Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK63232Z SRAM模块由快高perfor-的
曼斯静态存储器安装在低调， 64引脚ZIP局。该
模块采用4引脚28 32K ×8 SRAM的300万SOJ包装
与安装在一个前侧4的去耦电容
印刷电路板。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
从8毫微秒中的各种访问时间值提供到45毫微秒
在CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
0.500英寸。该模块符合JEDEC标准的尺寸和
引出脚配置。这，与使用两个引脚模块
存储密度的识别， PD
0
和PD
1
，最小化
更改时的互换性和设计考虑
一个模块的尺寸与其它的客户应用程序。
AK63232Z
32,768 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
顶视图
64引脚ZIP
1
32
33
64
·
用64K ×32 （ AK63264 ） ，向上兼容256K ×32
（ AK632256 ） ， 512K ×32 （ AK632512 ）和梅格1 ×32
(AK6321024)
·
设备检测， PD
0
和PD
1
识别模块密度
·
快速访问时间从8纳秒的BiCMOS到45纳秒
CMOS
·
TTL兼容的输入和输出
·
单5伏电源 - AK63232Z
·
单3.3伏电源 - AK63232Z / 3.3
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
C至70
0
C
特点
·
32,768 ×32位的组织
·
JEDEC标准的64引脚ZIP格式
·
通用I / O ，具有四个独立的单芯片OE功能
选择（ CE）
·
高度低， 0.500英寸的最大高度就座
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
14
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
A0
-
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
NC
A14
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
CE4
CE3
NC
NC
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
15
AO-
A14
OE
WE
OE
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
CE
CE1
AO-
DQ1
A14
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
CE
CE2
AO-
DQ1
A14
模块选项
含铅邮编： AK63232Z
12
13
14
15
16
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
CE
CE3
AO-
DQ1
A14
PD0 =打开
PD1 =打开
CE4
OE
WE
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
CE
订购信息
部件编码释义
位置
1
产品
1 2 3 4 5 6 7 8
机械尺寸
英寸
顶视图ZIP
1
2
AK = Accutek记忆
4
3
2
TYPE
6
5
3
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
256 = 256K
1024 = 1 MEG
套餐类型
4096 =
8192 =
16384 =
4兆
8兆
16 MEG
59
60
61
62
64
63
.100 x .100
角切迹
4
0.125
0.155
0.500
最大
5
6
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
12 = 12纳秒
70 = 70纳秒
15 = 15纳秒
80 = 80 ns的
20 = 20纳秒
1
C
L
0.125
0.135
CC
LL
32
0.050
典型值
7
3.590
3.610
33
C C
L L
0.100
典型值
8
64
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用但被示出为最广泛使用的杂物 - 实例
系统蒸发散。联系Accutek如果需要其他信息。
0.100
典型值
示例：
AK63232Z-12
32K ×32 ， 12纳秒SRAM模块ZIP
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
电话：
978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
sales@accutekmicro.com
互联网：
www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
C C
L L
0.200
最大
QQ：2880707522 复制
