Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63264W - 72的SRAM模块由快高
性能的SRAM安装在低调， 72引脚SIM局。
该模块采用8引脚28 64K ×4的SRAM在SOJ包装
并安装在印刷两侧各有四个去耦电容
电路板。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
从12毫微秒中的各种访问时间值提供给
45纳秒的CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
的0.600英寸，以提供高度最低离板。通过场外
置安装在背面的SRAM模块可被安装
在任一角度的或直式SIM卡插槽。该模块符合
JEDEC标准尺寸和引脚配置。使用两个
引脚模块存储密度的识别， PD
0
和PD
1
，迷你
当改变mizes互换性和设计考虑
从一个模块尺寸到另一个客户应用程序。
AK63264W-72
65,536 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
72引脚格式
静态随机存取存储器
前视图
72引脚SIM卡
1
72
特点
·
65,536 ×32位的组织
·
JEDEC标准化的72针SIM卡或ZIP引出线
·
通用I / O ，具有四个独立的单芯片OE功能
选择（ CE）
·
高度低， 0.600英寸最大
·
有256K ×32 （ AK632256 ） 512K ×32的向上兼容
（ AK632512 ）和梅格1 ×32 （ AK6321024 ）
·
TTL兼容的输入和输出
·
向下有128K ×32 （ AK632128 ）兼容，
32K ×32 （ AK63232 ）
·
设备检测PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
快速访问时间为12纳秒的BiCMOS到45纳秒
CMOS
·
单5伏电源 - AK63264W -72
·
单3.3伏电源 - AK63264W - 72 / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
C至70
0
C
·
可以用焊锡或金引线
电气规格
时序图和基本电气特性是那些的
标准64K ×4的SRAM用于构建这些模块。 Accutek的
模块化设计允许选择行业兼容的灵活性
64K ×4的SRAM几个半导体制造商。
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
15
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
3
VCC
VSS
WE
NC
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
无连接
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
A4
A11
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ38
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
NC
NC
NC
NC
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
A1
A8
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
A15
A14
CE2
CE1
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
模块选项
无铅SIM卡： AK63264W -72
14
15
16
17
18
PD0 =打开
PD1 = VSS
订购信息
部件编码释义
位置
1
1
2
3
4
5
6
7
8
机械尺寸
英寸
0.600
最大
产品
AK = Accutek记忆
2型
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
3组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
4尺寸/位深度
64 = 64K
4096 = 4 MEG
256 = 256K
8192 = 8 MEG
1024 = 1 MEG 16384 = 16 MEG
5封装类型
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
6特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
7分隔符
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
8速（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
12 = 12纳秒
60 = 60纳秒
15 = 15纳秒
70 = 70纳秒
20 = 20纳秒
80 = 80 ns的
25 = 25纳秒
此页面上的数字和编码不包括所有的杂物 -
中都可用，但被示出为最广泛的例子
二手变化。联系Accutek如果其他信息重新
quired 。
0.400
0.240
0.260
0.080
0.070
0.475
0.425 C
L
CC
LL
1
0.050
典型值
3.995
3.975
4.245
4.255
0.130
0.120
72
示例：
AK63264W72-12
64K ×32 ， 12纳秒SRAM模块， 72管脚SIM配置
ACCUTEK微型电路股份有限公司
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2新的草地ROAD ， SUITE 1
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电话： 978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网： www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
0.350
最大
QQ：2881677436 复制
