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AIC1569A
5位DAC ,同步PWM功率调节器
特点
兼容HIP6004 。
简单的电压模式PWM控制。
双N沟道MOSFET同步驱动。
快速的瞬态响应。
±1%
5位数字到模拟输出电压。
可调电流,无需外部限制
检流电阻。
全为0%至100%占空比。
200KHz
自由运行
振荡器
可编程至高达的350kHz 。
电源良好输出电压监视器。
描述
该AIC1569A是一款高功率,高效率
开关稳压器控制器,用于优化高
高性能微处理器的应用。这是
设计用于驱动一个双N沟道MOSFET
标准的同步降压拓扑结构。特色
数字可编程开关稳压器,
AIC1569A包括监测和保护
功能之外的所有必需
同步PWM控制功能。
内部的5位数字 - 模拟转换器
器(DAC)来调整输出电压从2.0V
在3.5V 0.1V增量和1.3V至2.0V的
0.05V的增量。精密基准和
电压模式
电压变化。
在AIC1569A自由运行的内部振荡器
在200kHz ,可调节到的350kHz 。
所产生的PWM占空比的范围为0 %至
的100%。误差放大器采用了11MHz
带宽和6V / μs压摆率,从而使
快速暂态高转换器带宽,
反应。
该AIC1569A提供了可调节的过流
和短路保护。它检测输出
横跨电流在上部的N-电阻
无需外部低值沟道MOSFET
检流电阻。它也监视输出电压
同一个窗口比较器,并发出功率
良好的信号时,输出电压为材料的10%
额定输出电压。
控制
可以
提供
产量
内部监管
±1%
随温度和线路
应用
电源为奔腾II ,功率和
ALPHA微处理器。
高功率5V至3.xV DC / DC稳压器。
低电压分布式电源。
模拟INTEGRATIONS公司
DS-1569A-00
4F , 9 ,产业E.九路,科学工业园区,新竹台湾, ROC
电话: 886-3-5772500
传真: 886-3-5772510
www.analog.com.tw
1
AIC1569A
订购信息
AIC1569A XX
套餐类型
S:小尺寸
温度范围
C: 0°C~70°C
订单号
引脚配置
顶视图
VSEN 1
OCSET 2
SS 3
VID0 4
VID1 5
VID2 6
VID3 7
VID4 8
COMP 9
FB 10
20 RT
19 OVP
18 VCC
17 LGATE
16 PGND
15 BOOT
14 UGATE
13相
12 PGOOD
11 GND
AIC1569ACS
(塑料SO )
典型应用电路
C9
1000pF
R2
2.2K
C2
C8
0.1F
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
VSEN
OCSET
SS
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
FB
C7
33pF
R6
90.9K
C6
1000pF
R7
1.2M
R3
R5
3.01K
47K
C5
0.1F
RT
OVP
VCC
LGATE
保护地
BOOT
UGATE
PGOOD
R1
47
C1
1F
RFP45N03L
+
0.1F
12V
L1
1H
C3
1000μF ×3
5V
M1
L2
3H
D1
M2
R4
15K
NDP603AL
1N5820
+
V
OUT
GND
AIC1569A
C4
1000μF ×8
DC / DC转换器,用于奔腾
二V
CORE
2
AIC1569A
绝对最大额定值
电源电压,V
CC
....…...........................….……....…………..........................................
15V
启动电压,V
BOOT
………........................………..………….............................................
15V
输入,输出或I / O电压
.....................…………...…...…….......
GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类
..............................……………….…................…….........................
2级
推荐工作条件
电源电压,V
CC
....…............................…………..……......................................
12V±10%
环境温度范围
.…............................…....…………….…..................
0°C ~ 70°C
结温范围
....…...........……………..........….............................
0°C ~100°C
热信息
热阻,
θ
JA
(典型,注1 )
SOIC封装............................... ............ 。 ...... .. ........................ ......... ... 。
100 ° C / W
SOIC封装(含3
2
铜)
……………..………………………......…..
90 ° C / W
最高结温(塑料封装)
…..……………….....……..............
150°C
最大存储温度范围
…………………………...........….........
-65°C ~150°C
最大的铅温度(焊接10秒)
……….…………………......….........
注1 :
θ
JA
300°C
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
测试电路
见典型应用电路。
电气特性
(VCC = 12V,钽= 25℃ ,除非另有说明)。
°
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
V
CC
门槛
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
RT开放
6K<R
T
<200K
RT开放
V
OSC
170
-20
1.5
200
230
+20
千赫
%
V
P-P
V
OCSET
=4.5V
8.2
9.3
1.26
10.2
V
V
UGATE开放
I
VCC
1
3
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
3
AIC1569A
电气特性
(续)
参数
DAC输出电压
DAC输出电压精度
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
保护
过电压跳闸(V
VSEN
/ VDAC )
OCSET电流源
OVP拉电流
SS当前
根据限流SS电压
V
VSEN
= VDAC ,
V
OCSET
=5.0V, V
=0V,
V
FB
= VDAC - 50mV的
V
VSEN
=0, V
OCSET
=5.0V,
V
=0V, V
FB
=0V
V
OCSET
=4.5VDC
V
VSEN
=5.5V, V
OVP
=0V
I
OCSET
I
OVP
I
SS
106
170
30
10
2.0
115
200
125
230
%
A
mA
A
V
R
UGATE
R
UGATE
R
LGATE
R
LGATE
5.8
4.4
4.7
3.0
12
10
12
10
GBW
SR
76
11
6
dB
兆赫
V / μs的
VDAC=1.3V~3.5V
-1.0
+1.0
%
测试条件
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
根据目前的硬SS电压
极限
电源良好
上限阈值(V
VSEN
/ VDAC )
较低的阈值(V
VSEN
/ VDAC )
迟滞
(V
VSEN
/ VDAC )
0.7
V
V
VSEN
升起
V
VSEN
落下
上,下
门槛
I
PGOOD
=5mA
V
PGOOD
106
84
2
0.5
114
94
%
%
%
V
PGOOD电压低
4
AIC1569A
框图
115%
POWER- ON
RESET
OVP
OVP
VCC
+
+
110%
VSEN
90%
电源良好
PGOOD
+
+
50%
10A
+
过度
当前
I
OCS
200A
OCSET
SS
BOOT
4V
UGATE
开始
参考
VDAC
控制
逻辑
VCC
GND
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
FB
COMP
5位DAC
+
误差放大器
+
PWM
比较
LGATE
保护地
振荡器
RT
引脚说明
PIN 1 : VSEN - 转换器的输出电压感
引脚。该引脚连接到
转换器的输出。在PGOOD
和OVP比较器电路使用
这个信号报告输出电压
状态并执行过压
保护功能。
PIN 2 : OCSET - 电流限制检测引脚。连接
电阻R
OCSET
从这个引脚到
外部MOSFET的漏极。
R
OCSET
,内部200μA电流
源(我
OCS
),以及外部
MOSFET的导通电阻(R
DS ( ON)
)
共同组建的过流
根据以下点
公式:
I
PEAK
=
I
OCS
×
R
OCSET
R
DS ( ON)
如果FB引脚电压进行检测是
低于内部电压的50%
参考VDAC ,所述过电流
比较器循环软启动
功能。
PIN 3 :SS
- 软启动引脚。连接一个电容
从这个引脚到地。内部
10μA电流源提供软
启动功能的转换器。
5
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