AHK6030L
30V N沟道功率MOSFET
概述
利用
ANALOGIC
Tech的
国家的最先进的
TrenchDMOS过程中， AHK6030L设置一个
在电流处理能力的新标准，
效率为表面贴装功率MOSFET。
栅极电荷和R
DS （ ON）
都得到了优化和
封装电感最小化，以提供高
效率的DC- DC转换器。
特点
=
=
=
=
=
PWMSwitch
TM
V
DS （ MAX）
= 30V
I
D（ MAX） （一）
= 44 A @ 25
°
C
I
APP （MAX）中
= 17A典型的计算机应用
低栅电荷
低R
DS （ ON）
:
13.5 m
=
（最大） ， 9.5米
=
（典型值） @V
GS
= 10V
20 m
=
（最大） ， 14米
=
（典型值） @V
GS
= 4.5V
应用
=
的DC-DC转换器，用于CPU的
=
高电流负载开关
DPAK - L封装
漏极连接选项卡
DPAK封装
初步信息
漏极连接选项卡
G
G
S
S
绝对最大额定值
(T
A
=25
°
C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150
°
C
(a)
漏电流脉冲
(a)
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
(a)
最大功率耗散
(a)
工作结存储温度范围
T
A
= 25
°
C
T
A
= 70
°
C
价值
30
±
20
±
44
±
52
23
39
25
-55到150
单位
V
A
W
°
C
热阻
R
θJA
R
θJC
最大结点到环境
(a)
最大结到外壳
(a)
96
3.2
°
C / W
°
C / W
研诺逻辑科技有限公司
1250 Oakmead PKWY ，套房310 ，桑尼维尔，CA 94086
(408)524-9684传真(408)524-9689
6030L.2001.05.0.91
AHK6030L
30V N沟道功率MOSFET
电气特性
(TJ=25
°
C除非另有说明）
符号
DC特性
BV
DS
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
g
fs
Q
G
Q
GS
Q
GD
漏源击穿
电压
漏源导通电阻
通态漏电流
栅极阈值电压
门体漏电流
漏源极漏电流
正向跨导
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
=10V ,V
DS
= 5V （脉冲）
V
GS
=V
DS
, I
D
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=30V
V
GS
=0V,V
DS
= 30V ，T
A
=70°C
VDS = 15V ，ID = 10A
30
9.5
14
56
1.0
±100
1
25
19
36
7
6
17
11
48
36
1
52
13.5
20
V
m
A
V
nA
A
S
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
描述
条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
导通延迟
t
R
开启上升时间
t
D（关闭）
关断延时
t
F
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
I
S
连续二极管电流
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A ，V
GS
=10V
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=15A,
R
G
=6
30
20
80
64
1.5
23
V
GS
=0, I
S
=28A
注意事项：
(a)
基于热耗散结到外壳。
θ
JC
+ R
θ
CA
= R
θ
JA
其中所述壳体热参考被定义为
的漏极引脚的焊锡安装表面。
θ
JC
由设计，但保证
θ
CA
被PCB确定
设计。封装电流限制为26A直流。
(b)
与1 ×1英寸FR4板最小铜焊盘。
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AHK6030L
30V N沟道功率MOSFET
典型特征
输出特性
60.00
60
传输特性
V
D
=V
G
10V
5V
45.00
50
40
6V
I
D
(A)
I
DS
(V)
30.00
4.5V
4V
30
20
15.00
3V
0.00
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
V
GS
(V)
归一化的导通电阻与
漏电流
3
导通电阻与栅极至源极电压
40
10A
V
GS
=4.5V
20A
30A
归一化
DS （ ON）
2
1.5
1
0.5
0
0.00
R
DS （ ON）
(m)
2.5
V
GS
=3.5V
V
GS
=4V
30
20
V
GS
=5V
10.00
V
GS
=6V
20.00
V
GS
=10V
30.00
10
0
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
V
GS
(V)
栅极电荷
10
8
源极 - 漏极二极管正向电压
100
V
D
=15V
R
D
=1.2
10
V
GS
(V)
4
2
0
0
10
20
30
40
I
S
(A)
1
0.1
0.4
6
0.6
0.8
1
1.2
Q
g
，费（ NC）
V
SD
(V)
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订购信息
产品型号
体积
不适用
MPQ
不适用
磁带和卷轴
AHK6030LINY-T1
MPQ
2100
包
TO- 252 （ DPAK ）
记号
6030L
包装信息
TO- 252 （ DPAK ）
6.5
C0.5
(2X)
5.7
2.3
0.5
7.2
5.5
93
”
0~0.2
”
97
2.5
0.7
4.6
0.5
1.4
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6030L.2001.04.0.9
(0.9)
0.6
(3X)
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