Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK594096高密度存储器模块是CMOS
组织了4个随机存取存储器梅格×9位字。 AS-的
sembly由两个4兆×4和1 4梅格×1的DRAM ，
安装在印刷电路板的前侧30衬垫SIM卡
（ LEA DL ES S）或SIP 30 P （LE广告ED ）共同NF IG乌尔一个TI的Wi日
JEDEC标准的引脚排列。特别是对于低高度设计的应用程序
阳离子如VME总线板，这种低调模块是0.550
寸高。
该操作等同于9 4梅格×1的DRAM 。对于下
8位数据输入连接到数据输出，并带出另行
得非常好每个比特，与普通
RAS
和
CAS
控制权。这个化合物
周一的I / O功能要求使用的早期写周期，以防止
争在数据和数据出来。由于写使能（WE ）I
信号必须始终走前低
CAS
在一个写周期中，读 - 写
和读 - 修改 - 写操作是不可能的。第九位，
DATA IN （D
9
）和数据输出（Q
9
）引脚带来了我们分开和
通过该位单独PCAS控制。
AK594096BS / AK594096BG
4194304字由9位CMOS
动态随机存取存储器
前视图
30引脚SIM卡
+
+
30引脚SIP
+
+
1
特点
·
4,194,304 ×9位组织
·
薄型30片（ SIM ）单列直插式内存
·
薄型30脚（ SIP ）单列直插式封装
·
JEDEC标准引脚
·
常见
CAS ， RAS
和WE为低8位
·
CAS先于RAS
刷新
·
刷新周期2048个周期32毫秒
·
动力
1.450瓦特最大活动， 70纳秒
1.610瓦特最大活动， 60纳秒
16.5 mWatt最大砂姜
·
工作自由的空气温度0
0
C至70
0
C
·
与AK591024和AK59256向下兼容
·
与AK5916384向上兼容
·
快速页模式和静态列模式版本，
半字节模式是不可能的
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
10
RAS
0
CAS
WE
OE
DQ
1
- DQ
8
D
9
Q
9
VCC
VSS
NC
地址输入
引脚分配
1
VCC
CAS
DQ1
A0
A1
DQ2
A2
A3
VSS
DQ3
A4
A5
DQ4
A6
A7
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
DQ5
A8
A9
A10
DQ6
WE
VSS
DQ7
NC
DQ8
NC
RAS
0
NC
NC
VCC
工作原理图
A
0
- A
10
+
RAS +
CAS +
WE +
DQ1 +
DQ2 +
DQ3 +
DQ4 +
11
*
*
*
*
*
*
*
A
0
- A
10
RAS
CAS
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
DATA IN
数据输出
5V电源
地
无连接
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
OE
*
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
+
+
+
+
A
0
- A
9
* RAS
* CAS
*我们
* DQ1
* DQ2
* DQ3
* DQ4
OE
*
模块选项
无铅SIM卡： AK594096BS
含铅SIP ： AK594096BG
PCAS +
A
0
- A
11
* RAS
* CAS
*我们
D9 +
Q9 +
*D
Q *
订购信息
部件编码释义
位置
1
产品
AK = Accutek记忆
2
TYPE
4 =动态RAM
5 = CMOS动态RAM
6 =静态RAM
组织/字宽
1 = 1 16 = 16
4 = 4 32 = 32
8 = 8 = 36 36
9 = 9
尺寸/位深度
64 = 64K
256 = 256K
1024 = 1 MEG
套餐类型
4096 =
8192 =
16384 =
4兆
8兆
16 MEG
1 2 3 4 5 6 7 8
示例：
AK594096BGP-70
4梅格×9 ， CMOS动态RAM ，含铅SIP ，页模式， COM的
商用， 70纳秒访问时间
AK594096BSP-60
4梅格×9 ， CMOS动态RAM ，无铅SIM卡，页面模式， COM的
商用， 60纳秒访问时间
机械尺寸
英寸
3
4
5
6
G =单列直插式封装（ SIP ）
S =单列直插模块（SIM ）
D =双列直插式封装（ DIP ）
W = 0.050英寸间距的边缘连接
Z =锯齿形直插封装（ ZIP）
特殊的标志
P =页面模式
N =半字节模式
K =静态列模式
W =写每比特模式
V =显存
分离器
- =商业0
0
C至+70
0
C
M =军事等效屏蔽
(-55
0
C至+ 125
0
C)
I =工业级温度测试
(-45
0
C至+ 85
0
C)
X =烧毁
速度（前两个显著数字）
DRAM的
静态存储器
50 = 50纳秒
8 =
8纳秒
60 = 60纳秒
10 = 10纳秒
70 = 70纳秒
12 = 12纳秒
80 = 80 ns的
15 = 15纳秒
.550"
最大
.550"
最大
0.100"
0.100"
C C
L L
+
+
C C
L L
1
3.100"
最大
3.505"
最大
7
+
+
8
0.200"
最大
此页面上的数字和编码不包括所有的变化
可用的，但显示为最广泛使用的变型的例子。
联系Accutek如果需要其他信息。
ACCUTEK微型电路股份有限公司
商务中心纽伯里波特
2新的草地ROAD ， SUITE 1
纽伯里波特， MA 01950-4054
VOICE ： 978-465-6200传真： 978-462-3396
电子邮件：
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互联网： www.accutekmicro.com
Accutek保留在任何做出改变规格的权利
时间，恕不另行通知。 Accutek不承担任何责任
对于使用上述任何电路的;没有任何电路专利许可
暗示。初步数据表包含的最小值和最大值
根据设计目标，这是受到限制的变化
在全面表征在特定的操作条件。
QQ：2880707522 复制
