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AIC1680
超低功耗电压检测器
特点
超低静态电流。
1.5V至10.0V的输入电压工作。
灵活的检测电压设定
在1.6V至6.0V的范围0.1V步骤
高检测的电压精度
±2.5%.
内置检测电压迟滞。
三种输出类型: N沟道, P沟道和CMOS 。
节省空间的封装: TO- 92 , SOT- 89 ,
SOT -23和SOT23-5 。
描述
该AIC1680是一种精确,超低功耗
消费电压检测器IC,与制造
先进的CMOS工艺。该AIC1680 CON-
一个比较器的存在,请参考电压单元,
一个电阻分压器,两个输出驱动器,和一个
迟滞电路。
的消耗电流是如此之低,以致它可以
时相比,电池常常被忽略
自放电电流。检测的值
和滞后电压内部设定,并
通过修整工艺精确控制。
有三种类型的输出: N沟道开
漏, P- ch漏极开路和CMOS 。四种类型
封装, TO- 92 , SOT- 89 , SOT -23和SOT-
23-5 ,可节省电路板空间。
应用
检查电池的电池供电系统。
CPU &逻辑电路的复位。
后备记忆电路。
甄别。
电源故障检测。
典型应用电路
V
IN
VDD
VOUT
100K
V
OUT
AIC1680N
GND
电压电平指示器( N沟道开漏输出)
模拟INTEGRATIONS公司
DS-1680-00
00年12月29日
4F , 9 ,产业E.九路,科学工业园区,新竹台湾, ROC
电话: 886-3-5772500
传真: 886-3-5772510
www.analog.com.tw
1
AIC1680
订购
信息
AIC1680XXXCX
包装类型
U: SOT -23
X: SOT- 89
Z: TO- 92
V : SOT23-5
订单号
AIC1680CU
(SOT-23)
引脚配置
前视图
1 : VOUT
2 : VDD
3 : GND
1
2
3
检测电压可选
16: 1.6V
17: 1.7V
:
:
60: 6.0V
输出类型
N: N沟道开漏
P:P - ch开漏
C: CMOS
AIC1680CX
(SOT-89)
前视图
1 : VOUT
2 : VDD
3 : GND
1
2
3
AIC1680CZ
(TO-92)
前视图
1 : VOUT
2 : VDD
3 : GND
1
2
3
AIC1680CV
(SOT-23-5)
前视图
1 : VOUT
2 : VDD
3 : GND
4 : NC
5 : NC
5
4
(标记侧)
1
2
3
绝对最大RATINS
电源电压...........................………………….....…….....…………............................ 10V
输出电压.............................................................................. ..Vss - 0.3 10V
工作温度范围......... 。 ...... ..................... ......... ................... ... -30℃ 80℃
存储温度范围........... ...... ..................... ............ ......... ........ - 65℃ 150℃
引线温度(焊接) 10秒。 ........... ... .......... ......... ............ ......... ... ... ...... 0.260 ℃,
输出电流...........…..........……….…………………………...........………...….......20mA
2
AIC1680
电气特性
符号
V
DET
V
HYS
I
DD
参数
检测电压
检测阈值迟滞
电源电流
V
DD
=2.0V
V
DD
=3.0V
V
DD
=4.5V
V
DD
=6.0V
V
DD
=10.0V
V
DD
工作电压
V
DS
= 0.5V VDD = 2.4V
V
DS
= 0.5V VDD = 3.6V
V
DS
= 0.5V VDD = 4.6V
V
DS
= 0.5V VDD = 6.0V
I
OUT
( PCH)输出电流
温度Coeficience
T
延迟
输出的延迟时间
V
DS
= -2.1V VDD = 4.5V
1.5
3.24
5.85
7.74
10.44
3.5
±150
200
mA
PPM /°C的
S
I
OUT
( N沟道)输出电流
(测试条件: TA = 25 ° C)
°
0.975
0.03
典型值
1.0
0.05
0.7
0.9
1.3
1.8
3.2
最大
1.025
0.07
1.1
1.5
2.0
2.7
4.8
10
V
mA
单位
V
DET
V
DET
A
测试条件
框图
VDD
VDD
-
+
VOUT
-
+
VOUT
1.25V
GND
1.25V
GND
N沟道开漏输出
VDD
P沟道开漏输出
-
+
VOUT
1.25V
GND
CMOS输出
3
AIC1680
引脚说明
V
DD
:电源和检测电压输入。
GND :接地。
VOUT :探测器输出
典型性能特性
3.5
电源电流与电源电压
3.0
电源电流(
A)
Ta=25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
电源电压( V)
N沟道驱动器灌入电流与V
DS
V
DET
=1.8V
5
V
DET
=1.8V
1.4
下沉电流(mA )
4
V
DD
=1.7V
下沉电流(mA )
1.2
V
DD
=1.1V
1.0
3
V
DD
=1.5V
V
DD
=1.3V
0.8
2
0.6
1
0.4
V
DD
=0.9V
0
0
1
2
3
4
5
0.2
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
V
DS
(V)
4
AIC1680
典型性能特性
V
DET
=2.5V
10
7
(续)
V
DET
=2.5V
V
DD
=2.4V
V
DD
=2.2V
8
下沉电流(mA )
6
5
V
DD
=2.0V
下沉电流(mA )
V
DD
=1.8V
4
3
2
1
6
4
2
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
V
DET
=4.5V
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
V
DS
(V)
V
DET
=4.5V
20
V
DD
=4.4V
V
DD
=4.0V
下沉电流(mA )
V
DD
=3.5V
下沉电流(mA )
15
V
DD
=3V
10
5
V
DS
(V)
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
P沟道驱动器输出电流与V
DS
V
DET
=1.8V
6
5
6
V
DET
=2.5V
V
DS
=-1.5V
5
输出电流(mA )
V
DS
=1.5V
4
输出电流(mA )
4
3
V
DS
=1.0V
3
V
DS
=-1.0V
2
2
1
V
DS
=0.5V
1
V
DS
=-0.5V
0
2
4
V
DD
(V)
6
8
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DD
(V)
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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