描述
Accutek
微型电路
公司
AK632256AW
262,144 ×32位CMOS / BiCMOS工艺
静态随机存取存储器
该Accutek AK632256AW SRAM模块包括八个快速
高性能的SRAM安装在低调， 64管脚SIM卡
PCB 。该模块利用四个28脚256K ×4的SRAM 300万
SOJ包和4去耦电容器芯片，安装在
一个印刷电路板的每一侧上。
所用的SRAM具有通用I / O功能和单输出恩
能功能。此外，四个独立片选（ CE ）连接
用于独立地使所述四个字节。这些模块可以是
从12毫微秒中的各种访问时间值提供给45
NSEC在CMOS或BiCMOS技术。
该Accutek模块被设计为具有一个最大落座高度
的0.600英寸，以提供高度最低离板。通过场外
置安装在背面的SRAM模块可被安装
在任一角度的或直式SIM卡插槽。该模块符合
JEDEC标准尺寸和引脚配置。使用两个
引脚模块存储密度的识别， PD
0
和PD
1
，迷你
当改变mizes互换性和设计考虑
从一个模块尺寸到另一个客户应用程序。
顶视图
64引脚SIM卡
1
32
33
64
特点
·
·
·
·
·
262,144 ×32位的组织
JEDEC标准化的64针SIM格式
可以用焊锡或金引线
设备检测PD
0
和PD
1
识别模块密度
通用I / O ，具有四个独立的单芯片OE功能
选择（ CE）
·
高度低， 0.600英寸的最大高度就座
·
单5伏电源，声讯 - AK632256AW
·
单3.3伏电源 - AK632256AW / 3.3
·
有128K ×32 （ AK632128 ） ，向下兼容64K ×32
（ AK63264 ）和32K ×32 （ AK63232 ）
·
向上兼容512K ×32 （ AK632512 ）和梅格1 ×32
(AK6321024)
·
快速访问时间为12纳秒的BiCMOS到45纳秒
CMOS
·
TTL兼容的输入和输出
·
工作温度范围在自由空气中， 0
0
C至70
0
C
电气规格
时序图和基本电气特性是那些
标准的256K ×4的SRAM用于构建这些模块。
Accutek的模块化设计允许选择行业的灵活性
尝试兼容的几个半导体制造256K ×4的SRAM
商。
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
17
CE
1
- CE
4
DQ
1
- DQ
32
OE
PD
0
- PD
1
VCC
VSS
WE
地址输入
芯片使能
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源
地
写使能
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
CE4
CE3
A17
A16
OE
VSS
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
DQ28
DQ20
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
DQ24
DQ32
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VSS
PD0
PD1
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
DQ4
DQ12
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
DQ16
DQ8
VSS
WE
A15
A14
CE2
CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
模块选项
无铅SIM卡，焊接信息： AK632256AW
无铅SIM卡，金卡信息： AK632256AWG
12
13
14
15
16
PD
0
VSS =
PD
1
VSS =
订购信息
部件编码释义
位置
1
2
产品
AK = Accutek记忆
TYPE
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
4096 = 4 MEG
256 = 256K
8192 = 8 MEG
1024 = 1 MEG 16384 = 16 MEG
套餐类型
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
10 = 10纳秒
70 = 70纳秒
12 = 12纳秒
80 = 80 ns的
15 = 15纳秒
1
2
3
4
5
6
7
8
机械尺寸
英寸
0.600
最大
0.425
0.375
3
1
C
C
L
L
4
0.135
0.165
5
CC
CC
LL
LL
6
0.050
典型值
3.855
3.845
7
8
72
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用的，但显示为最广泛使用的变型的例子。
联系Accutek如果需要其他信息。
示例：
AK632256AWG-12
256K ×32 ， 12纳秒SRAM模块， SIM配置与黄金信息
AK632256AW-15
256K ×32 ， 15nSEC SRAM模块， SIM配置上采用焊接信息
ACCUTEK微型电路股份有限公司
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互联网： www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
0.350
最大
QQ：2881677436 复制
