AHV1000系列
硅超突变调谐变容二极管
描述：
该
ASI AHV1000
系列是硅
超突变调谐变容二极管的
SOT-23
包
.
封装形式SOT- 23
最大额定值
I
R
V
P
DISS
T
J
T
SGT
100 nA的@ V
R
= 20 V
22 V @ 10 μA
250毫瓦@ T
C
= 25 °C
-65 ° C至+150°C
-65 ° C至+150°C
电气特性
模型
数
AHV1001
AHV1002
AHV1003
AHV1004
AHV1005
AHV1006
AHV1007
AHV1008
AHV1009
AHV1010
AHV1011
AHV1012
总电容
C
T4
（ ± 10％）（ pF）的
F =兆赫V
R
= 4.0 V
5.6
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
T
C
= 25 C
O
最小电容比
C
T2
/C
T20
F = 1 MHz的
5.3
5.5
6.0
6.0
6.5
7.0
7.0
7.5
8.0
9.0
9.5
9.5
最小Q
F = 50MHz的
V
R
= 4.0 V
300
300
250
250
250
250
175
175
175
150
150
150
1.有单或共阴极双。
加后缀“CC”的模型号共阴极对。
引脚CON组fi guration ：
单：
共阴极：
引脚1 =阳极，引脚＃ 2 = N.C 。 ，引脚＃3 =阴极
引脚1 =阳极，引脚＃ 2 =阳极，引脚＃ 3 =阴极/阴极
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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