AH420
400 - 2700兆赫
35.7 dBm的P1dB为
4W高线性度的InGaP HBT放大器
产品特点
产品说明
将AH420是一种低成本的高动态范围的放大器
表面贴装封装。该InGaP /砷化镓HBT能
实现高性能与-49 dBc的ACLR和35.7
dBm的压缩1分贝功率，工作落单的
+ 5V电源。它坐落在一个无铅/绿色/ RoHS-
兼容的4x5mm DFN封装。所有器件100 ％的RF
和DC测试。
工作原理图
-49 dBc的ACLR @ 26 dBm的
14分贝增益@ 2140 MHz的
800毫安静态电流
+5 V单电源
将AH420是针对使用作为最终级放大器中
MTTF >百年
无线基础设施中继器或驱动器级高
无铅/绿色/符合RoHS标准
功率放大器，其中高性能的要求。在
另外，放大器可用于各种各样的
12引脚4x5mm DFN封装
在400 2700 MHz的频率范围内的其他应用
乐队。通过关闭单+ 5V电源的，其他高
电压轨不一定需要，从而节省系统
应用
成本。该放大器还具有操作灵活
最后阶段放大器中继器
如果更高的电压电平，以实现更高的压缩
所需要的系统。
功能
RF
IN
RF
OUT
I
REF
V
BIAS
NC
PIN号
3,4,5,6
7,8,9,10
12
1
2,11
高功率放大器
移动基础设施
LTE / WCDMA / EDGE / CDMA
特定网络阳离子
参数
工作带宽
测试频率
输出信道功率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
ACPR
(2)
输出P1dB为
输出IP3
(4)
静态集电极电流
(3)
IREF
VCC ， V偏压
典型性能
单位最小值
兆赫
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dBc的
DBM
DBM
mA
mA
V
400
2140
+26
14
12
7.4
-49
+35.7
+50
800
20
+5
典型值
最大
2700
参数
频率
信道功率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
ACPR
(2)
输出P1dB为
噪声系数
输出IP3
(4)
静态集电极电流
(3)
IREF
VCC ， V偏压
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dBc的
DBM
dB
DBM
mA
mA
V
940
+27
16
14
6.4
-46.5
+35.2
6.6
+50
典型
1960
+27
14.1
19
7
-48
+35.6
5.3
+49
800
20
+5
2140
+26
14
12
7.4
-49
+35.7
5.6
+50
13
16
710
900
1.测试条件除非另有说明： 25℃ ， + 5V V供电， 2140兆赫，在调整应用电路。
2， W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH ， PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％的概率， 3.84 MHz带宽
3.这对应于小信号条件下进销6,7之下的静态电流和8时
电流设定电阻R4连接到IREF脚，是在82
.
4. OIP3是在出了+27 dBm的/音1 MHz的分离输出功率测量两个音。
上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
5.放大器已经过测试，耐用性是能够处理：
10 ： 1 VSWR @ 5VCC ， 2140MHz时， + 35.2dBm CW噘，25°C
10 ： 1 VSWR @ 5VCC ， 940MHz ， + 28.5dBm IS- 95A噘，25°C
10 ： 1 VSWR @ 5VCC ， 2140MHz时， + 26.5dBm WCDMA噘，25°C
绝对最大额定值
参数
储存温度
VCC ， V偏压
RF输入功率， CW ， 50
Ω,
T=25°C
基准电流Iref的
耗散功率， P最高
最高结温，T
J
10
6
小时MTTF
-65到+150
°C
+14 V
输入P9dB
170毫安
7W
158
°C
10.6
°C
/ W
等级
订购信息
产品型号
AH420-EG
AH420-EPCB900
AH420-EPCB1960
AH420-EPCB2140
描述
4W高线性度的InGaP HBT放大器
920-960 MHz的评估板
1930-1990 MHz的评估板
2110至70年MHz的评估板
热阻，
Θ
JC
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
标准T / R的大小= 500块一7 “卷轴。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
第1页， 2009年8月8日
TriQuint半导体公司
电话1-503-615-9000
FAX ： 503-615-8900
电子邮件： info-sales@tqs.com
网站： www.TriQuint.com
AH420
4W高线性度的InGaP HBT放大器
应用电路的PCB布局
GND
GND
V
pd
V
cc
底座配置
电路板材料： 0.014 “ GETEK ，单层1盎司纯铜，
ε
r
= 4.2,
微带线的详细信息：宽度= 030“ ，标志间距= .050 ”
注意事项：
1.
请注意，对于可靠的操作，评估电路板将被安装到一个
在操作期间和在实验室环境中以消散大得多的散热器
电源设备消耗。使用对流风扇，还建议在
实验室环境。
2.
在PCB下方的模块周围的区域不应包含任何阻焊
为了保持良好的射频接地。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
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第8 2 2009年8月
AH420
60
4W高线性度的InGaP HBT放大器
S参数（V
CC
= +5 V，I
CC
= 800毫安， 25
°C,
无与伦比的50欧姆系统）
1.0
典型的设备数据
0.8
6
0.
0
6
0.
SWP最大
6GHz
2.
1.0
0.8
增益/最大稳定增益
S(1,1)
AH420_EG
S11
S(2,2)
AH420_EG
S22
SWP最大
6GHz
2.
0
40
0.2
0
3.
0
4.
5.0
0.2
增益（dB ）
20
10.0
10.0
10.0
0
-10.0
-10.0
-40
0
2
频率（GHz ）
4
6
-0
.4
-0
.4
.0
-2
-0
.6
-0.8
-0
.6
SWP敏
0.01GHz
-0.8
-2
.0
SWP敏
0.01GHz
-1.0
注意事项：
的增益为50欧姆系统不匹配的装置被示为轨迹的黑色。为特定的频率的调谐电路，因此预计
实际增益会更高，直到达到最大稳定增益。最大稳定增益所示红线。
S参数（V
CC
= +5 V，I
CQ
= 800毫安， 25
°C,
无与伦比的50欧姆系统，校准器件引线）
频率（MHz ）
S11（ dB）的
S11 （度）
S21 （ dB）的
S21 （度）
S12 （ dB）的
S12 （度）
S22 （ dB）的
S22 （度）
10
50
100
300
500
700
900
1100
1300
1500
1700
1900
2100
2300
2500
2700
2900
3100
3300
3500
3700
3900
4100
4300
-1.22
-0.44
-0.31
-0.28
-0.30
-0.40
-0.43
-0.50
-0.59
-0.74
-0.98
-1.40
-2.04
-2.78
-2.88
-2.04
-1.32
-0.95
-0.78
-0.69
-0.63
-0.61
-0.58
-0.54
-176.79
-177.23
-178.77
179.40
178.17
176.72
175.77
173.96
171.86
169.75
167.20
164.19
161.94
163.47
169.61
171.93
169.73
167.05
164.66
162.98
161.89
161.39
161.33
161.51
29.97
24.42
19.17
10.27
6.16
3.74
2.09
0.99
0.42
0.16
0.25
0.63
1.22
1.53
0.74
-1.59
-4.55
-7.58
-10.52
-13.08
-15.60
-17.79
-19.66
-21.87
155.67
117.15
103.73
90.61
84.91
79.16
74.69
69.01
62.55
55.48
46.05
34.50
18.13
-4.61
-32.66
-58.88
-77.51
-90.68
-100.04
-106.66
-112.19
-116.53
-121.50
-124.38
-52.77
-45.04
-44.01
-43.22
-43.10
-43.48
-41.72
-41.21
-40.35
-39.33
-38.86
-38.13
-36.71
-35.70
-36.03
-37.72
-39.74
-41.31
-42.50
-43.74
-42.73
-43.74
-43.35
-42.62
64.11
32.25
11.29
5.32
-0.42
36.07
5.11
-1.08
-4.63
-10.41
-20.47
-34.84
-51.74
-78.76
-114.19
-145.67
-179.01
163.85
141.73
129.82
112.53
105.15
107.61
97.03
-1.61
-1.05
-1.16
-0.94
-0.93
-1.02
-1.07
-1.11
-1.15
-1.21
-1.24
-1.24
-1.19
-0.95
-0.62
-0.52
-0.55
-0.68
-0.80
-0.87
-0.90
-0.92
-0.92
-0.97
-1.0
-39.70
-122.90
-150.31
-169.59
-174.28
-177.33
-177.23
-178.10
-178.55
-179.14
-179.88
179.85
179.15
178.06
175.59
171.28
168.08
165.55
164.25
162.92
162.24
161.57
161.67
162.11
器件的S参数可供下载过该网站在： http://www.tqs.com
规格和信息如有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司
电话1-503-615-9000
FAX ： 503-615-8900
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第8 3 2009年8月
-4
.0
DB （ GMAX （ ） ）
AH420_EG
DB(|S(2,1)|)
AH420_EG
.0
-5.
0
-3
.0
-4
.0
-5.
0
-20
2
-0.
2
-0.
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
0.
4
-3
0.
4
0
3.
0
4.
5.0
AH420
频率（MHz）
信道功率
功率增益
输入回波损耗
输出回波损耗
ACPR
P1dB
输出IP3
在为27dBm /音，间隔为1MHz
4W高线性度的InGaP HBT放大器
920-960 MHz的参考设计（ AH420 - EPCB900 ）
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH ， PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％的概率， 3.84 MHz带宽
在25℃典型的W-CDMA的性能
920
940 960单位
+27 +27 +27 dBm的
15.9
16
16.1
dB
17
14
11
dB
5.3
6.4
8.0
dB
-47 -46.5 -46.5 dBc的
35.2 35.2 35.2 dBm的
+51
6.5
+50
6.6
800
+5
C7
C8
+49
6.7
DBM
dB
mA
V
噪声系数
静态电流，ICQ
VPD ， Vcc的
D1
FB1
C22
R3
C3
C5
C4
C6
C2
C1
R1
C14
C17
C13
C15
C12
注意事项：
1.
初级射频微带线是50
Ω.
2.
不要超过VPD和VCC或5.5V的损害会发生D1 。
3.
在丝网印刷，但不是在原理图中显示的组件不被使用。
4.
VPD用于设备掉电（低= RF关闭）
5.
C13的边缘被放置在75mil从AH420 RFOUT销。 （ 3.9
o
@ 940兆赫）
6.
C15的边缘被放置145mil从C13的边缘。 （ 7.5
o
@ 940兆赫）
7.
C14的边缘被放置在150mil从AH420 RFIN销。 （ 7.7
o
@ 940兆赫）
8.
C17的边缘放置针对C14的边缘。
9.
0
Ω
跳线可以换成铜迹线中的目标应用程序。
回波损耗
0
-5
T=25°C
增益与频率
18
T=25°C
R2
R4
L1
OIP3与输出功率/音与温度的关系
F = 940 MHz的
55
17
50
OIP3 （ dBm的）
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
-10
-15
-20
16
45
15
40
S11
S22
+25°C
-40°C
+85°C
14
0.90
0.92
0.94
0.96
0.98
-25
0.90
35
0.92
0.94
频率（GHz ）
T=25°C
0.96
0.98
20
22
频率（GHz ）
ACPR与输出平均功率与频率的关系
T=25°C
24
26
输出功率（dBm ）
28
30
OIP3与输出功率/音调与频率的关系
52
的P1dB与频率与温度的关系
37
-35
-40
ACPR （ DBC）
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH
PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％概率
3.84 MHz带宽
OIP3 （ dBm的）
50
36
48
-50
-55
-60
920兆赫
940兆赫
960兆赫
P1dB的（ DBM）
-45
35
46
34
44
920兆赫
42
940兆赫
960兆赫
29
30
+25°C
33
920
930
-40°C
940
频率（MHz）
T=25°C
+85°C
950
960
-65
15
16
17
18
19
20
21
22
输出功率（dBm ）
T=25°C
23
24
25
24
25
26
27
28
输出功率（dBm ）
电流与输出平均功率与频率的关系
1100
集电极电流（毫安）
8
噪声系数与频率的关系
T=25°C
效率与输出平均功率与频率的关系
20
集热效率（ ％ ）
1050
1000
950
900
920兆赫
850
24
25
26
27
28
输出功率（dBm ）
29
30
940兆赫
960兆赫
7
15
NF（ dB）的
6
10
5
5
920兆赫
940兆赫
960兆赫
29
30
4
0.90
0
0.92
0.94
0.96
0.98
24
25
频率（GHz ）
26
27
28
输出功率（dBm ）
规格和信息如有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司
电话1-503-615-9000
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第8 4 2009年8月
AH420
频率（MHz）
信道功率
功率增益
输入回波损耗
输出回波损耗
ACLR
P1dB
输出IP3
在为27dBm /音，间隔为1MHz
4W高线性度的InGaP HBT放大器
1930-1990 MHz的参考设计（ AH420 - EPCB1960 ）
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH ， PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％的概率， 3.84 MHz带宽
在25℃典型的W-CDMA的性能
1930 1960 1990
+27 +27 +27
13.4 14.1 14.1
13
19
11
4.7
7
12
-49
-48
-47
+35.6 +35.6 +35.6
+49
5.6
+49
5.3
800
+5
C7
C8
U
尼特
DBM
dB
dB
dB
dBc的
DBM
DBM
dB
mA
V
+49
5.3
噪声系数
静态电流，ICQ
VPD ， Vcc的
D1
C3
C5
C9
C10
C11
C4
C6
C2
C1
R1
C14
C13
C15
C12
C17
C16
注意事项：
1.
初级射频微带线是50
Ω.
2.
不要超过VPD和VCC或5.5V的损害会发生D1 。
3.
在丝网印刷，但不是在原理图中显示的组件不被使用。
4.
VPD用于设备掉电（低= RF关闭）
5.
C13的边缘被放置在75mil从AH420 RFOUT销。 （ 8.0
o
@ 1960兆赫）
6.
C15的边缘被放置为50Mil从C13的边缘。 （ 5.3
o
@ 1960兆赫）
7.
C16的边缘被放置345mil从C15的边缘。 （ 37
o
@ 1960兆赫）
8.
C14的边缘被放置在160mil从AH420 RFIN销。 （ 17.2
o
@ 1960兆赫）
9.
C17的边缘被放置95mil从C14的边缘。 （ 10.2
o
@ 1960兆赫）
10. 0
Ω
跳线可以换成铜迹线中的目标应用程序。
FB1
R3
R2
增益与频率
15
14
T=25°C
S11 ，S22 （ dB）的
ACLR （ DBC）
R4
L1
回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
T=25°C
ACLR与输出平均功率与频率的关系
-35
-40
-45
-50
-55
S11
S22
-60
2.00
T=25°C
增益（dB ）
13
12
11
10
1.92
1930兆赫
24
25
1960年兆赫
1990年兆赫
28
29
1.94
1.96
频率（GHz ）
1.98
2.00
-25
1.92
1.94
1.96
频率（GHz ）
1.98
26
27
输出功率（dBm ）
电流与输出平均功率与频率的关系
1050
集电极电流（毫安）
T=25°C
噪声系数与频率的关系
T=25°C
8
1000
950
900
850
1930兆赫
800
24
25
26
27
输出功率（dBm ）
28
29
1960年兆赫
1990年兆赫
7
NF（ dB）的
6
5
4
1.90
1.92
1.94
1.96
1.98
2.00
频率（GHz ）
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第8 5 2009年8月
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