AIC1383B
3A终端稳压器
特点
3A源和灌电流能力
支持DDR1 （ 1.25V
TT
）和DDR2 （ 0.9V
TT
)
需求
低输出电压偏移，
±20mV
高精度输出电压在满负荷
可调式V
OUT
通过外接电阻
低外部元件数量
电流限制保护
热保护
SOP-8 ，TO- 252和TO- 263封装
描述
AIC1383B线性调节器被设计为
实现3A源和吸收电流的同时
调节输出电压，以45mV以内。
AIC1383B转换电压供应范围
从1.6V到6V到的输出电压
通过调节两个外部分压器
电阻器。它提供了一个极好的电压
源的高活跃终端方案
速传输线的那些见于
高速存储器总线，以及它满足
JEDEC SSTL - 2和SSTL - 3规格
终止DDR -SRAM中。
内置电流限制在源和汇
模式，具有热关断提供
兑AIC1383B最大的保护
故障情况。
应用
主板
显卡
DDR终端电源电压
典型应用电路
V
IN
=2.5V
+
C
IN
470F
1
2
3
VIN
VOUT
GND
VCNTL
VREF
5
R1
100K
C1
100pF
C
OUT
220F
R2
100K
+
V
OUT
4
V
CNTL
=3.3V
+
C
CNTL
47F
AIC1383B
EN
CES7002A
模拟INTEGRATIONS公司
思软件技术研究中心
3A1 ， 1号，丽鑫路。一，科技园区，新竹300 ，台湾，中华民国
电话： 886-3-5772500
传真： 886-3-5772510
www.analog.com.tw
DS- 1383BP -03 010405
1
AIC1383B
订购信息
AIC1383BXXX XX
包装类型
TR ：带卷&
套餐类型
M5 ： TO- 263-5
E5 ： TO- 252-5
S： SOP - 8
C：商业
P ：无铅商业
例如：
AIC1383BCE5TR
3A版本，采用TO- 252-5封装，
磁带&卷轴包装类型
AIC1383BPE5TR
3A版本，在无铅TO- 252-5
包装，胶带&卷轴包装
引脚配置
TO-263-5
前视图
1 ： VIN
2 ： GND
3. VCNTL
4. VREF
5 ： VOUT
TO-252-5
顶视图
1 ： VIN
2 ： GND
3. VCNTL
4. VREF
5 ： VOUT
12345
1234 5
SOP-8
顶视图
VIN 1
GND 2
VREF 3
4 VOUT
8 VCNTL
7 VCNTL
6 VCNTL
5 VCNTL
绝对最大额定值
电源电压
工作温度范围
结温
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
热阻
θ
JC
TO-263
TO-252
SO-8
热阻
θ
JA
（假设没有环境空气流通，无散热片）
TO-263
TO-252
SO-8
-0.4V至7V
-40°C~85°C
125°C
-65°C ~150°C
260°C
3 ° C / W
12.5 ° C / W
40 ° C / W
60 ° C / W
100 ° C / W
160 ° C / W
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能受到损害。
2
AIC1383B
测试电路
2.5
V
1
2
3
VIN
GND
VREF
VCNTL
AIC1383
B
4
VOUT
5
V
OUT
+
1.
25V
C
OUT
10F
3.3
V
电气特性
(V
CNTL
=3.3V, V
IN
=2.5V, V
REF
=0.5V
IN
, C
OUT
= 10μF ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明） （注1）
参数
输入电压（ DDR1 / 2）
(Note2)
输出电压
输出电压偏移
测试条件
保持工作V
CNTL
≥V
IN
at
开机和关机顺序
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 0毫安
符号
V
IN
V
CNTL
V
OUT
V
OS
V
LOR
I
Q
I
CNTL
0
I
IL
3.2
4
-20
35
35
8
3
分钟。
1.6
3.0
典型值。
2.5
3.3
V
REF
20
45
45
30
10
1
6.5
马克斯。
6
6
单位
V
V
mV
mV
A
mA
A
A
负载调整率（ DDR1 / 2 ）I
OUT
= 0.1毫安 + 3A
(Note2)
静态电流
I
OUT
= 0.1毫安 -3A
V
REF
<0.2V ，V
OUT
=关闭
V的工作电流
CNTL
空载
V
REF
偏置电流
电流限制
热保护
热关断
温度
热关断
迟滞
3.3V≤V
CNTL
≤5V
通过设计保证
V
REF
=1.25V
T
SD
125
150
30
°C
°C
SHUTDOWN规格
关断阈值
输出ON （V
REF
=0V 1.25V)
输出OFF （V
REF
=1.25V 0V)
0.8
0.2
V
注1 ：在T规格进行生产测试
A
= 25°C 。规格在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关性的统计质量保证
控制（ SQC ） 。
注2 ： DDR2不可用于TO-263封装。
注3 ： V
OS
是电压测量，它被定义为V
OUT
消减V
REF 。
注4 ：负载稳定度的测量是在器件结温恒定，使用脉冲测试具有低导通时间。
注5 ：电流限制由脉冲很短的时间来衡量。
注6 ：有关安全操作制度; V
CNTL
必须始终大于Vout
IN
.
3
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