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
直流电流增益（注6 ）
输入阻抗
测试条件
I
C
= 50μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 50μA ，我
C
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 150毫安
民
30
30
5.0
典型值
最大
0.5
0.5
0.3
100
7
10
13
单位
V
V
V
A
A
V
kΩ
*晶体管的特性而已。
脉冲条件下测得的6 。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
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热特性
超前信息
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AMBIENT TEMPERAURE （ ° C）
图。 2Derating曲线
图。 3Max功率与面积
图。 4Thermal电阻与地区
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