AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
产品特点
400 - 2700兆赫
+33 dBm的P1dB为
+50 dBm的输出IP3
13.4分贝增益@ 2140 MHz的
500毫安静态电流
+5 V单电源
MTTF >百年
无铅/符合RoHS标准
SOIC -8封装
产品说明
该AH322是一款高动态范围驱动放大器的
低成本表面贴装封装。该InGaP /砷化镓HBT是
能够实现高性能的关于各种narrowband-
高达50 OIP3和+33调谐应用电路
dBm的压缩1分贝力量。它坐落在一个铅
免费/符合RoHS标准的SOIC -8封装。所有设备都100 ％
RF和DC测试。
将AH322是针对于用作驱动器放大器中
无线基础设施需要高线性度和媒体
电源是必需的。该AH322是理想的最后阶段
小型中继器或驱动器级的高功率
放大器。此外，该放大器可以用于宽
各种内的400 2700 MHz的其他应用
频带。
工作原理图
1
8
2
3
7
6
4
5
应用
最后阶段放大器中继器
高功率放大器
移动基础设施
LTE / WCDMA / EDGE / CDMA
功能
IREF
输入
输出/ VCC
VBIAS
GND
GND
PIN号
8
3
6, 7
1
背面桨
2, 4, 5
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入R.L.
输出R.L.
输出P1dB为
输出IP3
(2)
WCDMA信道功率
(3)
@ -50 dBc的ACLR
典型性能
单位最小值
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
mA
400
2140
13.4
14.7
7.8
+33
+50
+24.1
4.8
+5
500
30
典型值
最大
2700
参数
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
WCDMA信道功率
(3)
@ -50 dBc的ACLR
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
mA
940
19.4
18
8.5
+23.6
+33.0
+47.6
8.5
典型
1960
14.1
11.3
11.8
+24.4
+33.3
+50.2
4.5
+5
30
500
2140
13.4
14.7
7.8
+24.1
+33
+50
4.8
噪声系数
VCC ， V偏压
静态集电极电流
(4)
IREF
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
VCC ， V偏压
IREF
静态集电极电流
600
500
1.测试条件除非另有说明： 25℃ ， + 5V V供电， 2140兆赫，在调整应用电路。
2. 3OIP在21 dBm的/音输出功率为1 MHz ， 940分开测量两个音
兆赫。 OIP3为+24 dBm的/音输出功率为1 MHz分开测量两个音，
1960 MHz和2140分别兆赫。上最大的IM3产物的抑制被用来
计算使用的是2的OIP3 ： 1的规则。
3. 3GPP WCDMA ， TM1 + 64DPCH ， ± 5 MHz偏移，不剪裁， PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％
概率。
4.这对应于小信号条件下，静态电流或工作电流成
管脚6和7 。
绝对最大额定值
参数
储存温度
RF输入功率， CW ， 50 ， T = 25℃
器件电压VCC V偏压
器件的电流
设备电源
热阻， RTH
结温， TJ
等级
-65到+150
°C
输入P
10
dB
+8 V
1400毫安
8W
18.6
°C
/ W
+200
°C
订购信息
产品型号
AH322-S8G
AH322-S8PCB900
AH322-S8PCB1960
AH322-S8PCB2140
描述
2W高线性度的InGaP HBT放大器
（无铅/符合RoHS指令的SOIC - 8 PKG ）
920 - 960 MHz的评估板
1930年 - 1990 MHz的评估板
2110年至2170年兆赫评估板
.
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
TriQuint半导体股份有限公司
电话1-800-951-4401
FAX ： 408-577-6633
电子邮件： info-sales@tqs.com
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2009年4月
AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
典型的设备数据
S参数（VCC = 5 V，I
cq
= 500毫安，T = 25
°C,
校准器件引线）
1.0
1.0
6
0.
0.
6
45
0.
4
0. 8
0 .8
增益和最大稳定增益
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
2.14 GHz的
7.19分贝
2.14 GHz的
22.7分贝
0
S11
SWP最大
4GHz
2.
0
S22
SWP最大
4GHz
2.
0
0
3.
10 .0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.
-0
4
.0
-2
-0
.4
-0
-0
.6
.6
- 0. 8
-0 .8
.
-2
0
SWP敏
0.01GHz
注意事项：
的增益为50欧姆系统不匹配的装置被示为轨迹的粉红色， [ DB （S （2， 1）] 。对于一个调谐电路
特定频率，因此预计实际增益会更高，直到达到最大稳定增益。最大稳定增益示于
蓝线[ DB （ GMAX ）。
阻抗曲线如图0.01 - 4千兆赫，与放置在0.5 GHz的增量指标。
S参数（V
cc
= +5 V，I
cq
= 500毫安，T = 25
°C,
无与伦比的50欧姆系统，校准器件引线）
频率（MHz ）
S11（ dB）的
S11 （ ANG）
S21 （ dB）的
S21 （ ANG）
S12 （ dB）的
S12 （ ANG）
50
-0.74
-174.58
29.75
109.51
-43.47
25.51
100
-0.53
-179.31
24.21
98.59
-43.22
17.83
200
-0.45
176.71
18.46
89.55
-42.49
8.135
400
-0.44
170.07
12.77
80.82
-42.04
5.31
600
-0.56
163.11
9.78
73.71
-41.41
10.52
700
-0.61
159.9
8.73
69.49
-41.21
11.31
800
-0.64
156.03
7.94
65.68
-40.26
12.5
1000
-0.78
147.66
6.8
56.95
-39.65
7.88
1200
-0.87
138.49
6.11
46.99
-38.34
2.45
1400
-1.08
128.32
5.8
36.79
-37.99
-3.1
1600
-1.4
117.39
5.83
25.05
-37.52
-14.57
1800
-1.94
106.19
6.17
10.83
-37.39
-27.07
2000
-3.2
95.9
6.8
-7.89
-37.45
-42.22
2200
-5.84
94.01
7.36
-33.75
-38.56
-69.38
2400
-6.52
112.96
6.5
-64.88
-41.93
-115.31
2600
-4.45
121.06
4.77
-92.83
-41.83
167.17
2800
-2.44
117.78
2.24
-121.06
-38.13
103.07
3000
-1.26
108.49
-1.12
-142.85
-34.99
62.15
S22 （ dB）的
-1.15
-1.22
-1.19
-1.22
-1.18
-1.12
-1.17
-1.22
-1.26
-1.33
-1.49
-1.46
-1.41
-1.21
-0.9
-0.4
-0.27
-0.35
-1.0
-1.0
S22 （ ANG）
-135.3
-157.31
-170.3
-178.39
176.07
173.93
171.69
166.82
162.15
157.29
152.31
147.31
143.05
138.4
133.24
126.56
119.41
112.36
应用电路的PCB布局
电路板材料：顶级RF层是0.014 “ GETEK ，
r
= 4.0 ，共4层（ 0.062 “厚）机械刚性
1盎司铜，微带线的详细信息：宽= 0.026 “间距= 0.026 ”
丝印标记“A” ， “B” ， “C”等，和'1' ，'2' ，'3' ，等用作placemarkers用于输入和输出调谐
并联电容器 - C8 ， C5和C2 。标记和过孔的间距在.050 “的增量。
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电话1-800-951-4401
FAX ： 408-577-6633
电子邮件： info-sales@tqs.com
网站： www.TriQuint.com
-4
.0
-5
.0
-3
.
0
-4
.0
-5 .
0
2
-0 .
.2
-0
SWP敏
0.01GHz
-10.0
0. 2
2.14 GHz的
r 0.493722
x 0.825153
4.
0
0
5.
0.
4
-1 0.0
-3
.0
DB（ MSG （））
De_emebedded S_parameter
DB(|S(2,1)|)
De_emebedded S_parameter
3.
0
0
4.
2.14 GHz的
r 0.0838672
x 0.36526
5. 0
0.
2
10 .0
.
2009年4月
AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
824 - 894 MHz的应用电路
25典型的RF性能
°
C
频率（MHz）
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
信道功率
(1)
（ @ -55 dBc的IS- 95 CDMA ACPR ）
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
mA
V
V
824
19.7
16
7
+33.0
+24.4
+23.7
+46.2
848
19.7
16
8
+33
+24.4
+23.7
+46.3
600
+5
+5
894
19.7
13
12
+32.6
+23.8
+23
+45.1
信道功率
输出IP3
(3)
(2)
（ @ -50 dBc的WCDMA ACLR ）
（ 21 dBm的/音，间隔为1MHz ）
静态电流，ICQ
VPD
(4)
VCC
注意事项：
1. ACPR测试设置： IS - 95 CDMA ， 9个通道FWD ， ± 750 KHz的偏移量， 30千赫， ：测量体重， PAR = 9.7分贝
@ 0.01 ％习题。
2. ACLR测试设置： 3GPP WCDMA ， TM1 ± 64 DPCH ， ± 5MHz的偏移量不剪裁， PAR = 10.34分贝@
0.01 ％的概率。
3. OIP3的测量是在21 dBm的/音输出功率为1 MHz的间距。
4. VPD作为设备掉电电压（低= RF关闭
).
5. L 2的边缘被放置在265密耳的距离AH322 RFOUT销（ 12 @ 850兆赫）的边缘。
6. C2的边缘被放置在250密耳的距离AH322 RFOUT销（11 @ 850兆赫）的边缘。
7. C8的边缘被放置在25密耳的距离AH322 RFOUT销（ 1° @ 850兆赫）的边缘。
8.不要超过+ 5.5V电源供电或TVS二极管D3将受到损害。
9.零欧姆跳线可以被替换为在目标应用程序的布局的铜迹线。
10. DNP意味着执行不到位。
C8
L2
C5
小信号性能
20
19
摹AIN（ D B ）
18
17
16
15
800
0
-5
重恩RN 1。· SS （ D B ）
-10
-15
-20
-25
900
ACLR （ DBC）
-30
-35
ACLR与输出功率
3GPP WCDMA ， TM1 + 64DPCH ， ± 5MHz的频率偏移。 ， PAR = 10.34 ％@习题。
824兆赫
848兆赫
894兆赫
-40
-45
-50
-55
-60
20
21
22
23
24
输出功率（dBm ）
25
26
收益
S11
S22
820
840
860
频率（MHz）
880
ACPR与输出功率
IS-95 CDMA中， 9 CH 。 FWD 。 ， ± 750 KHz的频率偏移， PAR = 9.7分贝@ 0.01 ％习题
.
OIP3与输出功率
1MHz的间距， 25℃
-40
-45
ACPR （ DBC）
-50
-55
-60
-65
-70
20
21
22
23
24
输出功率（dBm ）
25
26
824兆赫
848兆赫
894兆赫
50
47
OIP3 （ dBm的）
44
41
824兆赫
848兆赫
894兆赫
38
35
18
19
20
21
22
23
24
输出功率/音（ DBM）
25
26
.
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2009年4月
AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
920 - 960 MHz的应用电路（ AH322 - S8PCB900 ）
25典型的RF性能
°
C
频率（MHz）
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
信道功率
(1)
（ @ -55 dBc的IS- 95 CDMA ACPR ）
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
mA
V
V
920
19.2
16.6
7.8
+33
+24.3
+23.5
+47.3
8.2
940
19.4
18
8.5
+33
+24.4
+23.6
+47.6
8.5
600
+5
+5
960
19.2
15.3
9.4
+33
+24.3
+23.5
+47.2
9
信道功率
(2)
（ @ -50 dBc的WCDMA ACLR ）
输出IP3
(3)
（ 21 dBm的/音，间隔为1MHz ）
噪声系数
静态电流，ICQ
VPD
(4)
VCC
注意事项：
1. ACPR测试设置： IS - 95 CDMA ， 9个通道FWD ， ± 885 KHz的偏移量， 30千赫， ：测量体重， PAR = 9.7分贝
@ 0.01 ％习题。
2. ACLR测试设置： 3GPP WCDMA ， TM1 ± 64 DPCH ， ± 5MHz的偏移量不剪裁， PAR = 10.34分贝@
0.01 ％的概率。
3. OIP3的测量是在21 dBm的/音输出功率为1 MHz的间距。
4. VPD作为设备掉电电压（低= RF关闭） 。
5. L2的边缘被从AH322 RFOUT销的边缘放置在380密耳（ 19 @ 940兆赫）
6. C2的边缘被放置在190密耳的距离AH322 RFOUT销（ 9.5 @ 940兆赫）的边缘。
7.不要超过+ 5.5V电源供电或TVS二极管D3将受到损害。
8. 0跳线可以被替换为在目标应用程序的布局的铜迹线。
9. DNP意味着执行不到位。
小信号性能
25 C
C8
L2
C5
ACLR与信道功率
3GPP WCDMA ， TM1 ± 64DPCH ， ± 5MHz的偏移， 940兆赫
ACLR与信道功率
3GPP WCDMA ， TM1 ± 64DPCH ， ± 5MHz的偏移量， 25℃
20
19
摹AIN（ D B ）
18
S21
S11
S22
0
-5
ETU RN 1。· SS （分贝）
-10
-15
-20
-25
960
-30
-35
ACLR （DB M）
-40
-45
-50
-55
-60
17
18
19 20 21 22 23 24 25
输出信道功率（dBm ）
26
27
+25C
-40C
+85C
-30
-35
ACLR （ DBC）
-40
-45
-50
-55
-60
17
18 19 20 21 22 23 24 25
输出信道功率（dBm ）
26 27
920兆赫
940兆赫
960兆赫
17
16
15
920
930
940
频率（MHz）
950
ACPR与信道功率
IS- 95CDMA ， 9章。 FWD， ± 885 kHz偏置， 30千赫：测量体重， 940兆赫
ACPR与信道功率
IS- 95CDMA ， 9章。 FWD， ± 885 kHz偏置， 30千赫：测量体重， 25℃
增益与噘与温度
频率。 = 940兆赫
-40
-45
-50
ACPR （ DBC）
-55
-60
-65
-70
-75
-80
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
输出信道功率（dBm ）
+25C
-40C
+85C
-40
-45
-50
ACPR （ DBC）
-55
-60
-65
-70
-75
-80
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
输出信道功率（dBm ）
920兆赫
940兆赫
960兆赫
21
20
G A IN（ D B ）
19
18
17
25C
-40C
+85C
16
15
27
28
29
30
31
的Pout （ dBm的）
32
33
34
.
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2009年4月
AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
性能曲线的AH322 - S8PCB900续。
OIP3与信道功率
频率。 = 940 ， 941兆赫，间隔为1MHz
OIP3与信道功率
1 MHz的间距， 25℃
噪声系数与频率的关系
25C
55
55
10
8
6
4
2
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （DB M）
50
50
N· （ D B ）
920兆赫
940兆赫
960兆赫
45
25C
-40C
85C
45
40
40
35
16
17
18
19
20
21
输出功率/音（ DBM）
22
23
35
16
17
18
19
20
21
22
输出功率/音（ DBM）
23
0
920
930
940
频率（MHz）
950
960
.
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2009年4月
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